专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种可用于高速光电探测的Bi(Fe,Zn)O3-CN202110288347.0有效
  • 董立峰;夏丰金;马帅;沙震宗 - 青岛科技大学
  • 2021-03-18 - 2022-07-12 - H01L31/032
  • 本发明提供一种基于掺杂铋/氧化镍材料的全氧化物薄膜异质,属于半导体器件技术领域。本发明公开了一种精确制备掺杂铋/氧化镍薄膜异质的方法,所述的异质采用溶胶凝胶技术,可精确控制各层元素化学计量比、同时保证各层薄膜良好的结晶性及均匀致密的形貌,可控性强、工艺简单、制备效率高。本发明实现了掺杂铋与氧化镍的良好匹配、耦合形成异质结结构,利用铋极化电场和异质内建电场相结合促进光生载流子输运,获得可见光范围内高速光电响应特性,可用于制作相关半导体光电探测器件,对氧化物钙钛矿薄膜在半导体器件领域的实用化具有重要意义
  • 一种用于高速光电探测bifeznbasesub
  • [发明专利]基于铜锡硫/铋铬氧材料钙钛矿异质的薄膜结构-CN201910639678.7有效
  • 马帅;董立峰;夏丰金 - 青岛科技大学
  • 2019-07-16 - 2020-10-23 - H01L31/072
  • 本发明提供一种基于铜锡硫/铋铬氧材料的黄锡矿‑氧化物钙钛矿异质结结构,属于半导体器件技术领域。本发明公开了一种精确制备铜锡硫/铋铬氧异质的方法,所述的异质采用脉冲激光沉积技术原位沉积得到。本发明将铋铬氧与铜锡硫良好匹配、形成异质结结构,发挥铜锡硫材料在载流子传输方面的优势,充分利用铋铬氧电特性所具有的自发极化机制、使区电场增强,实现高效的电子‑空穴对分离、减少其复合,最终提高载流子输运效率本发明所提供的铜硒硫/铋铬氧异质的制备工艺精确、可控性强,方法简单且成本低,所得的异质结结构可用于制作相关半导体功能性器件,对无机氧化物钙钛矿的实用化具有重要意义。
  • 基于铜锌锡硫铋铁铬氧材料钙钛矿异质结薄膜结构
  • [发明专利]一种改性金属负极及其方法-CN202310541040.6在审
  • 李爱东;昌绍忠;付丽玲;丁文娟;吴迪;矫佩杰 - 南京大学
  • 2023-05-15 - 2023-08-11 - H01M4/02
  • 本发明公开了一种改性金属负极及其方法,属于水系离子电池负极技术领域,本发明使用水热方法制备异质电材料,然后将电材料覆盖在金属负极上,得到电材料改性的金属负极;本发明中异质电材料包括电材料和亲材料,电材料由于自发极化的特性,与极化方向相反的带负电的铁电体表面在镀锌过程中会吸引大量的离子,电效应改善了反应界面处电场分布和离子传输;制备的异质电材料具有高介电常数、高击穿电压和良好的界面相容性,可以有效阻断电子通路,减少副反应,进一步保证电化学可逆性;而且可以提供均匀的结合位点,引导均匀沉积。
  • 一种改性金属负极及其方法
  • [发明专利]电半导体/磁单晶薄膜异质及制备方法和应用-CN202210100485.6在审
  • 任召辉;陈嘉璐;林宸;田鹤;韩高荣 - 浙江大学
  • 2022-01-27 - 2023-08-08 - H01L31/032
  • 本发明公开了电半导体/磁单晶薄膜异质及制备方法和应用。该异质是以生长有单晶镧锶锰氧的钛锶单晶基板作为基底,并在镧锶锰氧层外延生长钛铅单晶薄膜而形成的钛铅/镧锶锰氧单晶薄膜异质。该异质具有金属‑绝缘体转变。该异质中,外延钛铅单晶薄膜的表面平整,外延钛铅单晶薄膜的内部晶格排列整齐,钛铅/镧锶锰氧异质结界面呈原子级平整。本发明异质通过水热方法制备得到,其具有优异的光伏性能,且在光照条件下电阻受磁场影响显著,可用作无源光电探测器或光控磁电探测设备。本发明异质结在电半导体存储器、磁电存储和电光开关等领域也具有广泛的潜在应用前景。
  • 半导体铁磁单晶薄膜异质结制备方法应用

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