专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]数字隔离-CN202210441302.7有效
  • 李志林 - 圣邦微电子(北京)股份有限公司
  • 2022-04-25 - 2023-09-05 - H03K19/0175
  • 本申请公开了一种数字隔离器,包括:信号发射电路、信号接收电路以及耦接于所述信号发射电路和所述信号接收电路之间的隔离电路,所述隔离电路包括:第一隔离模块,其被配置为将接收到的输入调制信号转换成差分信号;第二隔离模块,其被配置为响应于接收到所述差分信号而提供输出调制信号,其中,所述第一隔离模块和所述第二隔离模块采用相互对称的结构,采用全差分结构且完全对称的结构改善了电路的抗干扰能力,可以支持大于200kv/us的共模瞬态干扰
  • 数字隔离器
  • [发明专利]信号传输装置、电子设备、车辆-CN202180054652.1在审
  • 樋口彻 - 罗姆股份有限公司
  • 2021-08-23 - 2023-05-12 - H04L27/02
  • 例如,信号传输装置包括:发送器,其设置在初级电路系统中并且被配置为生成与输入信号对应的传输信号;至少一个第一隔离元件,其被配置为形成第一信号传输路径,以将传输信号从初级电路系统传输到次级电路系统;至少一个第二隔离元件,其被配置为形成不同于第一信号传输路径的第二信号传输路径,以将传输信号从初级电路系统传输到次级电路系统;以及接收器,其设置在次级电路系统中,并且被配置为将分别从第一隔离元件和第二隔离元件输出的第一接收信号和第二接收信号输入到逻辑电路
  • 信号传输装置电子设备车辆
  • [发明专利]用于控制压缩机的装置-CN201210162711.X有效
  • 刘载有;李宝滥 - LG电子株式会社
  • 2012-05-23 - 2012-11-28 - F04B49/06
  • 本发明提供了一种用于控制压缩机的装置,该装置包括:交流(AC)开关,配置为连接到电源;控制器,配置为产生栅极驱动信号,其中将所述AC开关配置为基于所述栅极驱动信号打开和关闭连接至所述压缩机的连接;以及隔离电路,配置为使所述电源和所述AC开关的模拟接地与所述控制器的数字接地隔离。当用于控制压缩机的所述装置接地时,可使模拟电路接地和数字电路接地彼此隔离以保护所述装置。也可通过一个简单的电路设备使由商业交流(AC)电源驱动的模拟电路的接地与由从商业AC电源转换的电压驱动的数字电路的接地彼此隔离以保护所述数字电路内部的控制器。
  • 用于控制压缩机装置
  • [实用新型]一种射频芯片的衬底隔离结构-CN202021058349.8有效
  • 张智;向祥林 - 苏州芈图光电技术有限公司
  • 2020-06-10 - 2020-10-30 - H01L29/06
  • 本申请公开一种射频芯片的衬底隔离结构。该衬底隔离结构的一侧端上配置有衬底底盘,所述衬底底盘的外侧依次间隔的配置有Ptap保护环、Ntap保护环及deep trench保护环,所述Ptap保护环以及Ntap保护环连接GND端,所述衬底底盘用于配置被保护电路通过这样的设计,首先经过ptap区域,通过低阻的Ptap保护环、Ntap保护环的路径,将噪声快速吸收转移到GND中进而将噪声泄放,同时通过配置于最外侧的deep trench(即高阻隔离墙)保护环,加大了噪声源与被保护电路之间的通路阻值,防止噪声进入,有效地降低高频噪声对周围器件的影响,做到更好的隔离
  • 一种射频芯片衬底隔离结构
  • [发明专利]显示装置及其制造方法-CN201711275516.7有效
  • 下山大辅;浮贺谷信贵;古田真梨子 - 佳能株式会社
  • 2017-12-06 - 2020-06-09 - H01L51/52
  • 发光元件包括通过绝缘部而隔离的下部电极、具有配置在下部电极上的发光层的有机层以及覆盖有机层的上部电极。绝缘部包括配置在下部电极上的第一部分以及配置在下部电极之间的第二部分。保护层覆盖上部电极,并且设置有配置在第二部分的上方并且具有与保护层的折射率不同的折射率的隔离部。上部电极的配置隔离部的下方的部分的上表面的高度低于上部电极的配置在第一部分的上方的部分的上表面的高度。
  • 显示装置及其制造方法
  • [发明专利]电介质隔离型半导体装置-CN200810212938.4有效
  • 秋山肇 - 三菱电机株式会社
  • 2006-05-09 - 2009-02-18 - H01L29/78
  • 提供一种维持耐压并且通过绝缘强度高的导线布线从电极开始进行布线的电介质隔离型半导体装置及其制造方法。电介质隔离型半导体装置具备电介质隔离型衬底,该电介质隔离型衬底积层有支撑衬底、埋入电介质层以及低杂质浓度的第1导电型的半导体衬底,半导体衬底具备:选择性地形成的高杂质浓度的第1导电型的第1半导体区域;高杂质浓度的第2导电型的第2半导体区域,以从其外周边开始隔开预定距离包围第1半导体区域的方式配置;与第1半导体区域的表面连接配置的第1主电极;与第2半导体区域的表面连接配置的第2主电极,该电介质隔离型半导体装置具备:第1电介质部,配设成与埋入电介质隔离层邻接配置,使得包围第1半导体区域上相对积层方向重叠的支撑衬底的区域;与第1主电极连接的导线。
  • 电介质隔离半导体装置
  • [发明专利]电介质隔离型半导体装置及其制造方法-CN200810212937.X有效
  • 秋山肇 - 三菱电机株式会社
  • 2006-05-09 - 2009-02-18 - H01L29/78
  • 提供一种维持耐压并且通过绝缘强度高的导线布线从电极开始进行布线的电介质隔离型半导体装置及其制造方法。电介质隔离型半导体装置具备电介质隔离型衬底,该电介质隔离型衬底积层有支撑衬底、埋入电介质层以及低杂质浓度的第1导电型的半导体衬底,半导体衬底具备:选择性地形成的高杂质浓度的第1导电型的第1半导体区域;高杂质浓度的第2导电型的第2半导体区域,以从其外周边开始隔开预定距离包围第1半导体区域的方式配置;与第1半导体区域的表面连接配置的第1主电极;与第2半导体区域的表面连接配置的第2主电极,该电介质隔离型半导体装置具备:第1电介质部,配设成与埋入电介质隔离层邻接配置,使得包围第1半导体区域上相对积层方向重叠的支撑衬底的区域;与第1主电极连接的导线。
  • 电介质隔离半导体装置及其制造方法

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