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[发明专利]制备复合无机金属氧化物的方法-CN200810060536.7有效
发明人：周小平;杰夫·徐;王科;刘永明;陈飞;殷玉波 -专利权人：微宏科技(湖州)有限公司
申请日： 2008-03-26 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：使用本方法可以制备出纳米级晶粒的多种复合无机金属氧化物粉末，包括钛酸钡、钛酸铜钙、钛酸锂、钛酸锶、锆酸钡或者锆酸锶等。
制备复合无机金属氧化物方法

[发明专利]一种镨、铁共掺杂的钛酸锶多铁性薄膜及其制备工艺-CN201410026061.5有效
发明人：王晓飞;李新忠;胡秋波;王赵武;张超;周锋子 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2014-01-21 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： C04B35/47 文献下载
摘要：一种镨、铁共掺杂的钛酸锶多铁性薄膜及其制备工艺，钛酸锶薄膜由分子式为Sr_1-xPr_xTi_1-yFe_yO₃的材料组成，其中，0.025≤x≤0.075，0.05≤y≤0.3；制备工艺：按分子式的摩尔比称取乙酸锶、氧化镨、钛酸丁酯和硝酸铁，分为两个步骤用乙酸和乙二醇甲醚溶解乙酸锶和钛酸丁酯，用乙二醇甲醚溶解硝酸铁在甩胶机中甩胶，然后烘干和热分解，至干膜厚度达到300nm，退火得Sr_1-xPr_xTi_1-yFe_yO₃薄膜本发明通过镨、铁共掺杂所诱导出钛酸锶的铁电性和磁性出现在室温附近，实现了一种新的单相多铁材料的制备。
一种掺杂钛酸锶多铁性薄膜及其制备工艺

[发明专利]一种镧钙锰氧-镧锶锰氧-钛酸锶铅复合薄膜及其制备方法-CN201610006430.3有效
发明人：董显林;薛粉;陈莹;王根水 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2016-01-06 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种镧钙锰氧‑镧锶锰氧‑钛酸锶铅复合薄膜及其制备方法，所述复合薄膜包括依次层叠形成在基底上的镧钙锰氧薄膜层、镧锶锰氧薄膜层和钛酸锶铅薄膜层。本发明提供的复合薄膜具有表面粗糙度低、无微裂纹、性能稳定且同时具有良好铁磁性能、铁电性能及室温磁电容效应等优点，且可与半导体集成电路技术相兼容，适用性强；本发明提供的方法原料廉价、无毒，制备过程中无有毒气体排放
一种镧钙锰氧镧锶锰氧钛酸锶铅复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种铋掺杂钛酸锶薄膜电容器及其制备方法-CN201710182490.5有效
发明人：姚曼文;李秋霞;李菲;彭勇;苏振;姚熹 -专利权人：同济大学
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明属于功能材料技术领域，涉及一种铋掺杂钛酸锶电容器及其制备方法，用醋酸锶、硝酸铋、四异丙醇钛、醋酸、乙二醇甲醚、乙酰丙酮、聚乙烯吡咯烷酮(pvp)和乙二醇作原料，按Sr_1‑1.5xBi_xTiO₃配制成溶胶，经陈化、甩膜和热处理制备出均匀的电介质膜，再在介质膜上镀上一层电极，制备出铋掺杂钛酸锶薄膜电容器。与现有技术相比，采用本配方的电容材料，具有较低的漏电流密度和介电损耗以及较大的耐压性能，从而满足铋掺杂钛酸锶薄膜的电容器应用。
一种掺杂钛酸锶薄膜电容器及其制备方法

[发明专利]一种非制冷热释电红外探测器及制备方法-CN201310009496.4无效
发明人：王晓川;张欣翼;许丽娜 -专利权人：四川汇源科技发展股份有限公司
申请日： 2013-01-11 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明的非制冷热释电红外探测器包括衬底、热敏感单元，热敏感单元包括热敏感薄膜和电极，热敏感薄膜的厚度为50nm-5um，所述热敏感薄膜的材料为VOx1，或非晶硅，或钛酸锶钡(Bax2Sr1-x2)TiO3，或锆钛酸铅Pb(Zrx3Ti1-x3)O3，或掺镧锆钛酸铅(Pby1La1-y1)(Zrx4Ti1-x4)O3，或钽钪酸铅Pb(Tax5Sc1-x5)O3;其中，1
一种制冷热释电红外探测器制备方法

[发明专利]制备钛酸锶钡铁电薄膜的方法-CN200410013161.0无效
发明人：姜胜林;曾亦可;林汝湛;邓传益 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2004-05-15 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： C23C20/06 文献下载
摘要：本发明属于铁电薄膜材料制备方法，在传统Sol－Gel法的基础上，先在基片上提供一层种子层，在其上反复旋涂BST溶胶，以制成均匀的BST薄膜。本发明步骤：以醋酸铅Pb(C₂H₃O₂)₂溶于水和冰醋酸CH₃COOH构成的溶剂中，以钛酸四丁酯>H₆O₂为添加剂，组份充分均匀，形成PbTiO₃种子层前驱体；在基片上旋转涂覆PbTiO₃种子层前驱体，形成湿薄膜，紫外灯照射使之成为固体膜，热处理形成无机膜；重复旋转涂覆步骤2～4次，经热处理，即形成种子层；再采用传统Sol－Gel方法在种子层上制备BST薄膜。采用本发明制备的BST铁电薄膜无裂纹和孔洞，晶粒明显生长、分布均匀，可满足UFPA系统探测材料的要求。
制备钛酸锶钡铁电薄膜方法

[发明专利]高电致应变的钛酸铋钠基无铅压电薄膜及其制备方法-CN202211726940.X在审
发明人：沈波;朱坤;翟继卫 -专利权人：同济大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：本发明提供了一种高电致应变的钛酸铋钠基无铅压电薄膜，化学通式为：0.9212(Bi0.5Na0.5)TiO钛酸铋钠基无铅压电薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤S1，按照钛酸铋钠基无铅压电薄膜的化学通式的化学计量比称取硝酸铋、乙酸钠、乙酸钡、乙酸镧、乙酸锶溶于乙酸，制得第一溶液；步骤S2，按照钛酸铋钠基无铅压电薄膜的化学通式的化学计量比称取乙酰丙酮、钛酸四丁酯、四水合乙酸锰溶于乙二醇甲醚，制得第二溶液；步骤S3，将第一溶液和第二溶液混合得到混合溶液，调整混合溶液的浓度和酸碱度，制得前驱体溶液；步骤S4，清洗基片，并将基片吹干；步骤S5，将前驱体溶液涂覆在基片上，制备得到高电致应变的钛酸铋钠基无铅压电薄膜。
高电致应变钛酸铋钠基无铅压电薄膜及其制备方法

[发明专利]一种钛锡酸锶薄膜的用途-CN201010110227.3无效
发明人：翟继卫;周歧刚 -专利权人：同济大学
申请日： 2010-02-20 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种钛锡酸锶薄膜在阻变存储器中的应用。所述钛锡酸锶薄膜的化学组成为SrTi(1-x)SnxO3，其中0.01≤x≤0.25。本发明的钛锡酸锶薄膜具有优良的电阻切变特性，可作为阻变存储器的介质层。将该薄膜用于阻变存储器中，可使具有“底电极/SrTi(1-x)SnxO3薄膜/顶电极”结构的存储单元表现出优异的具有记忆效应的电脉冲诱发电阻切变性能，具有新一代非挥发性阻变存储器的特点，并且具备新一代存储器所需要的高速度
一种钛锡酸锶薄膜用途

[发明专利]一种具有高调谐率的钛酸锶铅铁电薄膜及其制备方法-CN201210237825.6无效
发明人：王根水;李魁;董显林;雷秀云 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2012-07-10 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明提供一种具有高调谐率的钛酸锶铅铁电薄膜及其制备方法，所述方法是在具有衬底的底电极上利用非原位射频磁控溅射的方法制备钛酸锶铅铁电薄膜，通过改变磁控溅射过程中通入的氧气和氩气的比例为0～50%以制备具有不同致密度和不同晶粒生长模式的钛酸锶铅薄膜本发明的薄膜需要较低的后退火温度便可以结晶，且具有优异的性能。本发明使得零场和施加电场的介电常数都可以通过薄膜的微结构进行调制，从而使得微波调谐率在一个更宽的范围内得以提升。
一种具有调谐钛酸锶铅铁薄膜及其制备方法

[发明专利]一种在与贱金属内电极适配的钛酸锶钡陶瓷材料及其制备方法-CN202110826411.6在审
发明人：鲁圣国;梁威;牛翔;简晓东;赵小波;姚英邦;陶涛;梁波 -专利权人：广东工业大学;东莞华南设计创新院
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明提供一种在与贱金属内电极适配的钛酸锶钡陶瓷材料及其制备方法，包括以下步骤：将一种金属电极钛酸锶钡陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]压控可调钛酸锶钡基复合陶瓷材料及其制备方法-CN200810118319.9有效
发明人：董桂霞;崔建东;马书旺;杨志民;杜军;毛昌辉 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2008-08-13 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： C04B35/47 文献下载
摘要：本发明属微波陶瓷制备技术领域，特别涉及一种压控可调钛酸锶钡基复合陶瓷材料及其制备方法。用固相反应法或共沉淀包覆法制得钛酸锶钡基复合陶瓷粉体，再用不加任何成型剂的冷等静压成型及常压烧结工艺获得高致密、高纯净度的陶瓷块体。本发明压控可调钛酸锶钡基复合陶瓷材料适用于相控阵移相器、可调滤波器、延迟线、振荡器、共振器等微波器件。
可调钛酸锶钡基复合陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]高介电材料钛酸锶钡化学机械抛光用的纳米抛光液-CN200410093370.0有效
发明人：张楷亮;宋志棠;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2004-12-22 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于半导体器件中高介电常数介电材料钛酸锶钡(BaxSr_1－xTiO₃，BST)化学机械抛光(CMP)的纳米抛光液。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境，主要用于新一代高密度存储器(DRAM)电容器介电材料及CMOS场效应管的栅介质——高介电常数介电材料钛酸锶钡的全局平坦化。利用上述纳米抛光液采用化学机械抛光方法平坦化高介电常数介电材料钛酸锶钡，抛光后表面的粗糙度降至0.8nm以下，抛光速率达200～300nm/min；抛光后表面全局平坦度高，损伤较少，是制备超高密度动态存储器
高介电材料钛酸锶钡化学机械抛光纳米抛光

[发明专利]一种高介电可调的钛酸锶钡基复合硅铝酸盐陶瓷介质材料-CN201711471991.1有效
发明人：张明伟;辛乐;郭冲;范恒辉;刘志伟;沈世婷 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：一种高介电可调的钛酸锶钡基复合硅铝酸盐陶瓷介质材料，其特征在于，高介电可调的钛酸锶钡基复合硅铝酸盐陶瓷介质材料的组分通式为：(1‑m%)Ba1‑zSr钛酸锶钡基复合硅铝酸盐陶瓷介质材料在较宽范围连续可调，且综合性能高。
一种高介电可调钛酸锶钡基复合硅铝酸盐陶瓷介质材料

[发明专利]一种刀具用增强纳米复合涂层及其制备方法-CN201810488814.2在审
发明人：张秀娟;郭文星;胡斌 -专利权人：九江职业技术学院
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：所述刀具用增强纳米复合涂层包括以下重量份数的原料：钛酸锶钡粉体18‑27份、纳米硅酸镧11‑28份、磷酸钇12‑25份、氟硅酸钠5‑15份、铝粉6‑15份、鳞片膨胀石墨2‑7份。本发明的增强纳米复合涂层通过钛酸锶钡粉体、纳米硅酸镧、磷酸钇、氟硅酸钠、铝粉和鳞片膨胀石墨制备而成，通过原料的复配发挥协同作用；本发明的增强纳米复合涂层具有高温摩擦系数低、耐磨性能好、使用寿命高等优点，
纳米复合涂层制备刀具钛酸锶钡粉体氟硅酸钠膨胀石墨硅酸镧磷酸钇鳞片铝粉高温摩擦系数耐磨性能使用寿命重量份数复配

[发明专利]钛酸锶钡-镁铝尖晶石可调性复相陶瓷及其制备方法-CN200810232455.0有效
发明人：李真;高峰;王通;胡国辛;马冰 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2008-11-28 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：一种钛酸锶钡-镁铝尖晶石可调性复相陶瓷及其制备方法，其组成为Ba1-xSrxTiO3＋yMgAl2O4＋zCuO，其中x＝0.35～0.45，y＝25～40wt％，z＝1～2wt％；分别制备出Ba1-xSrxTiO3本发明在降低了纯钛酸锶钡陶瓷介电常数和介电损耗的同时，使材料体系具有很高的可调性，满足移相器、动态随机存储器等器件对可调性材料的使用要求，并具有提高该类器件工作效率的应用潜力。
钛酸锶钡尖晶石调性陶瓷及其制备方法