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[发明专利]一种环保型钨酸钠制备工艺及其应用-CN201710802876.1有效
发明人：丁明 -专利权人：丁明
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种环保型钨酸钠制备工艺及其应用，通过含钨废料提取、制备钨酸钠溶液、钨料去杂、钨酸钠溶液浓缩及钨酸钠烘干等步骤从含钨废料提取钨酸钠，本发明一种环保型钨酸钠制备工艺及其应用，工艺简单，绿色环保的生产过程
钨酸钠制备工艺环保型钨酸钠溶液含钨废料应用产品纯度绿色环保生产过程医疗行业烘干去杂颜料制备浓缩

[发明专利]一种含钨材料的用途-CN201580037964.6在审
发明人：张雨虹 -专利权人：苏州汉瀚储能科技有限公司
申请日： 2015-07-24 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01M4/48 文献下载
摘要：一种含钨材料及其应用以及制备方法。含钨材料作为电化学储能材料、燃料电池电解质和化学催化剂材料。含钨材料包括氧化钨及氧化钨水合物、掺杂的氧化钨及掺杂氧化钨水合物、氧化钨的复合物以及氧化钨水合物的复合物。
一种材料用途

[发明专利]含钨固体除砷的方法-CN201811207963.3在审
发明人：赵立夫;赖星任;黄泽辉;邓登飞;章秋霖;徐国钻;吕江涛;许立强;傅雨 -专利权人：崇义章源钨业股份有限公司
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C22B1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种含钨固体除砷的方法，该方法包括：(1)将含钨固体进行烘干，以便得到干燥含钨固体；(2)将所述干燥含钨固体进行细磨处理，以便得到含钨固体颗粒；(3)将所述含钨固体颗粒送至回转炉，在流速为1‑100m³/h的氮气或氩气气氛下进行煅烧，以便得到除砷含钨固体和含砷气体；其中，在步骤(1)中，所述含钨固体为选自钨精矿、钨渣和钨精矿冶炼所得的含砷污泥中的至少之一。该方法一方面能将砷从钨精矿中去除，避免钨精矿在冶炼过程中再产生危险固体废弃物；一方面能将已产生的危废‑钨渣、含砷钨泥中的砷除去，以符合排放标准。
钨精矿钨渣危险固体废弃物氮气含砷污泥排放标准冶炼过程氩气气氛烘干转炉去除细磨煅烧冶炼

[发明专利]一种钨钼烧结炉方形发热体装置-CN201910995936.5在审
发明人：邢朋娟;惠圆圆;刘艳;严磊;但振坤 -专利权人：西安成航炉业有限公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： F27B14/06 文献下载
摘要：本发明提供一种钨钼烧结炉方形发热体装置，包括短钨条、止口和长钨条；所述的短钨条与长钨条通过止口连接，短钨条与长钨条拼接组成一层方形状钨条，方形状钨条的四个角为发热体拐角，每层拼接好的钨条逐层叠加构成发热体，叠加时长钨条和短钨条的接缝互相错开。本发明中每根钨条之间均为自由状态，不需要焊接。当发热体达到使用寿命后，可将钨条拆散，将其变形量小的钨条重新回收用于新的发热体制做中，实际生产中，这种发热体报废后材料的回收率可达70%以上，能节约大量贵重的钨材料，是生产消耗大幅度降低，节约生产成本。
钨条发热体方形状拼接止口节约生产成本发热体装置发热体制互相错开使用寿命钨钼烧结逐层叠加自由状态变形量钨材料拆散拐角回收率焊接接缝时长叠加报废回收生产消耗节约

[发明专利]金属钨的填充方法-CN201910999534.2在审
发明人：詹侃;胡凯;李远;万先进 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明属于半导体设计及制造领域，本发明提供一种金属钨的填充方法，方法包括步骤：于开口的侧壁形成氮化钨钝化层；以及于所述开口中进行金属钨填充。本发明在金属钨填充过程中特别插入了氮化钨钝化层。由于金属钨在钨种子层和氮化钨钝化层表面的生长具有显著不同的沉积速率，本发明利用氮化钨钝化层对金属钨的进一步生长具有的钝化作用，促使金属钨的后续沉积产生一定的迟滞时间。本发明通过在金属钨填充过程插入的特征氮化钨钝化层，使得结构内外侧产生迟滞强度差异，可以显著增强金属钨的填充效果，实现金属钨的完全填充，避免结构内部孔隙等缺陷的产生，并大大提高了填充工艺的可调节能力。
金属钨填充氮化钨钝化层迟滞沉积开口半导体设计钝化层表面钝化作用强度差异钨种子层可调节生长侧壁制造

[发明专利]利用含钨废料制备偏钨酸铵的方法-CN201911379472.1在审
发明人：王世良;周孔臣;贺石强;胡庆民 -专利权人：厦门钨业股份有限公司;厦门嘉鹭金属工业有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用含钨废料制备偏钨酸铵的方法，包括：(1)将含钨废料与含镁添加剂进行混合，以便得到混合料；(2)将所述混合料进行焙烧，以便得到焙烧料；(3)将所述焙烧料与酸液混合，以便得到固液混合物；(4)将所述固液混合物进行固液分离，以便得到含镍钴的滤液和含钨酸的滤渣；(5)将所述含钨酸的滤渣和氨水混合，以便得到钨酸铵溶液；(6)将所述钨酸铵溶液进行萃取或离子交换，得到偏钨酸铵溶液；(7)将所述偏钨酸铵溶液进行蒸发结晶，以便得到偏钨酸铵。采用该方法将含钨废料中的钨资源转化为高价值的偏钨酸铵，钨的回收率高达95％以上，实现含钨废料的资源化利用。
利用废料制备偏钨酸铵方法

[发明专利]高性能三氧化钨/钨酸铋薄膜及其制备方法-CN202210284369.4在审
发明人：杨晓刚;曹光明;汪欣伟;石运鹏;金佳淇;胡俊蝶;曲家福;李长明;吴其华;葛德培 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种高性能三氧化钨/钨酸铋薄膜及其制备方法，高性能三氧化钨/钨酸铋薄膜，包括钨酸铋薄膜，所述钨酸铋薄膜下依次为三氧化钨层和氟掺杂二氧化锡FTO导电玻璃，所述钨酸铋薄膜厚度为50‑500纳米，所述三氧化钨层厚度为10‑100纳米；所述钨酸铋薄膜为吸光材料，所述三氧化钨层为电子传输层。本发明采用刮涂法制备三氧化钨层结合电化学沉积法沉积铋，经退火后得到的高性能三氧化钨/钨酸铋薄膜，制备过程简单且有较高的光电转换性能。本发明方法简便环保，制备的高性能钨酸铋薄膜结构有效地促进了电荷分离与传输，并具有良好的可见光电转换性能。
性能氧化钨钨酸铋薄膜及其制备方法

[发明专利]高韧性钨基合金、制备工艺及其应用-CN202210445656.9有效
发明人：朱正明;言超;徐文娇 -专利权人：上海超淼争锋生物科技有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C22C27/04 文献下载
摘要：本发明的目的在于揭示一种高韧性钨基合金、制备工艺及其应用，通过在纯钨中添加一定比例的铼并通过轧制等工艺，制备出高韧性、耐折弯的钨基合金，包括钨、铼和微量杂质，其中，所述钨的含量不低于wt99％，所述铼的含量不高于wt0.3％，其余为杂质，所述钨的平均晶粒尺寸为0.4μm～1.2μm，与现有技术相比，本发明的有益效果是：钨基合金中添加了少量铼，铼在钨基合金中作为溶质原子，铼取代溶剂钨晶晶格中的部分钨原子，由于溶质铼原子和溶剂钨原子大小不同，铼破坏了钨中原有的晶格规律性，导致钨晶发生位错而不能轻易地位移，即，溶质原子铼对钨晶的位错运动形成阻碍作用，使钨基合金的强度得到提升。
韧性合金制备工艺及其应用

[发明专利]一种厚钨涂层材料的制备方法及钨涂层材料-CN201210191618.1无效
发明人：练友运;刘翔;宋久鹏;于洋 -专利权人：核工业西南物理研究院;厦门虹鹭钨钼工业有限公司
申请日： 2012-06-12 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种厚钨涂层材料的制备方法，用化学气相沉积法，通过氢气还原六氟化钨，在基层材料上沉积钨涂层。沉积速率为0.4-1mm/h，钨涂层厚度大于等于1mm。本发明还涉及一种钨涂层材料，包括纯铜或铜合金、适配层、以及钨涂层；适配层为1-5层的钨铜梯度材料，每层厚度为0.5-1.5mm；紧邻钨涂层一侧，钨铜梯度材料钨含量为50~90wt.%；中间各层钨铜梯度材料钨含量依次递减，铜含量依次递增；紧邻纯铜或铜合金一侧，钨铜梯度材料铜含量为50~90wt.%。本发明采用纯钨涂层-适配层-铜基材料方法，适配层可以解决钨和铜之间热膨胀系数不匹配的问题，减小涂层与基体的热应力。
一种涂层材料制备方法

[实用新型]一种钨钼烧结炉方形发热体装置-CN201921754589.9有效
发明人：邢朋娟;惠圆圆;刘艳;严磊;但振坤 -专利权人：西安成航炉业有限公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： F27B14/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种钨钼烧结炉方形发热体装置，包括短钨条、止口和长钨条；所述的短钨条与长钨条通过止口连接，短钨条与长钨条拼接组成一层方形状钨条，方形状钨条的四个角为发热体拐角，每层拼接好的钨条逐层叠加构成发热体，叠加时长钨条和短钨条的接缝互相错开。本实用新型中每根钨条之间均为自由状态，不需要焊接。当发热体达到使用寿命后，可将钨条拆散，将其变形量小的钨条重新回收用于新的发热体制做中，实际生产中，这种发热体报废后材料的回收率可达70%以上，能节约大量贵重的钨材料，是生产消耗大幅度降低，节约生产成本。
一种烧结炉方形发热装置

[实用新型]一种高纯钨坯体制备系统-CN202022193448.3有效
发明人：陈箫箫 -专利权人：亚芯半导体材料（江苏）有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C22B34/36 文献下载
摘要：本实用新型属于化工生产技术领域，具体涉及一种高纯钨坯体制备系统，本高纯钨坯体制备系统包括：六氟化钨制备机构和钨坯体制备机构；其中所述六氟化钨制备机构适于从原料中制备出六氟化钨，并投放至所述钨坯体制备机构；以及所述钨坯体制备机构适于从六氟化钨中制备出高纯钨坯体；本实用新型通过制备六氟化钨作为中间产物，存量较少，过程中全部消耗掉，无残留，不涉及运输和长期大量存储，满足安全、无污染工业生产需求，并且生成的钨在钨坯体制备机构中反应容器基底表面不断累积形成一定尺寸的高纯钨坯体，实现了一体化生产的功能，达到了工业化制备高纯钨坯体的目的。
一种高纯体制系统

[发明专利]半导体器件及其钨塞填充方法-CN201110348659.2有效
发明人：周君 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-11-07 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种钨塞填充方法，包括：提供基底，基底包括需填充金属钨的若干孔洞；在孔洞内形成钨种子层，钨种子层在孔洞开口的棱角处的沉积速率大于孔洞内部的沉积速率；在钨种子层上形成钨膜层，填充孔洞内部，在钨膜层的沉积过程中，采用腐蚀性物质去除孔洞开口处的金属钨，以避免在所述孔洞开口处累积钨。本发明通过在钨膜层的形成过程中采用腐蚀性物质出去孔洞开口出的金属钨，保证了在钨膜层的沉积过程中孔洞开口处不会过多的累积金属钨，进而可使钨膜层的沉积过程中孔洞开口处有足够的宽度，使金属钨能够填满孔洞，从而减小了钨塞填充过程中产生的空洞的大小
半导体器件及其填充方法

[发明专利]一种碳化钨薄膜催化材料及其制备方法-CN202010499171.9有效
发明人：刘伟;黄敬文 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： B01J27/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化钨薄膜催化材料及其制备方法，所述碳化钨薄膜催化材料，包括钨箔基底层和碳化钨催化层；碳化钨催化层包覆于钨箔基底层表面。本发明采用钨箔作为基底兼钨源，使碳化钨薄膜和钨箔形成强劲而稳定的化学键，增强了导电性；本发明在钨箔表面形成三氧化钨薄膜，以为三氧化钨为前驱体，使得得到的碳化钨薄膜具有比较大的比表面积，进而有利于增加催化剂活性位点本发明除去了碳化钨表面多余的无定形碳，从而暴露出更多的活性位点，提高了其催化活性。本发明中碳化钨薄膜的形成可以空气煅烧法，真空煅烧法，化学气相沉积法等，操作简单，成本低，易于批量生产。
一种碳化薄膜催化材料及其制备方法

[发明专利]等离子焊枪钨极定位装置-CN200710024120.5无效
发明人：庄杰;陈春阳;陈国余;刘松;张光新 -专利权人：昆山华恒工程技术中心有限公司
申请日： 2007-07-16 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： B23K10/02 文献下载
摘要：一种等离子焊枪钨极定位装置，由穿套钨极的钨极夹和将钨极夹限定在中心孔的芯轴组成，钨极夹为管状且前端形成缩小部，钨极夹之缩小部轴向均匀分布多个开口缝，钨极夹前端被夹紧后形成圆锥面，对应钨极夹前端，芯轴内周面对应设有圆锥内周面，钨极夹前端夹紧成圆锥面后固定在芯轴之圆锥内周面，钨极夹连带穿套的钨极通过由锁杆和旋转钮组成的钨极顶紧装置固定在芯轴内，锁杆旋固于钨极夹后端，旋转钮内端具有凹槽，旋转钮凹部罩住锁杆，通过轴承支撑于锁杆另一端后旋固在芯轴后端，钨极前端部穿套钨极对中套后固定于枪头内，便于钨极前端于枪头轴中心。
等离子焊枪定位装置

[实用新型]一种钨杆及其生产加工设备-CN201921014823.4有效
发明人：杨立华 -专利权人：株洲美特优硬质合金有限公司
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： B21C25/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种钨杆及其生产加工设备，包括U型状钨杆，所述U型状钨杆由U型钨杆体和两个钨杆连接杆，两个所述钨杆连接杆均与U型钨杆体上端两侧固定连接，两个所述钨杆连接杆均与U型钨杆体一体成型，所述U型状钨杆杆体的截面为圆形，且所述U型状钨杆为碳化钨杆。本实用新型结构合理，通过弧形加热器可以对U型状钨杆进行加热，弥补其散失的热量，如此大大提高U型状钨杆的成品率，且U型状钨杆为一体成型品质高，通过弹力弹簧和T型块，可以将加工后的U型状钨杆抬起并部分脱离U
一种及其生产加工设备