|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 2617084个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]半导体装置-CN201680019148.7有效
-
中野佑纪
-
罗姆股份有限公司
-
2016-02-08
-
2021-05-07
-
H01L29/78
- 本发明的半导体装置包含：半导体层，包含有源部和栅极指状物部；MIS晶体管，被形成于所述有源部，并且，包含栅极沟槽、以及依次沿着所述栅极沟槽的侧面的源极区域、沟道区域和漏极区域；多个第一栅极指状物沟槽，在所述栅极指状物部中由所述栅极沟槽的延长部构成；栅极电极，埋入到所述栅极沟槽和所述第一栅极指状物沟槽中；第二导电型的第一底部杂质区域，被形成于所述第一栅极指状物沟槽的至少底部；栅极指状物，横穿过所述多个第一栅极指状物沟槽，电连接于所述栅极电极；以及第二导电型的电场缓和区域，在相邻的所述第一栅极指状物沟槽之间形成得比所述第一栅极指状物沟槽的底部深。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201710265723.8有效
-
山崎舜平
-
株式会社半导体能源研究所
-
2011-06-20
-
2020-11-27
-
H01L21/34
- 本发明的目的之一是提供包括氧化物半导体的半导体装置，其具有稳定的电特性和改进的可靠性。在包括氧化物半导体膜的晶体管中，通过分别使用含有第13族元素及氧的材料形成与氧化物半导体膜接触的绝缘膜，能够保持与氧化物半导体膜的界面的良好状态。再者，通过该绝缘膜分别包括氧比例多于化学计量组成中氧比例的区域，向氧化物半导体膜供应氧，从而能够降低氧化物半导体膜中的氧缺陷。此外，通过与氧化物半导体膜接触的绝缘膜分别采用叠层结构，使得在氧化物半导体膜之上以及之下设置分别含有铝的膜，能够防止水侵入到氧化物半导体膜中。
- 半导体装置
- [发明专利]一种能源控制方法及装置-CN201710620862.8有效
-
杜光东
-
深圳市盛路物联通讯技术有限公司
-
2017-07-26
-
2020-04-14
-
H04W52/02
- 本发明公开了一种能源控制方法，接入点承载N个中继器，每个中继器分别承载一组物联网终端集合，每组物联网终端集合分别对应至少一个能源控制触发条件，所述N为大于1的整数，包括：检测物联网终端的运行状态是否满足能源控制触发条件；若检测到物联网终端i的运行状态满足所述物联网终端i对应的至少一个能源控制触发条件时，控制所述物联网终端i切换至所述物联网终端i对应的至少一个能源控制触发条件中的其中一个能源控制触发条件对应的省电模式。本发明实施例还提供了一种物联网终端的能源控制装置。采用本发明实施例可提升物联网终端的使用寿命。
- 一种能源控制方法装置
|
