专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]含二基团的聚芳醚酮及其制备方法-CN200810051594.3无效
  • 那辉;邵柯;刘中国;赵成吉 - 吉林大学
  • 2008-12-15 - 2009-05-20 - C08G65/40
  • 本发明属于高分子化学领域,具体涉及一种含二基团的聚芳醚酮及其制备方法。其首先是采用傅氏酰基化反应合成单体1,5-二(4-氟苯甲酰基)-2,6-二甲氧基萘,然后在该二甲氧基萘基团双氟单体的基础上,与双A、双S、四甲基联苯二、邻甲基对苯二、邻叔丁基对苯二、2,5-二叔丁基对苯二等双单体,通过聚合制备了系列的含二甲氧基萘基团的聚芳醚酮,并基于该产物制备了具有耐热等级高、溶解性和成膜性良好、机械性能优异且含二基团的聚芳醚酮聚合物。
  • 含二酚萘基团聚芳醚酮及其制备方法
  • [发明专利]负性光刻胶及其应用-CN201811465317.7有效
  • 李颖 - 深圳市华星光电技术有限公司
  • 2018-12-03 - 2020-07-10 - G03F7/038
  • 本发明公开了一种负性光刻胶及其应用,所述负性光刻胶含有邻苯二基团。所述负性光刻胶涂覆并固化于硅基底的表面形成负性光阻,所述硅基底的表面具有羟基结构,所述负性光刻胶具有邻苯二基团,所述邻苯二基团中的羟基结构与所述硅基底的羟基结构之间形成氢键结构。本发明的负性光刻胶及其应用,通过在负性光刻胶内加入带有邻苯二基团的化合物,使得邻苯二基团中的羟基与硅基底中的羟基形成氢键,以提高由负性光刻胶形成的负性光阻与硅基底之间的粘附力。
  • 光刻及其应用
  • [发明专利]树脂组合物-CN201780031559.2有效
  • 增田有希;奥田良治 - 东丽株式会社
  • 2017-05-22 - 2021-12-31 - C08L61/14
  • 树脂组合物,其特征在于,含有(a)碱溶性树脂,所述(a)碱溶性树脂包含具有交联性基团骨架和不具有交联性基团骨架,并且重均分子量在1,000~50,000的范围内,其中,在上述具有交联性基团骨架和上述不具有交联性基团骨架的结构单元的合计100摩尔%中,上述具有交联性基团骨架所占的含有比率在5~90摩尔%的范围内。
  • 树脂组合

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