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- [发明专利]用于控制压缩机的装置-CN201210162711.X有效
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刘载有;李宝滥
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LG电子株式会社
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2012-05-23
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2012-11-28
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F04B49/06
- 本发明提供了一种用于控制压缩机的装置,该装置包括:交流(AC)开关,配置为连接到电源;控制器,配置为产生栅极驱动信号,其中将所述AC开关配置为基于所述栅极驱动信号打开和关闭连接至所述压缩机的连接;以及隔离电路,配置为使所述电源和所述AC开关的模拟接地与所述控制器的数字接地隔离。当用于控制压缩机的所述装置接地时,可使模拟电路接地和数字电路接地彼此隔离以保护所述装置。也可通过一个简单的电路设备使由商业交流(AC)电源驱动的模拟电路的接地与由从商业AC电源转换的电压驱动的数字电路的接地彼此隔离以保护所述数字电路内部的控制器。
- 用于控制压缩机装置
- [实用新型]一种射频芯片的衬底隔离结构-CN202021058349.8有效
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张智;向祥林
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苏州芈图光电技术有限公司
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2020-06-10
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2020-10-30
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H01L29/06
- 本申请公开一种射频芯片的衬底隔离结构。该衬底隔离结构的一侧端上配置有衬底底盘,所述衬底底盘的外侧依次间隔的配置有Ptap保护环、Ntap保护环及deep trench保护环,所述Ptap保护环以及Ntap保护环连接GND端,所述衬底底盘用于配置被保护电路通过这样的设计,首先经过ptap区域,通过低阻的Ptap保护环、Ntap保护环的路径,将噪声快速吸收转移到GND中进而将噪声泄放,同时通过配置于最外侧的deep trench(即高阻隔离墙)保护环,加大了噪声源与被保护电路之间的通路阻值,防止噪声进入,有效地降低高频噪声对周围器件的影响,做到更好的隔离。
- 一种射频芯片衬底隔离结构
- [发明专利]电介质隔离型半导体装置-CN200810212938.4有效
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秋山肇
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三菱电机株式会社
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2006-05-09
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2009-02-18
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H01L29/78
- 提供一种维持耐压并且通过绝缘强度高的导线布线从电极开始进行布线的电介质隔离型半导体装置及其制造方法。电介质隔离型半导体装置具备电介质隔离型衬底,该电介质隔离型衬底积层有支撑衬底、埋入电介质层以及低杂质浓度的第1导电型的半导体衬底,半导体衬底具备:选择性地形成的高杂质浓度的第1导电型的第1半导体区域;高杂质浓度的第2导电型的第2半导体区域,以从其外周边开始隔开预定距离包围第1半导体区域的方式配置;与第1半导体区域的表面连接配置的第1主电极;与第2半导体区域的表面连接配置的第2主电极,该电介质隔离型半导体装置具备:第1电介质部,配设成与埋入电介质隔离层邻接配置,使得包围第1半导体区域上相对积层方向重叠的支撑衬底的区域;与第1主电极连接的导线。
- 电介质隔离半导体装置
- [发明专利]电介质隔离型半导体装置及其制造方法-CN200810212937.X有效
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秋山肇
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三菱电机株式会社
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2006-05-09
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2009-02-18
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H01L29/78
- 提供一种维持耐压并且通过绝缘强度高的导线布线从电极开始进行布线的电介质隔离型半导体装置及其制造方法。电介质隔离型半导体装置具备电介质隔离型衬底,该电介质隔离型衬底积层有支撑衬底、埋入电介质层以及低杂质浓度的第1导电型的半导体衬底,半导体衬底具备:选择性地形成的高杂质浓度的第1导电型的第1半导体区域;高杂质浓度的第2导电型的第2半导体区域,以从其外周边开始隔开预定距离包围第1半导体区域的方式配置;与第1半导体区域的表面连接配置的第1主电极;与第2半导体区域的表面连接配置的第2主电极,该电介质隔离型半导体装置具备:第1电介质部,配设成与埋入电介质隔离层邻接配置,使得包围第1半导体区域上相对积层方向重叠的支撑衬底的区域;与第1主电极连接的导线。
- 电介质隔离半导体装置及其制造方法
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