专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种离子微孔滤膜的辐照方法-CN201310509331.3有效
  • 陈大年;安孟稼;刘泽超;易蓉 - 北京南洋慧通新技术有限公司
  • 2013-10-25 - 2014-01-22 - B01D67/00
  • 一种离子微孔滤膜的辐照方法,在辐照装置的窗口前将用于辐照的薄膜横向间隔划分为辐照区和非辐照区,在所述非辐照区设置阻挡离子通过的辐照阻隔器;用离子加速器加速的离子或核反应堆产生的裂变碎片对所述薄膜进行辐照;将辐照好的所述薄膜进行紫外增敏照射;将增敏照射后的所述薄膜进行化学蚀刻,形成带有无孔窄条的离子微孔滤膜;将化学蚀刻完成的所述薄膜放入去离子水清洗设备中进行清洗;将清洗后的所述薄膜放入烘干设备中进行烘干本发明在离子微孔滤膜制作过程中适当增加未辐照区域,可以显著增强离子微孔滤膜的强度,提高产品合格率和生产效率,同时也能得到更大孔隙率的离子微孔滤膜。
  • 一种离子微孔滤膜辐照方法
  • [发明专利]高压侧驱动器的半导体结构及其制造方法-CN200610143387.1有效
  • 蒋秋志;黄志丰 - 崇贸科技股份有限公司
  • 2006-11-02 - 2007-05-23 - H01L27/04
  • 一种包括离子掺杂接面的高压侧驱动器的半导体结构。离子掺杂接面包括一基板、一第一深阱、一第二深阱、一第一离子掺杂区域及一第二离子掺杂区域。第一深阱及第二深阱彼此部分连接形成于基板内,且第一深阱及第二深阱具有相同离子掺杂型态。于第一深阱内形成用以连接第一高电压的第一离子掺杂区域,且第一离子掺杂区域具有与第一深阱相同的离子掺杂型态。于第二深阱内形成用以连接第二高电压的第二离子掺杂区域,且第二离子掺杂区域具有与第一深阱相同的离子掺杂型态。
  • 高压驱动器半导体结构及其制造方法
  • [实用新型]高压侧驱动器的半导体结构-CN200620157129.4无效
  • 蒋秋志;黄志丰 - 崇贸科技股份有限公司
  • 2006-11-02 - 2007-11-28 - H01L27/04
  • 一种包括离子掺杂接面的高压侧驱动器的半导体结构。离子掺杂接面包括一基板、一第一深阱、一第二深阱、一第一离子掺杂区域及一第二离子掺杂区域。第一深阱及第二深阱彼此部分连接形成于基板内,且第一深阱及第二深阱具有相同离子掺杂型态。于第一深阱内形成用以连接第一高电压的第一离子掺杂区域,且第一离子掺杂区域具有与第一深阱相同的离子掺杂型态。于第二深阱内形成用以连接第二高电压的第二离子掺杂区域,且第二离子掺杂区域具有与第一深阱相同的离子掺杂型态。
  • 高压驱动器半导体结构
  • [发明专利]一种利用特征X射线鉴别离子种类的实验方法-CN202211285751.3在审
  • 赵树勇;郭刚;隋丽;刘建成;陈启明 - 中国原子能科学研究院
  • 2022-10-20 - 2023-03-07 - G01N23/00
  • 本发明涉及一种利用特征X射线鉴别离子种类的实验方法,属于离子种类鉴别技术领域,该方法包括以下步骤:S1、根据待鉴别的离子种类,选择合适的碰撞靶材;S2、根据待鉴别的离子和靶材产生的Kα‑X射线能量之差,选择合适的X射线探测器;S3、使用标准放射源对探测器进行能量刻度;S4、将碰撞靶材安置在真空靶室内,将X射线探测器安置在真空靶室的透明窗位置,开始进行特征X射线能量测量;S5、将实验测得的离子特征X射线能量与查询所得的离子特征X射线能量数据进行比较,从而鉴别出离子种类。本发明提供的方法利用不同原子产生的特征X射线能量不同来鉴别混合离子源产生的离子种类,确保实验所使用的离子种类。
  • 一种利用特征射线鉴别离子种类实验方法
  • [发明专利]大功率激光加速离子的靶设计-CN200580048289.3无效
  • 尤金·S·弗卡尔;拉沃·维尔特切夫;马长明 - 福克斯·彻斯癌症中心
  • 2005-12-22 - 2008-02-27 - H01J49/16
  • 公开了用于设计激光加速的离子束的方法。该方法包括对系统建模,该系统包括离子层、电场和具有包括最大轻正离子能量的能量分布的高能量轻正离子,使用所述模型,将离子层的物理参数、电场和最大轻正离子能量相关联,并改变该离子层的参数以优化该高能量轻正离子的能量分布一种方法包括使用二维单元内粒子(PIC)仿真和一维分析模型,分析通过高功率激光脉冲和双层靶的相互作用对于轻正离子例如质子的加速。在该模型中,被加速的轻正离子例如质子获得的最大能量依赖于离子层的物理特性-电子-离子质量比和离子的有效电荷状态。对于电子和离子种类的动力流体方程求解,以及使用对于质子的测试粒子近似。发现离子运动改变了纵向电场分布,由此改变了对于轻正离子的加速条件。
  • 大功率激光加速离子设计
  • [发明专利]一种集成电路单粒子效应定位系统-CN202210093251.3有效
  • 赵承心;杨海波;周威;张月昭;李先勤;牛晓阳 - 中国科学院近代物理研究所
  • 2022-01-26 - 2023-09-12 - G01R31/28
  • 本发明属于离子加速器技术领域,涉及一种集成电路单粒子效应定位系统,包括:离子定位模块、单粒子效应检测模块和径迹拟合模块,离子定位模块,设置在离子束流通道的四周,用于对重离子束流中的粒子进行定位;单粒子效应检测模块,设置在离子束流通道的后方,用于放置待测集成电路,并将此其对应的单粒子效应;径迹拟合模块,用于将离子定位模块和单粒子效应检测模块获得的数据进行拟合,从而获得待测集成电路的敏感区。其记录发生单粒子效应时离子在集成电路上的击中位置及所有离子的击中位置,从而精准给出单粒子效应的敏感区域,为研究器件设计与单粒子效应的关系、单粒子效应产生机制和抗辐射加固提供精确的实验数据。
  • 一种集成电路粒子效应定位系统

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