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[发明专利]薄膜铌酸锂和Ⅲ-Ⅴ异质集成光学材料结构及其制备方法-CN202211594317.3在审
发明人：钱广;吴立枢;唐杰;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜铌酸锂和Ⅲ‑Ⅴ异质集成光学材料结构及其制备方法，属于光电集成芯片材料技术领域。该结构包括依次键合连接的：衬底、第一键合层、铌酸锂薄膜、第二键合层和Ⅲ‑Ⅴ光学外延层薄膜。制备方法为：将Ⅲ‑Ⅴ光学外延层薄膜临时键合后去除原本的衬底；同时将铌酸锂材料与衬底键合，再进行减薄及表面处理；将得到的铌酸锂薄膜与Ⅲ‑Ⅴ光学外延层薄膜键合，最后去除临时键合层和临时衬底得到薄膜铌酸锂和Ⅲ本发明可以实现Ⅲ‑Ⅴ光芯片与薄膜铌酸锂光芯片异质集成，弥补薄膜铌酸锂光学材料在光源、光探测和光放大等方面的技术不足。
薄膜铌酸锂集成光学材料结构及其制备方法

[发明专利]基于铌酸锂基底与PDMS微流道的键合方法及装置-CN202310044445.9在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：上海纬冉科技有限公司
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于铌酸锂基底与PDMS微流道的键合方法及装置。所述键合方法包括：对所述铌酸锂基底与PDMS微流道进行清洗以去除杂质；利用氧等离子体轰击所述铌酸锂基底与PDMS微流道；将所述铌酸锂基底与PDMS微流道的待键合表面对齐；粘合所述铌酸锂基底与PDMS微流道的待键合表面；将粘合后的铌酸锂基底与PDMS微流道放在65℃至95℃的热板上烘烤，烘烤时在所述PDMS微流道上加压以继续键合。本发明能够提高铌酸锂基底与PDMS微流道的键合强度及稳定性。
基于铌酸锂基底 pdms 微流道方法装置

[发明专利]腐殖酸键合硅胶的制备方法-CN200610125585.5无效
发明人：冯钰锜;余琼卫;骆丹;李烃 -专利权人：武汉大学
申请日： 2006-12-26 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： B01J20/286 文献下载
摘要：本发明涉及一种腐殖酸键合硅胶的制备方法，通过内嵌酰胺基团的方法将腐殖酸键合到硅胶上。本发明具有合成简单、原料便宜的特点，制备的腐殖酸键合硅胶性能稳定。制备的腐殖酸键合硅胶用于固相萃取时，表现出穿透体积大，单位质量吸附量高，选择性高的特点。
腐殖酸键合硅胶制备方法

[发明专利]一种混合集成光电芯片衬底结构的制备方法及衬底结构-CN202110518985.7在审
发明人：欧欣;陈阳;黄凯 -专利权人：上海新硅聚合半导体有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：方法包括：获取绝缘体上硅衬底和绝缘体上铌酸锂薄膜衬底；绝缘体上硅衬底包括支撑层和键合层，键合层包括硅薄膜层，硅薄膜层设置在支撑层上；绝缘体上铌酸锂薄膜衬底包括铌酸锂薄膜层；将铌酸锂薄膜层与键合层键合得到复合键合结构；去除复合键合结构中的支撑层，暴露出硅薄膜层得到混合集成光电芯片衬底结构。通过将绝缘体上硅衬底和绝缘体上铌酸锂薄膜衬底键合，得到性能优异的混合集成光电芯片衬底结构，从而能够实现性能更加优秀的光电芯片的制备。
一种混合集成光电芯片衬底结构制备方法

[发明专利]一种温度响应性聚天冬酰胺-氢化肉桂酸键合物-CN201810687892.5有效
发明人：张光彦;周俊;王鹏;安俊健 -专利权人：湖北工业大学
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C08G73/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种温度响应性聚天冬酰胺‑氢化肉桂酸键合物（PHPA‑HCA）。所述键合物的分子式为：(C9H16N2O3)n(C9H9O)m，其中：n为温度响应性聚天冬酰胺‑氢化肉桂酸（PHPA‑HCA）键合物的聚合度，m表示氢化肉桂酸键合物中的氢化肉桂酸（HCA）是以酯键形式键合至聚天冬酰胺（PHPA）的侧链上，键合物的水溶液在4‑40℃的区间范围内具有温度响应的行为。该键合物选择聚天冬酰胺为主链结构以保证所设计温度响应性材料的生物可降解性和安全性，侧链选择含苯环结构的氢化肉桂酸（常用于食品和香精香料行业），并以可降解酯键将其键合至主链聚天冬酰胺上，可以得到一种安全、
一种温度响应天冬氢化肉桂酸键合物

[发明专利]一种硅基光电子器件的硅和铌酸锂异质键合方法-CN202210324288.2有效
发明人：吴传贵;李云飞;罗文博;孟雪飞 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明属于集成光子学领域，具体涉及一种硅基光电子器件的硅和铌酸锂异质键合方法。本发明通过对BCB进行稀释，搭配相应的旋涂工艺实现BCB键合层的厚度控制，以满足硅基光电子器件对引入的键合层厚度要求，在保证硅和铌酸锂键合强度的基础上，得到了厚度在200nm以下的BCB键合层。并针对键合过程中，出现稀释后BCB旋涂和预键合效果差的问题，采用两次等离子体活化技术对欲键合界面进行处理，以改善了旋涂和预键合效果。对于250℃退火固化温度下，由于热失配导致的铌酸锂裂片现象，通过将退火最高温度控制在200℃，同时延长保温时间，使裂片问题得以解决。本发明的键合技术为制备低成本、高质量的电光调制器等光学器件提供了工艺支撑。
一种光电子器件铌酸锂异质键合方法

[发明专利]一种钽酸锂晶片异质键合的方法-CN202010225144.2在审
发明人：张学锋;肖学峰 -专利权人：宁夏钜晶源晶体科技有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明提出一种钽酸锂晶片异质键合的方法，包括以下步骤：将单晶硅片与钽酸锂晶片相对设置，保持单晶硅片表面的薄膜层与钽酸锂晶片相对设置，放入键合机；中温加热，并维持至少1h，完成一次键合，形成一次键合体；将一次键合体放入退火炉，高温加热退火，完成二次键合；其中，单晶硅片表面的薄膜层与碳酸锂晶片层为异种材质；发明采用中温一次键合之后，又基于两种材质热膨胀系数不同的特性，设计了高温二次键合，即退火工艺，通过退火改变两层之间的结合键的类型
一种钽酸锂晶片异质键合方法

[发明专利]一种塑封铜键合引线集成电路开封方法-CN201710834927.9有效
发明人：姜金超;薛龙龙 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种塑封铜键合引线集成电路开封方法，利用激光将塑封料削薄，减少酸接触铜键合引线的时间；通过从器件背面进行加热，减少酸接触铜丝的面积和温度；通过调节开封浓酸的配比，减弱酸对铜的腐蚀性，短时间内对塑封铜键合引线集成电路的手工的开封，实现开封过程中对铜键合引线的保护，通过制定的清洗程序，完成对开封后的器件的清洗，从而实现完整的开封。本发明在塑封料去除干净的同时，能够有效保持铜丝完整的键合形状，利于后续的内部封装工艺检查、加电测试、键合强度等试验。
一种塑封铜键合引线集成电路开封方法

[发明专利]一种大黄酸键合硅胶色谱固定相的制备方法-CN200610050457.9无效
发明人：李来生;黄志兵;许丽丽;王上文;刘超 -专利权人：南昌大学
申请日： 2006-04-19 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： B01J20/286 文献下载
摘要：本发明采用功能偶联剂二次反应技术快速制备色谱固定相，该制备方法包括三步：第一步制备γ－氨基丙基键合硅胶前体。第二步将过量的氯化亚砜加入到大黄酸中，在回流状态下反应2小时，真空蒸除剩余的氯化亚砜，得到大黄酸酰氯。第三步以无水甲苯为溶剂，以三乙胺为催化剂，将前体硅胶与大黄酸酰氯在氮气保护和搅拌下回流反应10小时，固体经索氏抽提、溶剂洗涤、浮选和干燥，制备具有一定键合浓度的大黄酸键合硅胶固定相。本发明方法简便、制备成本较低和制备方法适用性广，所制备的大黄酸键合硅胶固定相表面配体键合浓度较高，由于大黄酸具有抗菌作用，长期放置时该固定相不易滋生细菌。大黄酸键合硅胶固定相适用于高效液相色谱、微柱液相色谱、电色谱分离分析及用作相关富集材料。
一种大黄酸键合硅胶色谱固定制备方法

[发明专利]具有键合至产酸剂的感光剂的新光刻胶-CN201610669564.3有效
发明人：陈彦豪;王建惟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-15 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：光刻胶包括聚合物以及光生酸剂。光生酸剂包括感光剂组分、产酸剂组分和键合所述感光剂组分与所述产酸剂组分的键合组分。键合组分可为单键或共轭键。光刻工艺可为EUV光刻工艺或电子束光刻工艺。本发明涉及一种具有键合至产酸剂的感光剂的新光刻胶。
具有键合至产酸剂感光剂光刻

[发明专利]一种铝酸钇复合晶体及其制备方法-CN201610425940.4有效
发明人：张月娟;李兴旺;莫小刚;王永国;李洪峰;王军杰 -专利权人：北京雷生强式科技有限责任公司
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： C30B29/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝酸钇复合晶体及其制备方法，属于激光晶体领域。该铝酸钇复合晶体包括：工作介质、以光胶的方式键合在工作介质端部的不掺杂基质，该工作介质为掺杂铝酸钇晶体，不掺杂基质为纯铝酸钇晶体。本发明实施例提供的铝酸钇复合晶体，通过在掺杂铝酸钇晶体的端部以热扩散键合方式键合铝酸钇晶体，得到铝酸钇复合晶体，其键合面处光学质量均匀，不存在晶体与晶体间的界面，避免了激光损耗现象，并利于提高激光器的输出效率和输出功率
一种铝酸钇复合晶体及其制备方法

[发明专利]一种键合剥离后的铌酸锂晶圆的修复方法和铌酸锂晶圆-CN202011466815.0在审
发明人：刘昆;周赤;吉贵军;张大鹏;王兴龙;黄杭东;陆龙钊 -专利权人：珠海光库科技股份有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L21/477 文献下载
摘要：本发明提供一种键合剥离后的铌酸锂晶圆的修复方法和铌酸锂晶圆。修复方法包括对键合剥离后的原料铌酸锂晶圆加热退火；对所述原料铌酸锂晶圆的剥离面进行抛光处理，抛光深度等于或大于离子注入深度蔓延范围的一半。该修复方法能够对键合剥离后的铌酸锂晶圆进行修复，从而使得废弃的铌酸锂晶圆得到再次利用，避免浪费。
一种剥离铌酸锂晶圆修复方法

[发明专利]一种利用先真空紫外光再氮等离子体两步活化直接键合铌酸锂和硅晶片的方法-CN201811005392.5有效
发明人：王晨曦;许继开;方慧;周诗承;田艳红 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：一种利用先真空紫外光再氮等离子体两步活化直接键合铌酸锂和硅晶片的方法，属于晶圆键合技术领域。所述方法如下：将待键合的铌酸锂晶片和硅晶片置于真空紫外光光源下，在20~80%的湿度条件下活化；将真空紫外光活化后的晶片置于N2等离子体下，在10~80 Pa的压强下活化；将经两步活化后的晶片在室温下相互贴合，并将贴合后的晶片置于大气环境下存储；将存储后的晶片置于100~180°C的温度条件下保温，即完成铌酸锂和硅的直接键合。本发明的优点是：无需化学试剂对待键合晶片表面进行清洗，键合工艺简单，键合流程少；在低温下即可实现二者之间稳定可靠的高强度的直接键合，避免因二者之间巨大的热膨胀系数差异而使得键合界面开裂以及键合材料断裂现象的发生
一种利用真空紫外光等离子体活化直接键合铌酸锂晶片方法

[发明专利]一种铌酸锂薄膜和磷化铟基光电外延片集成方法-CN202310283928.4在审
发明人：吴立枢;钱广;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种铌酸锂薄膜和磷化铟基光电外延片集成方法，包括以下步骤：样品准备：清洗自下而上包含衬底层、介质层和铌酸锂层的铌酸锂薄膜和自下而上包括磷化铟衬底层和磷化铟外延功能层的磷化铟基光电外延片；第一键合：使用临时粘合材料将磷化铟基光电外延片的磷化铟外延功能层正面与临时载片进行第一键合；衬底去除：去除磷化铟基光电外延片的衬底层；第二键合：将铌酸锂薄膜的铌酸锂层正面与磷化铟外延功能层的磷化铟外延功能层背面通过键合材料进行第二键合本申请避免了铌酸锂薄膜上生长磷化铟外延片导致的晶格失配和缺陷密度高的问题。
一种铌酸锂薄膜磷化光电外延集成方法

[发明专利]钨基催化剂体系-CN200580013680.X无效
发明人： R·P·图泽;M·J·汉顿 -专利权人： SASOL技术英国有限公司
申请日： 2005-03-11 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： B01J31/18 文献下载
摘要：催化剂体系，包括以下物质的组合：钨源；至少含有N或O作为键合原子与钨源中钨键合的配体前体，选择钨源和配体前体使得因配体前体键合钨而形成酸；并且所述催化剂体系的特征在于其基本上不含由于配体前体键合钨而形成的酸；而且钨源中钨与配体前体的摩尔比至少为1∶3/n，其中n为配体前体与钨所形成的化学键数目。
催化剂体系

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