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[发明专利]一种高织构度及高电致应变性能的钛酸铋钠基无铅压电织构陶瓷及其制备方法-CN202210819578.4有效
发明人：戴叶婧;赖丽香;李斌 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及无铅压电织构陶瓷制备技术领域，特别涉及一种高织构度及高电致应变性能的钛酸铋钠基无铅压电织构陶瓷及其制备方法。本发明结合了离子掺杂改性和织构技术，通过熔盐法制备得到钛酸铋模板晶体，通过反应模板晶粒生长法(RTGG)结合改进的流延成型工艺，制备得到一种高织构度及高电致应变性能的钛酸铋钠基无铅压电织构陶瓷，化学式为Sub>Nbx)O3(0≤x≤0.015)，陶瓷晶粒沿001高度取向，织构陶瓷具有较高的织构度、较高的逆压电系数和较好的电致应变性能，在电致应变材料领域具有较好的应用前景。
一种高织构度高电致应变性能钛酸铋钠基无铅压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓基铁酸铋铁电薄膜及其制备方法-CN201610518884.9在审
发明人：李效民;徐雷雷;高相东;朱秋香 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2016-07-04 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L41/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓基铁酸铋铁电薄膜及其制备方法，所述氮化镓基铁酸铋铁电薄膜由通过脉冲激光沉积技术依次形成在氮化镓半导体薄膜衬底上的TiO₂缓冲层、锰酸锶镧缓冲层以及铁酸铋铁电薄膜层构成本发明的有益结果是采用LSMO/TiO₂双缓冲层，减小了铁酸铋与氮化镓之间的晶格失配度，实现了铁酸铋铁电薄膜在氮化镓半导体薄膜上的外延生长，获得了（111）单一取向的铁酸铋薄膜，实现了铁酸铋铁电薄膜与氮化镓半导体的外延集成
一种氮化镓基铁酸铋铁电薄膜及其制备方法

[发明专利]一种超低介电损耗的铌锰酸铅-铌镍酸铅-锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷及其制备方法-CN202110347455.0有效
发明人：边浪;曹文武 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C04B35/499 文献下载
摘要：一种超低介电损耗的铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷及其制备方法。本发明属于压铁电材料领域。本发明是为了解决现有软性陶瓷高介电损耗的技术问题。本发明的一种超低介电损耗的铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷的化学通式为x Pb(Mn1/3Nb电损耗的铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷。本发明的方法预烧温度低，通过配方与工艺的优化烧结出铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅弛豫铁电陶瓷，准静态d33测试仪测量压电常数达760pC/N的同时，介电损耗低于0.5
一种超低介电损耗铌锰酸铅铌镍酸铅锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种铁钛酸铋-石墨相氮化碳复合光催化剂、制备方法及抗生素的降解方法-CN201811405748.4在审
发明人：王继全;张高科;秦茜;周婕;姚成鹏;袁念念;邵婷;黄鹏;黄莹;蔡国沛 -专利权人：湖北省工程咨询股份有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁钛酸铋‑石墨相氮化碳复合光催化剂、制备方法及抗生素的降解方法，其制备方法包括以下步骤：步骤1：制备铁钛酸铋纳米片；步骤2：将所述铁钛酸铋纳米片放入到无水乙醇中并混合均匀，之后加入石墨相氮化碳并进行超声波处理，以得到产物；步骤3：将所述产物洗涤、干燥后，即得到铁钛酸铋‑石墨相氮化碳复合光催化剂。本发明通过水热‑超声复合的方法制备铁钛酸铋‑石墨相氮化碳复合光催化剂，制备过程简单；同时以石墨相氮化碳修饰层状铁电材料铁钛酸铋来制备异质结光催化剂，利用异质结光催化剂的界面电荷分离效应，使得制备的铁钛酸铋
酸铋铁钛氮化碳石墨相制备复合光催化剂异质结光催化剂纳米片降解抗生素超声波处理光催化降解抗生素活性可见光超声复合分离效应界面电荷无水乙醇制备过程层状铁电材料放入水热修饰洗涤

[发明专利]水声换能器阵-CN202310118636.5在审
发明人：石花朵;李欣;马红月 -专利权人：北京越音速科技有限公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G10K9/125 文献下载
摘要：该水声换能器阵包括结构件和设置在结构件上的若干个阵元；多个阵元按照预设形状间隔设置并形成阵列；每个阵元包括沿结构件的厚度方向依次固定连接的弛豫铁电单晶、绝缘块、后质量块、正极引出线和负极引出线；或者，每个阵元包括沿结构件的厚度方向依次固定连接的匹配块、弛豫铁电单晶、绝缘块、后质量块、正极引出线和负极引出线；后质量块被配置为实现弛豫铁电单晶能量大部分向前发射，阻止声音的后向传输，并减少弛豫铁电单晶的用量。
水声换能器阵

[实用新型]水声换能器阵-CN202320206671.8有效
发明人：石花朵;李欣;马红月 -专利权人：北京越音速科技有限公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G10K9/125 文献下载
摘要：该水声换能器阵包括结构件和设置在结构件上的若干个阵元；多个阵元按照预设形状间隔设置并形成阵列；每个阵元包括沿结构件的厚度方向依次固定连接的弛豫铁电单晶、绝缘块、后质量块、正极引出线和负极引出线；或者，每个阵元包括沿结构件的厚度方向依次固定连接的匹配块、弛豫铁电单晶、绝缘块、后质量块、正极引出线和负极引出线；后质量块被配置为实现弛豫铁电单晶能量大部分向前发射，阻止声音的后向传输，并减少弛豫铁电单晶的用量。
水声换能器阵

[发明专利]钛酸铋钠－钛酸钡铁电单晶的制备方法-CN200710046740.9有效
发明人：葛文伟;罗豪甦;刘洪;赵祥永;林迪;李晓兵;徐海清;潘晓明 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2007-09-30 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：钛酸铋钠－钛酸钡铁电单晶的制备方法，属于晶体生长领域。本发明提供的制备方法，包括原料处理、升温熔化、生长和降温一系列单晶生长过程。使用本发明提供的技术可以生长直径大于40mm，长度大于10mm的钛酸铋钠－钛酸钡铁电(NBBT)单晶，其压电常数d₃₃达到280pC/N，机电耦合系数k_t达到
钛酸铋钠钛酸钡铁电单晶制备方法

[发明专利]一种具有高电致伸缩系数的钛酸铋钠基无铅陶瓷及其制备方法-CN201210240525.3无效
发明人：王飞飞;石旺舟;徐敏;金成超;姚其容 -专利权人：上海师范大学
申请日： 2012-07-12 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：一种具有高电致伸缩系数的钛酸铋钠基无铅陶瓷，所述的钛酸铋钠基无铅体系的组成成分为(0.935-x)Bi0.5Na0.5TiO3-0.065BaTiO3-xSrTiO3，其中0.26≤x≤0.34。对烧制电极的陶瓷片测试其XRD、电滞回线和场致应变。这种环境友好的高电致伸缩系数材料应用于位移控制领域。本发明的效果在于：与当前的电致伸缩体系相比，本发明具有环境友好、制备简单、高电致伸缩响应等优点。
一种具有高电致伸缩系数钛酸铋钠基无铅陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种基于弛豫铁电材料磁电传感器的前端放大器电路-CN201010004938.2无效
发明人：丁俊民;陈帅;景为平;顾勇;鲁华祥;李言谨 -专利权人：南通大学
申请日： 2010-01-20 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H03F3/42 文献下载
摘要：一种弛豫铁电材料磁电传感器的高CMRR前端放大器单元电路模块，实现对磁电信号的放大，对50Hz工频干扰的抑制，其特征是：将弛豫铁电材料磁电传感器的输出电压信号通过前端放大器实现初步放大，并利用该前端放大器的高本发明的电路模块集成在一集成电路芯片上，和探测器连接后，可有效读出弛豫铁电探测器的信号。
一种基于弛豫铁电材料磁电传感器前端放大器电路

[发明专利]一种钛酸铋钠基高储能密度无铅介电陶瓷及其制备方法-CN202211130638.8在审
发明人：刘广奥;周聪;冯海鹏;云飞虎 -专利权人：安徽工程大学
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开一种钛酸铋钠基高储能密度无铅介电陶瓷及其制备方法，化学式为(1‑x‑y)Bi0.5Na0.5TiO3，居里温度处于200℃左右，具有较高的弛豫特征。
一种钛酸铋钠基高储能密度无铅介电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种镧系稀土离子掺杂钛酸铋/尖晶石铁氧体铁电铁磁复合薄膜及其制备方法-CN200710034857.5无效
发明人：钟向丽;廖敏;王金斌;周益春 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2007-04-29 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H01F10/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种镧系稀土离子掺杂钛酸铋/尖晶石铁氧体无铅铁电铁磁复合薄膜及其制备方法。先配制镧系稀土离子掺杂钛酸铋铁电体溶液，放置3～7天，再配制尖晶石铁氧体铁磁溶液，然后以乙酰丙酮作稳定剂，将镧系稀土离子掺杂钛酸铋铁电溶液与铁氧体铁磁溶液混合，经搅拌后得到镧系稀土离子掺杂钛酸铋和铁氧体的均匀混合溶液；过滤，用甩胶旋涂的工艺将其均匀地涂敷在衬底上得到湿膜，然后在氧气气氛下烘烤、热解、退火处理，得到单层多晶镧系稀土离子掺杂钛酸铋/尖晶石铁氧体铁电铁磁复合薄膜；重复进行甩胶旋涂、烘烤、热解、退火，直到获得所需厚度的薄膜该工艺方法简单易行，制备的薄膜化学均匀性好，铁电相与铁磁相之间可以达到分子级别甚至原子级别的均匀复合，保持更好的微观接触，从而使铁电相与铁磁相之间的乘积效应和交叉耦合效应能充分发挥出来。
一种稀土离子掺杂钛酸铋尖晶石铁氧体铁电铁磁复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种高储能特性的钛酸铋钠基复合陶瓷及其制备方法和应用-CN202211041725.6有效
发明人：王根水;邓韬;刘振 -专利权人：国科大杭州高等研究院;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及一种高储能特性的钛酸铋钠基复合陶瓷及其制备方法和应用。所述钛酸铋钠基复合陶瓷的组成为：（1‑x）Bi0.5Na0.5TiO3‑0.5xSm
一种高储能特性钛酸铋钠基复合陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种采用弛豫铁电单晶的声光偏转器及其制备方法-CN202211245902.2有效
发明人：王威;王文 -专利权人：光奥科技（武汉）有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： G02F1/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用弛豫铁电单晶的声光偏转器及其制备方法。所述声光偏转器依次包含有声光介质、第一底电极、键合层、第二底电极、换能器、顶电极、阻抗匹配电路、射频连接器，所述换能器的材料包括铌镁酸铅‑钛酸铅，化学组成(1‑x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑xPbTiO3，或铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅，其化学组成为xPb(In1/2Nb1/2)O3<本发明中的新型弛豫铁电单晶具有超高的剪切模式压电性能，远高于目前行业普遍使用的铌酸锂晶体，在相同结构设计下，可以在晶体内部产生功率密度更高的剪切超声波，从而大幅提高声光偏转器的衍射效率，同时也可以大幅降低射频驱动电源的功率
一种采用弛豫铁电单晶声光偏转及其制备方法

[发明专利]一种由A位离子空位诱导的钛酸铋钠基自收张制冷钙钛矿陶瓷材料及制备方法-CN202110941148.5有效
发明人：沈波;李国辉;翟继卫 -专利权人：同济大学
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明属于电子功能材料与器件技术领域，具体涉及一种由A位离子空位诱导的钛酸铋钠基自收张制冷钙钛矿陶瓷材料及制备方法，其化学通式为(Bi0.5+x/3Na钛酸铋钠基自收张制冷钙钛矿陶瓷材料，在6kV mm‑1电场下，具有较高的电卡效应和电致应变效应的协同响应，电致应变效应可以通过改变自身应变，来传递电卡循环过程热量到另一位置，在自收张制冷器件应用方面具有很大的应用前景。
一种离子空位诱导钛酸铋钠基制冷钙钛矿陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种具有优异磁性能的铁酸铋-钛酸钙-钛酸铋钠三元体系固溶体陶瓷及其制备方法-CN202210410836.3有效
发明人：刘娟;项利林;崔冰;郭祥泰;余子龙;徐东 -专利权人：安徽工业大学
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明涉及多铁材料技术领域，具体涉及一种具有优异磁性能的铁酸铋‑钛酸钙‑钛酸铋钠三元体系固溶体陶瓷及其制备方法，本发明采用标准固相反应烧结法，其过程包括按照正确的化学计量比称重、配料、一次球磨、烘干、过筛，在880‑900℃进行试预烧，试预烧过后的粉末然后再进行二次球磨、烘干、过筛，压片，得到BiFeO3基陶瓷生坯，最后在950℃的高温烧结成瓷。
一种具有优异磁性铁酸铋钛酸钙钛酸铋钠三元体系固溶体陶瓷及其制备方法