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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种开关电容电压转换器-CN202211485619.7在审
发明人：赵炜 -专利权人：上海南芯半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本申请公开一种开关电容电压转换器，涉及电子电路技术领域，该开关电容电压转换器包括：开关电容电压转换电路、监控模块、钳位晶体管以及钳位电路；监控模块用于监测输入端VBUS和输出端VOUT的电参数，并根据电参数向钳位晶体管的栅端输出电压，以使输出端VOUT的电压值稳定在目标值；钳位电路，用于使钳位晶体管漏端与源端的电压差小于钳位晶体管的耐压。本申请通过在钳位晶体管上引入一个钳位模块，使得钳位晶体管漏端与源端的电压差小于钳位晶体管的耐压，从而使钳位晶体管的耐压降低，减小晶体管的面积，降低成本。
一种开关电容电压转换器

[发明专利]一种动态钳位存内计算电路、存储器以及电子设备-CN202010279184.5在审
发明人：窦春萌;王琳方;王雪红;叶望;刘琦;刘璟;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：本发明提供一种动态钳位存内计算电路、存储器以及电子设备，包括计算阵列、模数转换器、钳位晶体管组、钳位控制器、位线、源线以及多条字线；计算阵列包括多个单元，每个单元包括晶体管与存储器，存储器的一个电极与晶体管的漏极相连，另一个电极与位线相连，晶体管的源极与源线相连，晶体管的栅极与字线相连；模数转换器与位线相连，用于得到位线电压；钳位晶体管组包括多个并联的钳位晶体管，钳位晶体管的源极与位线相连，钳位晶体管的漏极接地，钳位晶体管的栅极与钳位控制器相连；钳位控制器用于根据多条字线中开启的字线的数量，控制导通的钳位晶体管的数量。
一种动态钳位存内计算电路存储器以及电子设备

[发明专利]一种电源钳位静电放电保护电路-CN201410645021.9在审
发明人：王源;郭海兵;陆光易;曹健;贾嵩;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种电源钳位静电放电保护电路，其包括瞬态触发模块、钳位晶体管开启模块、钳位晶体管关断模块和钳位晶体管。所述瞬态触发模块用于根据所述电源管脚VDD受到的电压脉冲上升时间，判断是否为静电放电冲击；并下发响应信号；所述钳位晶体管开启模块用于根据响应信号开启所述钳位晶体管M_big；所述钳位晶体管关断模块用于根据响应信号关断所述钳位晶体管M_big；所述钳位晶体管M_big开启时，用于泄放静电放电冲击带来的静电电荷。本发明通过引入电流镜，以及PMOS晶体管做等效电阻，大大减小了静电放电保护电路面积，同时晶体管开启时间更长，泄放静电电荷速度更快、更充分。
一种电源静电放电保护电路

[发明专利]半导体装置-CN201810093794.9在审
发明人：岩濑贵司;松原谦 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：根据一个实施例，一种半导体装置包括：预充电晶体管，被配置为向位线供应预充电电压；感测放大器，被配置为根据存储元件的汲取电流和参考电流之间的比较结果来改变输出信号的逻辑电平；钳位晶体管，设置在位线BL和感测放大器之间，以及；钳位电压输出晶体管，其中钳位电压输出晶体管的栅极连接到钳位晶体管的栅极，钳位电压输出晶体管的源极连接到其背栅，钳位电压输出晶体管的源极被供应预充电电压，钳位电压输出晶体管的漏极连接到其栅极，并且接地电压被供应给钳位晶体管的背栅
输出晶体管钳位电压半导体装置钳位晶体管感测放大器预充电电压背栅预充电晶体管参考电流存储元件汲取电流接地电压逻辑电平输出信号源极连接栅极连接在位线漏极配置位线源极

[发明专利]一种用于保护内部电路的电压钳位电路及其操作方法-CN202110436711.3在审
发明人：黄弘进 -专利权人：马来西亚瑞天芯私人有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于保护内部电路的电压钳位电路，该电压钳位电路包括：输入装置，用于接收输入电压Vin；p沟道钳位晶体管，用于防止输入电压下降至低于p沟道偏置电压VbiasP；n沟道钳位晶体管，用于防止输入电压上升至高于该电压钳位电路包括p沟道偏置电路，用于提供动态生成的p沟道偏置电压，以导通p沟道钳位晶体管；和n沟道偏置电路，用于提供动态生成的n沟道偏置电压，以导通n沟道钳位晶体管。该电压钳位电路还包括p沟道保持晶体管和n沟道保持晶体管，用于在p沟道钳位晶体管和n沟道钳位晶体管开始关断时保持输出电压。此外，本发明涉及一种电压钳位电路的操作方法。
一种用于保护内部电路电压及其操作方法

[发明专利]功率器件、驱动电路、电源模组-CN202210746483.4在审
发明人：武占侠;王祥;温雷;卜小松;文豪;顾才鑫;窦海龙 -专利权人：深圳智芯微电子科技有限公司;深圳市国电科技通信有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件、驱动电路、电源模组，功率器件包括：耗尽型晶体管和低压晶体管，耗尽型晶体管的源极与低压晶体管的漏极连接，耗尽型晶体管的栅极与低压晶体管的源极均连接至功率器件的源极，低压晶体管的栅极连接至功率器件的栅极，耗尽型晶体管的漏极连接至功率器件的漏极；钳位电路，钳位电路的一端与低压晶体管的源极连接，钳位电路的另一端与低压晶体管的漏极连接，钳位电路用于钳位低压晶体管的源极与漏极之间的电压。
功率器件驱动电路电源模组

[发明专利]高可靠性电源钳位ESD保护电路-CN201110129544.4有效
发明人：陆光易;王源;贾嵩;张钢刚;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-05-18 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路芯片静电放电保护技术领域，特别涉及一种高可靠性电源钳位ESD保护电路，该ESD保护电路包括：依次连接的电容-电阻模块(1)、钳位晶体管开启模块(2)、以及钳位晶体管(4)，还包括：钳位晶体管关断模块(3)，分别与所述电容-电阻模块(1)和钳位晶体管(4)连接。本发明通过将控制钳位晶体管开启和关断的电路结构分开，使得在ESD保护电路中电容-电阻模块的时间常数很小的情况下，使钳位晶体管有足够长的开启时间。
可靠性电源 esd 保护电路

[发明专利]可配置电路及其操作方法和集成电路-CN201711000579.1有效
发明人：卡尔·诺林;埃尔温·胡贝尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H03K17/081 文献下载
摘要：所述电路包括可配置钳位驱动器电路，其用于在晶体管关断时将晶体管的栅极端子处的电压钳位在导通电压阈值以下。在第一钳位驱动器电路模式下，钳位驱动器电路的输出端子被配置成耦接至晶体管的栅极端子，以在晶体管关断时提供自晶体管的栅极端子起的第一放电路径。在第二钳位驱动器电路模式下，钳位驱动器电路的输出端子被配置成耦接至钳位电路的输入端子，其中，钳位电路耦接至晶体管的栅极端子，以在晶体管关断时提供自晶体管的栅极端子起的第二放电路径。
配置电路及其操作方法集成电路

[发明专利]利用电流镜的电源钳位ESD保护电路-CN201110166467.X有效
发明人：陆光易;王源;贾嵩;张钢刚;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-06-20 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H02H9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用电流镜的电源钳位ESD保护电路，涉及集成电路芯片静电放电保护技术领域，包括：依次连接的电容-电阻模块(1)、钳位晶体管开启模块(2)和钳位晶体管(4)，还包括：钳位晶体管关断模块(3)，分别与所述电容-电阻模块(1)和钳位晶体管(4)连接。本发明通过在电源钳位ESD保护电路中引入电流镜结构，使得电容-电阻模块中的电容等效增大数倍，并延长了钳位晶体管的开启时间，提高了ESD保护的可靠性，另外，电路结构运用新型反相器替代传统反相器也延长了钳位晶体管的开启时间，以满足集成电路泄放静电电荷时的需求，确保了钳位晶体管在ESD保护期间泄放能力稳定在一个很高的水平。
利用电流电源 esd 保护电路

[发明专利]ESD保护电路以及电子器件-CN201910193322.5有效
发明人：陈光;陈捷 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：一种ESD保护电路以及电子器件，所述ESD保护电路包括：电源端；接地端；泄放通路，包括串联的钳位晶体管以及MOS晶体管，所述钳位晶体管与MOS晶体管集成在同一半导体衬底上且类型不同：所述钳位晶体管的源极、漏极与衬底端之间电连接，且连接至所述电源端；所述MOS晶体管的栅极与衬底端之间电连接；所述MOS晶体管的第一极与所述钳位晶体管的栅极电连接，所述MOS晶体管的第二极与所述接地端连接；其中，当发生ESD时，所述MOS晶体管开启，形成所述钳位晶体管的衬底端与所述第二极之间的寄生电流。
esd 保护电路以及电子器件

[发明专利]一种高速CMOS图像传感器-CN201510217404.0在审
发明人：金湘亮;刘维辉 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速CMOS图像传感器，它包括钳位光电二极管、浮空扩散节点、电荷传输晶体管、复位晶体管、源跟随晶体管和行选择晶体管；复位晶体管和源跟随晶体管的漏极都与电源电压相连，所述源跟随晶体管的源极与行选择晶体管的漏极相连，所述行选择晶体管的源极接输出列总线，所述复位晶体管的源极和源跟随晶体管的栅极分别经浮空扩散节点、电荷传输晶体管与钳位光电二极管相连，所述钳位光电二极管包括P型杂质衬底、P型重掺杂钳位层和N型埋层，所述P型杂质衬底内从上至下依次设有P型重掺杂钳位层和N型埋层，所述N型埋层的宽度从靠近电荷传输晶体管一侧向另一侧逐渐变窄，所述P型重掺杂钳位层覆盖住N型埋层并直接与P型杂质衬底相连。
一种高速 cmos 图像传感器

[发明专利]非易失性半导体存储装置-CN201010280638.7有效
发明人：本多泰彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2010-09-10 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种非易失性半导体存储装置，包括：存储单元晶体管；字线；行译码器；位线；读出放大器；第一位线钳位用晶体管，其串联连接在所述位线与所述读出放大器之间；第二位线钳位用晶体管，其与所述第一位线钳位用晶体管并联连接，电流驱动能力比所述第一位线钳位用晶体管高；以及位线控制电路，其在从所述位线的充电开始起预定的期间，以共同的栅电压使所述第一及第二位线钳位用晶体管导通，在经过了所述预定的期间后，仅使所述第二位线钳位用晶体管截止
非易失性半导体存储装置

[发明专利]动态静电放电钳位电路-CN201410184890.6有效
发明人：陈光;程惠娟;李宏伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-05-04 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种动态ESD钳位电路，包括：一个VCC电压电源8；一个VSS接地电源9；一个用于ESD检测的栅极耦合晶体管3；连接在VCC电压电源8和栅极耦合晶体管3的栅极之间的耦合电容器1；连接在栅极耦合晶体管3和VSS接地电源9的栅极之间的一系列电阻2；钳位晶体管7，为多叉指结构，连接在VCC电压电源8和VSS接地电源9之间；反相器4，连接在栅极耦合晶体管3的漏极和钳位晶体管7的栅极之间，在ESD事件发生时，触发钳位晶体管7的栅极与漏极端子耦合；反馈晶体管5，连接在钳位晶体管7的栅极与栅极耦合晶体管3的漏极之间；连接在钳位晶体管7的栅极和VSS接地电源9的栅极之间的电阻6。
动态静电放电电路

[发明专利]带有过压保护的放大器-CN202211076467.5在审
发明人： J·H·温斯克 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H03F1/52 文献下载
摘要：在所描述的示例中，电路(100)包括参考电压(102)、具有驱动输入和驱动输出的驱动电路(148)、输出晶体管(136)以及具有钳位输入和钳位输出的钳位电路(162)。输出晶体管(136)包括源极、漏极和栅极；源极被耦合以接收参考电压(102)。钳位输入耦合到驱动输出和栅极。钳位输出耦合到驱动输入或者耦合到驱动输出、栅极和钳位输入。钳位电路(162)被配置为检测输出晶体管(136)的操作区域，并在输出晶体管(136)进入三极管区域后生成钳位电流。钳位电流被选择成防止输出晶体管(136)的源栅电压的绝对值等于或超过输出晶体管(136)的栅极氧化物隧穿电压。
带有保护放大器

[实用新型]钳位保护电路-CN202220088745.8有效
发明人：李勃;钱永学;蔡光杰;孟浩;王鑫;黄鑫 -专利权人：北京昂瑞微电子技术股份有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了一种钳位保护电路，包括：主体电路，其中，所述主体电路包括第一晶体管；第一钳位电路，与所述第一晶体管的栅极相连，并且被配置为在所述第一晶体管导通的情况下，对所述第一晶体管的栅极电压进行钳位，以使得所述第一晶体管的源极和栅极之间的电压低于第一过压电压；以及第二钳位电路，与所述第一晶体管的漏极相连，并且被配置为在所述第一晶体管截止的情况下，对所述第一晶体管的漏极电压进行钳位，以使得所述第一晶体管的源极和漏极之间的电压低于第二过压电压本公开的钳位保护电路可以保证晶体管工作在较高的电压下时，在导通或者截止状态下均不会超过晶体管的最大可承受电压，确保了晶体管的工作寿命和产品的可靠性。
保护电路

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