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[发明专利]量子点发光场效应晶体管、其制备方法及显示面板-CN202011483712.5在审
发明人：庞超;龚政;胡诗犇;陈志涛;郭婵;王建太;刘久澄;潘章旭;龚岩芬 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种量子点发光场效应晶体管、其制备方法及显示面板，属于光电技术领域，量子点发光场效应晶体管包括量子点发光层，量子点发光层的材料包括CuInS2量子点发光场效应晶体管的制备方法用于制备上述的量子点发光场效应晶体管。显示面板包括上述的量子点发光场效应晶体管。本发明实施例提供的量子点发光场效应晶体管的量子点发光层采用由ZnS包覆CuInS2形成的核壳结构，其不含镉、铅等对环境影响特别大的元素，因此绿色环保，可以实现大规模的应用相应地，采用该量子点发光场效应晶体管作为发光源的显示面板也具有绿色环保，利于实现大规模应用的特点。
量子发光场效应晶体管制备方法显示面板

[发明专利]量子计算机相位跟踪和校正-CN202011395617.X在审
发明人：詹姆斯·A·沃克;多米尼克·卢凯蒂;布莱斯·J·比约克;卡洛琳·菲格特;帕特丽夏·李;杰拉尔德·钱伯斯;本杰明·阿金 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：本发明涉及量子系统的控制器，该控制器识别量子系统的量子对象的相位更新触发和交互时间。响应于识别出相位更新触发，控制器在第一时间和交互时间之间确定(a)基于量子对象的位置和在其上执行的传输操作对量子对象的相位的位置/传输效应，以及(b)基于施加到量子对象的任何量子操作对量子对象的相位的量子操作效应在第一时间发生量子对象的紧接先前相位更新。由控制器基于位置/传输效应、量子操作效应和交互时间来确定量子对象的交互时间相位。
量子计算机相位跟踪校正

[发明专利]一种基于量子裁剪效应的太阳能聚光板-CN201811331488.0有效
发明人：吴凯丰;罗消;丁韬;刘雪 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： C03C17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于量子裁剪效应的太阳能聚光板。该太阳能聚光板主要由具有量子裁剪效应的量子点作为光吸收和发射材料，聚合物作为光波导介质。利用量子点较大的消光系数高效吸光，并通过其量子裁剪效应实现较大的光谱斯托克斯位移有效减小自吸收损失，同时实现倍增的荧光量子效率，最终通过聚合物光波导到侧面的太阳能电池实现光电转换。所述的量子点具有高效的量子裁剪效应。作为优选方案，聚合物选用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，量子点选用稀土金属镱(Yb)掺杂的氯化铯铅钙钛矿量子点(Yb‑CsPbCl3)，最终获得高达118％的内部量子效率
一种基于量子裁剪效应太阳能聚光

[发明专利]一种基于双耦合量子点的近似二能级量子系统-CN201611161440.0有效
发明人：郭世方 -专利权人：中国空间技术研究院
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：一种基于双耦合量子点的近似二能级量子系统，由两个相距确定距离、相等半径的准二维圆盘形量子点相互耦合形成。本发明所述的量子点由半导体材料制成，量子尺寸效应使量子点的能态呈分立结构，双量子点间的耦合效应使两个原基态劈裂为二能级，其他能级耦合效应远小于该二能级间的耦合效应。本发明具有固态、体积小、结构简单、可调谐和较大耦合系数等优点，可应用于设计各种基于二能级结构的太赫兹波源、单光子源等量子光学元器件。
一种基于耦合量子近似能级系统

[发明专利]量子点传感器读出-CN201680017555.4有效
发明人： M·沃蒂莱宁;S·卡利奥伊宁 -专利权人：诺基亚技术有限公司
申请日： 2016-03-02 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：一种装置，包括：量子点石墨烯场效应晶体管，其配置成按照入射到其上的光子致使电子空穴对被形成的方式工作；连接器元件，其连接到量子点石墨烯场效应晶体管的背栅；开关元件，其配置成用作输出开关，以便为流过量子点石墨烯场效应晶体管的电流提供输出；其中量子点石墨烯场效应晶体管配置成按照所形成的电子或空穴被捕获在至少一个量子点中并且空穴或电子分别迁移到量子点场效应晶体管的沟道的方式，经由连接到背栅的连接器元件被背栅偏置；以及其中连接到量子点石墨烯场效应晶体管的漏到源电压致使与在量子点处被捕获的空穴或电子的电荷成比例的电流通过电子或空穴在沟道中流动
量子传感器读出

[发明专利]一种降低量子效应光电探测阵列暗电流的微光测试方法-CN201310238933.X有效
发明人：刘晓艳;郭方敏 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2013-06-17 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低量子效应光电探测阵列暗电流的微光测试方法，包括将量子效应光电探测阵列与读出电路对接，利用光电测试平台对量子效应光电探测阵列进行微光测试，其特点是所述量子效应光电探测阵列的输入端接有可变电阻器，通过调节可变电阻器分流和降低量子效应光电探测阵列流向读出电路的暗电流，提高可测的电压阈值，增大光信号的读出范围，更有效的读出量子效应光电探测阵列的微光信号。
一种降低量子效应光电探测阵列电流微光测试方法

[发明专利]一种激光致盲防护镜片的制备方法-CN201810176516.X有效
发明人：郭迎庆;王文新;史玉玲 -专利权人：淄博朗斯光电有限公司
申请日： 2018-03-03 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： B29D11/00 文献下载
摘要：本发明以一种类石墨烯的二维材料二硫化钼纳米片为基体，利用其具有平面内载流子迁移率大、间接带隙小、荧光量子产率高、表面积大和光电化学稳定性好等优点，并在其层间距中合成三元量子点，通过二硫化钼的阻隔作用与量子点协同作用从而获得分散性好、稳定性强且不易变质的非线性光学限幅材料，通过量子效应的表面效应、量子尺寸效应、量子限域效应、宏观量子隧穿效应等，表现出极化率的增加以及吸收系数的增大，具有更大的非线性光学参数，可为激光作业人员提供可靠高效的防护手段
防护镜片激光致盲制备二硫化钼纳米片非线性光学参数功能材料技术量子尺寸效应量子限域效应荧光量子产率载流子迁移率非线性光学三元量子点表面效应二硫化钼二维材料防护手段分散性好光电化学宏观量子激光作业间接带隙量子效应隧穿效应稳定性强吸收系数层间距极化率量子点石墨烯限幅阻隔变质合成表现

[发明专利]量子比特的波形校准方法、装置及量子计算机控制系统-CN202111682619.1在审
发明人：宋垚;方双胜;石汉卿;孔伟成 -专利权人：本源量子计算科技（合肥）股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G06N10/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子比特的波形校准方法、装置及量子计算机控制系统。该波形校准方法用于多个量子比特的磁通调控线路，包括：从多个量子比特中选择一个量子比特作为目标量子比特；测量目标量子比特的磁通调控线路的线路畸变效应参数；选择与目标量子比特的磁通调控线路的结构一致的量子比特作为待校准量子比特；利用线路畸变效应参数校准待校准量子比特的磁通调控线路的待输入电压波形。通过上述方式，本发明由于不需要对每一个量子比特的磁通调控线路的线路畸变效应参数进行测量，从而能够大幅降低波形校准的时间成本，可以大大提高未来的大规模量子计算芯片的测量效率。
量子比特波形校准方法装置计算机控制系统

[实用新型]一种降低量子效应光电探测阵列暗电流的微光测试系统-CN201320345695.8有效
发明人：刘晓艳;郭方敏 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2013-06-17 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种降低量子效应光电探测阵列暗电流的微光测试系统，包括将量子效应光电探测阵列与读出电路对接，读出电路分别与时序控制电路和数据采集系统连接，其特点是所述量子效应光电探测阵列的输入端接有可变电阻器，可变电阻器为分流和降低量子效应光电探测阵列流向读出电路的暗电流，增大读出电路光信号的读出范围，有效读出量子效应光电探测阵列的微光信号。
一种降低量子效应光电探测阵列电流微光测试系统

[发明专利]一种全液态量子隧穿效应器件及其制作方法-CN201710676244.5在审
发明人：刘静;赵曦;汤剑波;刘逸凡 -专利权人：北京梦之墨科技有限公司
申请日： 2017-08-09 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明提出一种全液态量子隧穿效应器件，包括作为电导体的两个以上的液态金属液滴，承载液态金属液滴的容器，用于分隔各液态金属液滴的绝缘或半绝缘液体，以及电极；所述液态金属液滴的尺寸为0.1nm～20cm。本发明还提出全液态量子隧穿效应器件的制备方法。本全液态量子隧穿效应器件改变了现有固体量子隧穿效应器件的既有观念和技术范畴，首次提供了全液态量子隧穿效应器件这种崭新概念的器件，引入了独特的导电性液态金属和作为绝缘或半绝缘体常规液体的两者的变形特性和良好结合性，扩展了传统量子器件的范畴。其本身可以为多种结构的形状自适应组合体，且液态金属种类及溶液浓度可调，因而可体现出更复杂的量子隧穿行为。
一种液态量子效应器件及其制作方法

[发明专利]一种光转化量子点、太阳能聚光器和太阳能聚光装置-CN201611086738.X有效
发明人：王恺;刘皓宸;王丹;陈威;李尚;孙小卫 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明涉及一种光转化量子点，所述光转化量子点具有核壳结构，所述量子点的核心为银铟硒硫量子点，所述壳层为硫化锌层。本发明提供的光转化量子点能够将无光伏效应或光伏效应低的高能光子转化为具有高效光伏效应的低能光子，提高现有太阳能发电系统的光电转化效率，且能够收集光线；有潜力应用于中性色调透明智能窗户，实现光伏建筑一体化
一种转化量子太阳能聚光器聚光装置

[实用新型]一种太阳能聚光器和包含其的太阳能聚光装置-CN201621303851.4有效
发明人：王恺;刘皓宸;王丹;陈威;李尚;孙小卫 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光转化量子点，所述光转化量子点具有核壳结构，所述量子点的核心为银铟硒硫量子点，所述壳层为硫化锌层。本实用新型提供的光转化量子点能够将无光伏效应或光伏效应低的高能光子转化为具有高效光伏效应的低能光子，提高现有太阳能发电系统的光电转化效率，且能够收集光线；有潜力应用于中性色调透明智能窗户，实现光伏建筑一体化
一种太阳能聚光器包含聚光装置

[发明专利]一种量子反常霍尔效应阵列器件的制备方法及系统-CN202310518149.8在审
发明人：王永超;高志廷;连梓臣;李耀鑫;张金松;王亚愚 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10N52/01 文献下载
摘要：本发明提供一种量子反常霍尔效应阵列器件的制备方法及系统，包括：步骤1:基于刻蚀掩模板，对量子反常霍尔薄膜进行刻蚀，以在所述量子反常霍尔薄膜上刻蚀出多个阵列图案，所述多个阵列图案用于在对应区域沉积所述量子反常霍尔薄膜的电极；步骤2：基于至少两个电极掩模板，对准所述步骤1得到的量子反常霍尔薄膜进行镀膜，以在所述多个阵列图案上沉积电极膜，得到所述量子反常霍尔效应阵列器件；其中，不同的所述电极掩模板对应所述多个阵列图案的不同区域旨在提供一种简单易实现的、能够提升器件性能的量子反常霍尔效应阵列器件制备方法。
一种量子反常霍尔效应阵列器件制备方法系统

[发明专利]一种基于量子点膜层导电沟道的场效应管的制备方法-CN201410297058.7有效
发明人：杨尊先;郭太良;胡海龙;徐胜;吕军 -专利权人：福州大学
申请日： 2014-06-28 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于量子点膜层导电沟道的场效应管的制备方法，利用先进的量子点组装技术，在硅/二氧化硅衬底上，组装出单层CdSe量子点阵列膜层作为场效应管的导电沟道，随后通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术在单层CdSe量子点阵列膜层及其衬底硅上分别形成Cr/Au复合金属电极，引出相应的源极、漏极和栅极，随后，通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的基于量子点膜层导电沟道的场效应管。本发明制备方法新，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，所制备的晶体管具有特殊量子点阵列膜层导电沟道，可充分利用量子点阵列膜层的量子尺寸效应，从而有效提高了晶体管的灵敏度，因此，在新型光电器件中将具有非常重要的应用价值
一种基于量子点膜层导电沟道场效应制备方法

[发明专利]一种利用量子纠缠效应进行勘察的方法-CN202310039562.6在审
发明人：李海峰;彭扬东;陈森;邢立新;马启震;黄久岭;桂树强 -专利权人：中冶武勘工程技术有限公司
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G01V8/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用量子纠缠效应进行勘察的方法。所述方法利用量子纠缠效应获取若干对纠缠量子，通过偏振分束器将已纠缠的量子分为两部分，一部分通过发射装置与反射控制装置射入地下，而另一部分则进入纠缠量子接收装置，射入地下的量子与各金属矿物会相互作用，通过纠缠量子接收装置改变纠缠态量子的旋转方向，根据量子纠缠效应，改变地上量子的旋转方向后，地下纠缠态的量子在探测到地下大量同类量子信息后，旋转方向会发生特定变化，通过分析仪将变化后与发射装置发出时的状态信息对比的变化量进行分析和数据对比得到地下某深度的矿物或岩土含量及种类
一种利用量子纠缠效应进行勘察方法

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