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[发明专利]测试结构及测试方法-CN202211650830.X在审
发明人：王帆;方明海;刘棋;吴龙;陈畅;张骏 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供了一种测试结构及测试方法，所述测试结构包括：衬底；器件结构，形成于衬底上；第一金属互连线、第二金属互连线和第一焊盘，第一金属互连线与器件结构电连接，所述第二金属互连线与所述第一焊盘电连接，第一金属互连线与第二金属互连线之间断开；电迁移金属线，电迁移金属线位于第一金属互连线与第二金属互连线之间，以使得电迁移金属线在发生电迁移时，电迁移金属线分别与第一金属互连线和第二金属互连线电连接。
测试结构方法

[发明专利]形成金属互连的方法-CN201510847989.4在审
发明人：彭兆贤;吕志伟;李明翰;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及形成金属互连的方法。具体而言，本发明揭示一种制造半导体装置的方法。所述方法包含在衬底上方形成介电层，在所述介电层中形成渠道，在所述渠道中形成第一阻障层。
形成金属互连方法

[发明专利]金属互连、装置、以及方法-CN201780093609.X在审
发明人： D.齐拉思;S.穆赫吉;J.法默;C.甘普尔;J.林 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本文提供的是金属互连，其可以包括钴合金、镍合金、或镍。本文还提供的是制作金属互连的方法。金属互连可以包括阻挡和/或粘附层、籽晶层、填充材料、帽、或其组合，并且阻挡和/或粘附层、籽晶层、填充材料、或帽中的至少一个可以包括钴合金、镍合金、镍、或其组合。
金属互连装置以及方法

[发明专利]形成金属互连的方法-CN202110558603.3在审
发明人：彭兆贤;吕志伟;李明翰;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及形成金属互连的方法。具体而言，本发明揭示一种制造半导体装置的方法。所述方法包含在衬底上方形成介电层，在所述介电层中形成渠道，在所述渠道中形成第一阻障层。
形成金属互连方法

[发明专利]形成金属互连的方法-CN201510057248.6有效
发明人：刘继全;徐建华;荆学珍 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-02-04 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成金属互连的方法，在原子层沉积前，首先利用预清洁步骤，将接触孔底部暴露的金属铜表面的氧化铜去除，然后通过预处理步骤，使接触孔底部暴露的金属铜表面悬挂氢键，由于氮化钽在悬挂氢键的金属铜表面成核困难
形成金属互连方法

[发明专利]金属互连线填充方法-CN201910818279.7有效
发明人：鲍宇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属互连线填充方法，包括：提供衬底，在衬底上形成第一介质层和第二介质层；刻蚀第一介质层和所述第二介质层形成第一凹槽，剩余的第一介质层和剩余的第二介质层之间形成底切；形成牺牲层覆盖剩余的第二介质层表面和所述第一凹槽上部分的内侧壁；分别形成阻挡层和籽晶层覆盖所述牺牲层和第一凹槽的下部分内侧壁及底面，并且形成第二凹槽；向第二凹槽填充金属材料形成金属层，然后研磨去除第二介质层、部分第一介质层、牺牲层、部分阻挡层、部分金属层和部分籽晶层形成金属互连线结构在沉积阻挡层和籽晶层之前，形成一层牺牲层覆盖凹槽的上部分，可以使得后续形成的籽晶层也是平滑的，最终增加形成互连线结构的连接效果。
金属互连填充方法

[发明专利]形成金属互连的方法-CN201010102401.X无效
发明人：刘盛 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-01-27 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提出了一种形成半导体器件的金属互连的方法，所述方法包括如下步骤：在前端器件层上沉积层间介电层，在所述层间介电层上形成金属互连层；对所述金属互连层进行化学机械研磨；对所述金属互连层进行退火。根据本发明的工艺能够有效减少金属互连中的空洞，提高工艺生产的良品率。
形成金属互连方法

[发明专利]形成金属互连的方法-CN201010102434.4无效
发明人：南基旭 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-01-27 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成金属互连的方法，所述方法包括：在前端器件层上依次形成层间介电层、第一阻挡层、金属层和第二阻挡层；对所述第二阻挡层、所述金属层和所述第一阻挡层进行刻蚀，以露出所述金属层的侧壁；对所述金属层进行冷凝处理和光照射处理根据本发明的方法，能够有效解决由于对铝金属进行刻蚀而引入的氯对金属互连结构的腐蚀问题，避免了因腐蚀而导致的断线现象的发生，从而保证了金属互连的电学性能。
形成金属互连方法

[发明专利]金属互连线电容结构-CN201310264720.4无效
发明人：赵芳芳;王伟;陈展飞 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提出一种金属互连线电容结构，所述金属互连线电容结构由多个电容单元组成，若需要形成电容值不同的金属互连线电容，则只需要更改电容单元的数量即可；由于电容单元规格统一，形成工艺一致，从而能够避免形成长度不同或宽度不同的金属线
金属互连电容结构

[发明专利]形成金属互连的方法-CN98125263.X无效
发明人：朴仁善;金晟泰;李斗焕;许元九 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1998-12-11 - 公布日： 2003-08-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成金属互连的方法。在半导体衬底上形成第一导电层，其上再形成绝缘层。腐蚀部分绝缘层直到露出第一导电层的上表面，形成接触孔。至少在接触孔的底部形成阻挡层。进行第一热处理使阻挡层致密。该方法可以防止第一和第二导电层反应导致的产生合金、体积收缩和界面空隙，从而防止金属互连中电阻增加。
形成金属互连方法

[发明专利]金属互连的制造方法-CN200710161970.X无效
发明人：高一辰 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2007-09-27 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种金属互连的制造方法。先在基底上形成具有开口的介电层，再利用原子层沉积法在介电层上形成阻障层。接着依序以化学及物理气相沉积法于基底上形成铝及铝铜合金等两层金属层，再利用热回流工艺使铝铜合金金属层填满开口。而后，一方面可利用光刻蚀刻工艺图案化金属层及阻障层，以同时形成插塞与导线。另一方面，也可直接以化学机械研磨法等方法直接移除开口外的金属层和阻障层，以形成插塞。此方法简化金属互连的工艺且适用于深宽比较高的开口的互连。
金属互连制造方法

[发明专利]石墨烯和金属互连-CN201380065932.8有效
发明人：鲍军静;G·伯尼拉;R·G·菲利皮;N·E·拉斯汀;A·H·希门;S·S·乔伊 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：石墨烯和金属互连结构及其制造方法。使用石墨烯催化剂来生长多层石墨烯结构。所述石墨烯形成两个或多个通孔(16、36)或元件20或通孔和元件的组合之间的电连接30。通孔包括填充金属，其中填充金属36的至少一部分被势垒金属38包裹。所述元件可以是绕线轨迹、时钟信号源、电源、电磁信号源、接地端子、晶体管、微单元及其组合。
石墨金属互连

[发明专利]形成金属互连的方法-CN99809922.8无效
发明人：丹·美旦;阿首克·K·辛哈;徐政;陈良毓;罗德里克·C·莫瑟里;丹尼尔·卡尔;戴安娜·马晓冰;叶炎;涂文强 -专利权人：应用材料有限公司
申请日： 1999-06-23 - 公布日： 2002-07-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供形成可靠的互连的方法,其中线在插头或通路上的重叠最小化或被消除。在一方面,在通路上淀积包含诸如钨的导电材料的阻挡层插头,在线蚀刻过程中提供蚀刻停止物,并且如果线在通路上不对齐就可防止诸如铜的金属扩散进周围的电介质材料。另外,阻挡层插头防止互连电阻的整体减小,并能用反应离子蚀刻形成金属线。在另一方面,反应离子蚀刻技术用于有选择性地蚀刻金属线和阻挡层,以提供可控制的蚀刻工艺,该工艺对金属线、以及随后对阻挡层、对通路或插头表现出选择性。
形成金属互连方法

[发明专利]版图、像素单元结构及其制备方法-CN201410852193.3有效
发明人：顾学强;周伟;范春晖 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种版图、像素单元结构及其制备方法，包括光电二极管阵列和用于光电二极管之间互连的互连层，互连层包括第一金属互连线和位于第一金属互连线间的第一介质层，以及位于其上方的第二金属互连线和位于第二金属互连线间的第二介质层，第一金属互连线包括用作信号输出线的横向互连线，以及用作传输控制线、复位控制线或行选控制线的纵向互连线；纵向互连线由与横向金属互连线在同一高度上的纵向金属互连线、和与纵向金属互连线通过接触孔连接的多晶跳线构成；表面覆盖有金属硅化物层的多晶跳线位于纵向互连线与横向互连线相交的区域下方；第二金属互连线用作电源线，其将光电二极管之间的区域覆盖，将用于光电二极管区域暴露出来。
版图像素单元结构及其制备方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201510456364.5有效
发明人：张冠群;何朋;蒋剑勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：所述方法包括：提供基底；在所述基底上形成钨层；在所述钨层表面形成金属互连层；刻蚀所述钨层和金属互连层，形成至少一个金属互连线；在所述金属互连线和所述基底上覆盖第二绝缘层；在所述第二绝缘层内形成第二金属互连结构，所述第二金属互连结构位于所述金属互连线上方。先形成一层较薄的钨层再形成金属互连层，构成金属互连线；所述钨层作为所述金属互连线的一部分材料，当器件导通时，所述钨层起到了电流分流作用，可以改善金属迁移失效现象。
半导体结构及其制造方法