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[发明专利]一种钛同源半导体异质结光阳极及其制备方法-CN202211072728.6在审
发明人：汪毅;马明;李蒋;崔传艺;宁德;李伟民 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛同源半导体异质结光阳极及其制备方法，所述钛同源半导体异质结光阳极包括导电基底以及生长在导电基底上的二氧化钛纳米棒阵列，所述二氧化钛纳米棒阵列上修饰有非金属掺杂相的二氧化钛纳米片，形成钛同源异质结，所述制备方法包括：在导电基底上生长二氧化钛纳米棒阵列；将二氧化钛纳米棒阵列高温退火处理；用非金属掺杂相的二氧化钛纳米片悬浊液对得到的二氧化钛纳米棒阵列进行表面修饰，使二氧化钛纳米棒阵列形成钛同源异质结，得到基于二氧化钛的纳米异质结；将基于二氧化钛的纳米异质结高温退火，获得钛同源半导体异质结光阳极。本发明提供的制备方法，通过构建异质结，解决了二氧化钛光阳极水分解能力低的问题。
一种同源半导体异质结光阳极及其制备方法

[发明专利]铁电半导体/铁磁单晶薄膜异质结及制备方法和应用-CN202210100485.6在审
发明人：任召辉;陈嘉璐;林宸;田鹤;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了铁电半导体/铁磁单晶薄膜异质结及制备方法和应用。该异质结是以生长有单晶镧锶锰氧的钛酸锶单晶基板作为基底，并在镧锶锰氧层外延生长钛酸铅单晶薄膜而形成的钛酸铅/镧锶锰氧单晶薄膜异质结。该异质结具有金属‑绝缘体转变。该异质结中，外延钛酸铅单晶薄膜的表面平整，外延钛酸铅单晶薄膜的内部晶格排列整齐，钛酸铅/镧锶锰氧异质结界面呈原子级平整。本发明异质结通过水热方法制备得到，其具有优异的光伏性能，且在光照条件下电阻受磁场影响显著，可用作无源光电探测器或光控磁电探测设备。本发明异质结在铁电半导体存储器、磁电存储和电光开关等领域也具有广泛的潜在应用前景。
半导体铁磁单晶薄膜异质结制备方法应用

[发明专利]一种红磷/钛酸锶异质结光催化剂及制备方法及应用-CN202210370642.5有效
发明人：田蒙奎;蒋晓欢 -专利权人：贵州大学
申请日： 2022-04-10 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： B01J27/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种红磷/钛酸锶异质结光催化剂及制备方法及应用。所述红磷/钛酸锶异质结光催化剂采用红磷和钛酸锶制备，具体是红磷均匀附着在钛酸锶的(110)及(100)晶面上，形成红磷/钛酸锶异质结结构。本发明具有制备方法工艺简单，制备时间短，条件温和，成本低廉，可实现规模性生产，且本发明制备的红磷/钛酸锶异质结光催化剂通过形成异质结结构的方式增强了光生载流子的分离和传输效率，光谱响应拓宽至425nm‑780nm，红磷/钛酸锶异质结光催化剂的光催化水解产氢活性有了大幅度提高，循环稳定性好，异质结的形成，克服了红磷光生电子和光生空穴复合快的缺点，拓宽了钛酸锶的可见光响应范围，提高了光催化活性的有益效果。
一种红磷钛酸锶异质结光催化剂制备方法应用

[发明专利]基于二氧化钛/钛酸锶异质结的紫外光探测器及制备方法-CN201610490292.0在审
发明人：兰建龙 -专利权人：兰建龙
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了基于二氧化钛/钛酸锶异质结的紫外光探测器，紫外光探测器从下到上依次包括超薄硅片衬底、采用溶胶凝胶法在硅片衬底上生长的纳米SrTiO₃薄膜与纳米ZnO薄膜构成的ZnO/SrTiO₃异质结有源层、在ZnO/SrTiO₃异质结有源层上用磁控溅射法制备的Au叉指电极；待探测的紫外光从金属叉指电极的上方入射。相应地，本发明还提供了基于二氧化钛/钛酸锶异质结的紫外光探测器的制备方法。本发明制备的ZnO/SrTiO₃异质结金属‑半导体‑金属紫外光探测器具有制备方法简单，成本低廉，有望大规模生产的特点，对波长250nm‑350nm的紫外线具有良好的检测性能。
基于氧化钛酸锶异质结紫外光探测器制备方法

[发明专利]基于氮化钛/碳化钛异质结的复合结构光纤及其制备方法-CN202310852140.0在审
发明人：王可;刘启东;王振洪;吉建华;曾庆东;宋宇锋 -专利权人：深圳大学
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于氮化钛/碳化钛异质结的复合结构光纤及其制备方法，基于氮化钛/碳化钛异质结的复合结构光纤包括D形光纤，所述D形光纤设有切削区域，氮化钛/碳化钛异质结材料生长在D形光纤的切削区域表面。采用本发明的技术方案，将新型的氮化钛/碳化钛异质结材料生长沉积在D形光纤表面，得到的氮化钛/碳化钛异质结D形光纤复合结构，该结构体积小巧且具有强大的光学非线性效应，有利于器件的集成化。采用D形光纤复合结构的全光克尔开关，具有抗电磁干扰、电绝缘、高品质因子、窄带宽、灵敏度高、体积小、质量轻、且适应性强、应用范围广泛、可靠性高等优点。
基于氮化碳化钛异质结复合结构光纤及其制备方法

[发明专利]一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池及其制备方法-CN201811222301.3在审
发明人：杨少飞;唐泽国 -专利权人：君泰创新(北京)科技有限公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池及其制备方法，具体的，钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池包括钙钛矿电池、硅基异质结电池以及所述钙钛矿电池和所述硅基异质结电池之间的隧穿结，所述钙钛矿电池层上设置有正极，所述硅基异质结电池层下设置有负极，所述钙钛矿电池为光照入射方向。本发明的叠层太阳能电池正极靠近光的入射处，有效减小空穴移动到太阳能电池正极的距离，进而提高叠层太阳能电池的载流子收集效率、提高太阳能电池的性能。
一种钙钛矿硅基异质结叠层太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池-CN201821699412.9有效
发明人：杨少飞;唐泽国 -专利权人：君泰创新(北京)科技有限公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池，具体的，钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池包括钙钛矿电池、硅基异质结电池以及所述钙钛矿电池和所述硅基异质结电池之间的隧穿结，所述钙钛矿电池层上设置有正极，所述硅基异质结电池层下设置有负极，所述钙钛矿电池为光照入射方向。本实用新型的叠层太阳能电池正极靠近光的入射处，有效减小空穴移动到太阳能电池正极的距离，进而提高叠层太阳能电池的载流子收集效率、提高太阳能电池的性能。
钙钛矿硅基异质结叠层太阳能电池电池正极本实用新型电池层太阳能电池正极载流子收集效率太阳能电池负极空穴移动入射方向隧穿结减小入射光照

[发明专利]一种二氧化钛异质结光阳极的制备方法及其应用-CN201310012822.7有效
发明人：赵国华;田弘毅;曹同成;张亚男 -专利权人：同济大学
申请日： 2013-01-14 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： C03C17/23 文献下载
摘要：本发明涉及一种二氧化钛异质结光阳极的制备方法及其应用，该方法包括以下步骤：(1)对掺氟二氧化锡导电玻璃去除表面油脂粉尘；(2)将经步骤(1)处理的掺氟二氧化锡导电玻璃加入水热溶液中进行水热处理，得到金红石相二氧化钛纳米棒；(3)将金红石相二氧化钛纳米棒加入溶剂热溶液中进行溶剂热处理，然后用无水乙醇冲洗，晾干，并退火热处理后，得到二氧化钛异质结光阳极；以二氧化钛异质结光阳极作为光阳极，采用三电极体系，利用模拟太阳光氧化降解有机废水与现有技术相比，本发明制得的二氧化钛异质结光阳极为纳米阵列，具有高度分布的异质结构、较高的比表面积、较大的活性晶面暴露、较强的太阳光光电催化活性。
一种氧化钛异质结光阳极制备方法及其应用

[发明专利]一种大面积双异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202211407852.3在审
发明人：张昊 -专利权人：张昊
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H10K30/57 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积双异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池包括透明玻璃衬底、ITO层、电子传输层、双异质结钙钛矿层、空穴传输层以及金属电极层。其制造成本较钙钛矿/晶硅叠层电池及全钙钛矿叠层电池更低，寄生效应更少，光损失更低。双异质结钙钛矿层由三层带隙可调的Sn、Pb基钙钛矿结构组成，双异质结的钙钛矿层，吸收光谱更宽，更加容易与电子传输层和空穴传输层的能级匹配，同时光损失更低，转换效率更高，双异质结钙钛矿层由于能带重叠的区域多同时对于钙钛矿层，保护层材料为2‑莰酮含有醛基，起到钝化表面缺陷的作用，能够提高双异质结钙钛矿层质量，提升转换效率。
一种大面积双异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种基于有机体异质结的钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN201911393064.1在审
发明人：于军胜;吴梦鸽;潘博闻;李嘉文 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于有机体异质结的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述的太阳能电池包括依次设置的衬底、阳极、空穴传输层、钙钛矿光活性层、电子传输层以及阴极，所述的阳极与阴极之间通过外加电源连接；所述的钙钛矿活性层采用有机体异质结溶液作为反溶剂本方案通过将有机体异质结作为钙钛矿反溶剂引入钙钛矿活性层中，能提高钙钛矿在可见光范围的光吸收、同时有效拓宽其在近红外波段的吸收，进而提高器件的光生电流，同时，有机体异质结还能够填充在钙钛矿晶界处，减小钙钛矿层的缺陷态密度
一种基于有机体异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]基于二维材料/钙钛矿异质结的光电探测器-CN201811603343.1在审
发明人：常晶晶;黄相平;林珍华;苏杰;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维材料/钙钛矿异质结的光电探测器，采用的异质结由二维材料和钙钛矿组成，二维材料和宽禁带半导体优异的光学和电学性质的结合，改善了传统钙钛矿光电探测器高的暗电流，同时提升了光电探测器在近红外波段的光探测本发明制备的二维材料/钙钛矿异质结的光电探测器对近红外波段的光信号有高的探测率和响应度，同时弱光下光探测能力强。
光电探测器二维材料钙钛矿异质结近红外波段光探测光学和电学性质宽禁带半导体暗电流能力强探测率响应度弱光制备

[实用新型]一种叠层电池-CN202022283560.6有效
发明人：刘祖辉;陈龙;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯光伏技术有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种叠层电池，所述叠层电池包括层叠设置的钙钛矿电池和硅异质结电池；所述钙钛矿电池表面设置有至少一条第一主栅线电极；所述硅异质结电池表面设置有至少一条第二主栅线电极。本实用新型提供的钙钛矿/硅异质结叠层电池，可以通过调节第一主栅线电极和第二主栅线电极的比例来调整正面和背面的进光比例，从而实现对于钙钛矿电池和硅异质结电池中电流的调控，是一种更加高效的太阳能电池。
一种电池

[发明专利]GeSn/钙钛矿异质结宽光谱探测器及其制作方法-CN202011541977.6在审
发明人：万丰硕;薛春来;徐国印;刘智;郑军;左玉华;成步文 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：一种GeSn/钙钛矿异质结宽光谱探测器及其制作方法，该GeSn/钙钛矿异质结宽光谱探测器包括：衬底；GeSn层，形成于所述底的一表面；钙钛矿层，形成于所述GeSn上；下电极，形成于所述衬底的另一表面；上电极，形成于所述钙钛矿层上。本发明还提供了该GeSn/钙钛矿异质结宽光谱探测器的制作方法。本发明所提供的GeSn/钙钛矿异质结宽光谱探测器的吸收波长可覆盖从紫外光到中红外范围，成本低廉、可大批量生产，在遥感、光通信、成像、气体检测、夜视、生物医学等领域有着重要应用前景。
gesn 钙钛矿异质结宽光谱探测器及其制作方法

[发明专利]基于光子晶体异质结的反式三维钙钛矿太阳能电池-CN202110057340.8在审
发明人：蒋青松;杨潇;张宇林;季仁东 -专利权人：淮阴工学院
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种基于光子晶体异质结的反式三维钙钛矿太阳能电池，包括透明导电衬底和依次层叠于该透明导电衬底上的空穴传输层、基于二氧化硅‑二氧化钛光子晶体异质结的三维钙钛矿吸光层、空穴阻挡层和金属电极与现有技术相比，本发明中基于光子晶体异质结的反式三维钙钛矿太阳能电池的慢光效应较强，对入射光的捕获效率较高，载流子的输运效率较高。
基于光子晶体异质结反式三维钙钛矿太阳能电池

[发明专利]基于光子晶体异质结的反式低维钙钛矿太阳能电池-CN202110056708.9在审
发明人：蒋青松;杨潇;张宇林;季仁东 -专利权人：淮阴工学院
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种基于光子晶体异质结的反式低维钙钛矿太阳能电池，包括透明导电衬底和依次层叠于该透明导电衬底上的空穴传输层、基于二氧化硅‑二氧化钛光子晶体异质结的低维钙钛矿吸光层、空穴阻挡层和金属电极与现有技术相比，本发明中基于光子晶体异质结的反式低维钙钛矿太阳能电池的慢光效应较强，对入射光的捕获效率较高，载流子的输运效率较高，稳定性好。
基于光子晶体异质结反式低维钙钛矿太阳能电池

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