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[发明专利]光学补偿双折射液晶面板的制作与驱动方法-CN200810185613.1有效
发明人：颜泽宇;陈丁振;陈健龙;林卓莹 -专利权人：台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院
申请日： 2008-12-17 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：然后，以多阶段电压变化方式对此面板进行驱动。这种多阶段电压变化方式包括先施加高电压，使OCB液晶面板内的液晶分子转换至Bend或垂直排列状态；再将上述高电压降低至低电压，且此低电压需维持在OCB液晶面板的弯曲态维持电压以上；最后移除电压至零，使OCB液晶面板内的液晶分子维持在180度扭转态。此种方式能使OCB液晶面板在驱动时省去由斜展(splay)态转换至弯曲(bend)态的动作。
光学补偿双折射液晶面板制作驱动方法

[发明专利]柔性直流输电系统功率子模块损耗的计算方法及装置-CN202110747907.4有效
发明人：李光明;王川;靳志会;党亮亮;王娟娟;徐成根;杨刚 -专利权人：中广核风电有限公司;中广核太阳能开发有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H02J3/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种柔性直流输电系统功率子模块损耗的计算方法，包括：输入柔性直流输电系统的系统参数信息；根据系统参数信息计算出换流变压器的无功、换流阀阀侧电流幅值、桥臂电流二倍频环流幅值、换流阀阀侧电压和换流阀阀侧电流之前的相位差、桥臂电流二倍频环流的初相位；计算出桥臂电流；计算出导通模块数；计算出全控型开关器件的通态压降，全控型开关器件的开通能量，全控型开关器件的关断能量，二极管的通态压降，二极管的反向恢复能量；计算出全控型开关器件的通态损耗，全控型开关器件的开通损耗，全控型开关器件的关断损耗，二极管的通态损耗，二极管的反向恢复损耗。
柔性直流输电系统功率模块损耗计算方法装置

[发明专利]一种四象限整流器功率模块功率损耗计算方法-CN202211708265.8在审
发明人：水富丽;钟铭;李金霞;王清;庞聪 -专利权人：中车永济电机有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H02M7/219 文献下载
摘要：获取牵引四象限整流器的功率器件的特性；获取损耗计算参数；约定功率因数角φ；根据功率损耗计算解析表达式，进行牵引、制动工况下的损耗计算，得到IGBT的通态损耗、开关损耗，以及FWD的通态损耗、开关损耗。本发明解决了传统计算中调制度计算一直不明确的问题，且计算仅使用直流侧电压及交流侧电压，一般牵引系统都配备了传感器来测量，因此本方案在线实现过程中无需增加额外传感设备，易于工程化。
一种象限整流器功率模块损耗计算方法

[发明专利]一种快速开启均匀导通双向静电浪涌保护IC-CN202011472694.0有效
发明人：梁海莲;杨燕妮;顾晓峰 -专利权人：江南大学
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种快速开启均匀导通双向静电浪涌保护IC，属于电路的静电放电与浪涌防护领域。通过引用由N型埋层和P阱构成的反向偏置单元，实现对工作电压高于18V应用电路进行双向静电浪涌防护；通过调节P阱宽度，调节本发明所述双向静电浪涌保护IC的电压箝位能力；通过引入开态NMOS，增强P阱表面的电流导通均匀性通过引入一GGNMOS与开态NMOS级联电学结构，既可增强本发明所述双向静电浪涌保护IC的表面电流泄流能力，又可增强本发明所述双向静电浪涌保护IC的ESD鲁棒性。
一种快速开启均匀双向静电浪涌保护 ic

[发明专利]一种压控三态磁存储单元的实现方法-CN202010040488.6有效
发明人：唐晓莉;刘梦丽;杜伟;苏桦 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：一种压控三态磁存储单元的实现方法，属于磁存储技术领域。以压电基片作为基底，在压电基片的上下表面生长导电层，作为对压电基片施加电压的上电极和下电极，然后在上电极上依次形成磁性存储层和保护层，其中，所述磁性存储层的磁矩初始态为45度角方向，此时可获得一中间值大小的电阻态，在压电基片上施加不同大小的电压，可获得高电阻态和低电阻，这样就可实现高、中、低三种电阻态。本发明通过在压电基片上不施加、施加大于或小于压电基片矫顽电场的电压，来获得高、中、低三种稳定的存储态实现三态存储。由于该三种存储状态只需通过电压大小调制，因此具有结构简单、容易设计且功耗低等优点。
一种三态存储单元实现方法

[发明专利]控制方法、电子设备及计算机可读存储介质-CN202110185468.2有效
发明人：谢红斌 -专利权人： OPPO广东移动通信有限公司
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G02F1/163 文献下载
摘要：控制方法包括在电致变色器件处于第一变色态时，对电致变色器件施加第一控制电压，施加时间为第一时长，以调整电致变色器件的变色态至第二变色态；第一控制电压在第一时长内由第一电压递减至第二电压，第二电压大于电致变色器件在第二变色态时的开路电压本申请通过提高控制电压，并避免控制电压一直维持在高电压状态，进而避免超出电致变色器件的最大承受电压导致器件损坏的问题，在保证了电致变色器件安全使用的前提下达到快速变色的效果。
控制方法电子设备计算机可读存储介质

[发明专利]一种SiC MESFET栅极制作方法-CN201010129557.7有效
发明人：商庆杰;霍玉柱;潘宏菽;李亚丽;周瑞 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2010-03-23 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC MESFET栅极制作方法，该方法在传统工艺的基础上通过增加湿法再氧化的工艺，通入HNO3水汽对氮氧化硅层进行进一步氮化处理，解决了SiC MESFET界面态密度大、肖特基势垒高度低、器件性能差的问题，达到降低界面态密度，降低理想因子，提高肖特基势垒的高度和耐击穿电压，提高器件的性能的目的。
一种 sic mesfet 栅极制作方法

[发明专利]液晶显示器驱动方法-CN93119269.2无效
发明人：葛晓勤 -专利权人：葛晓勤
申请日： 1993-10-19 - 公布日： 1995-04-26 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：驱动时LCD的一个电极加一个窄脉冲，同时LCD的另一电极加极性相反的电压或零电压，使液晶分子向ON态运动。在经过很短的时间后，LCD二个电极中的一个转入高阻态或悬空，这时，液晶分子能继续向ON态方向运动，然后达到并记忆保持其ON态，一直到此高阻态电极转入一定的电压或接地时为止。其记忆时间由此高阻态时间长短决定。
液晶显示器驱动方法

[发明专利]液晶显示面板的驱动装置以及液晶显示器-CN201811569873.9在审
发明人：孙立志;徐向阳 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种液晶显示面板的驱动装置，包括时序控制器和电位转移器，所述电位转移器将低压时序信号转换为高压开关电压信号输出至GOA驱动单元，所述电位转移器包括：高电位形成单元，用于形成第一高电位开态电压输出至所述GOA驱动单元；低电位形成单元，用于形成低电位关态电压输出至所述GOA驱动单元；电位拉低单元，用于将所述第一高电位开态电压拉低至第二高电位开态电压。本发明提供的液晶显示器在进行屏幕亮度要求较低的非正常显示状态时，降低显示面板中栅极的开态电压，由此节省了液晶显示器的功耗。
液晶显示器开态电压高电位电位转移驱动单元驱动装置液晶显示面板形成单元低电位电位电压信号输出时序控制器高压开关关态电压亮度要求时序信号显示面板显示状态输出功耗屏幕转换

[发明专利]高电阻率宽禁带半导体材料本征光电导率测试方法及系统-CN202010620287.3在审
发明人：黄维;郑重;韩伟伟;孔海宽;施尔畏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：制备在由高电阻率宽禁带半导体材料构成的衬底的厚度方向两侧表面上分别形成有作为阳极的实心电极和作为阴极且覆盖有透明导电薄膜的空心电极的光电导率测试样品，并将其接入测试电路；通过光阑沿垂直于透明导电薄膜的方向向其施加激光束；调节光阑的孔径，在每个孔径下利用示波器获取测试电路中连接的电容器两端的电压峰值和用于检测光电导率测试样品在激光束照射下产生的光生载流子所引起的电流变化的电流探测器的电压峰值；根据电容器的两端的电压峰值和电流探测器的电压峰值计算每个孔径下的光电导率测试样品的最小通态电阻；拟合多组孔径与最小通态电阻得到衬底的本征光电导率。
电阻率宽禁带半导体材料电导率测试方法系统

[实用新型]一种晶圆管芯通态压降的测量电路-CN201721196879.7有效
发明人：宋利鹏;郝瑞庭 -专利权人：北京华峰测控技术有限公司
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种晶圆管芯通态压降的测量电路，其中，待测晶圆包括多颗二极管管芯，多颗二极管管芯包括至少一颗被测管芯和多颗辅助管芯，测量电路包括至少一个电流源、至少一个电压表和探针台吸盘；每个电流源与一颗被测管芯对应；每个电压表与一颗被测管芯对应；其中，多颗二极管管芯的阴极电连接，并通过待测晶圆的背面的公共电极与探针台吸盘电连接；每个电流源的第一端与其对应的被测管芯的阳极电连接，电流源的第二端与探针台吸盘电连接；每个电压表的第一端与其对应的被测管芯的阳极电连接，电压表的第二端与至少一颗辅助管芯的阳极电连接。本实用新型实施例可以提高晶圆管芯通态压降测量的准确性。
一种圆管芯通态压降测量电路

[发明专利]电压检测系统和方法-CN201880043168.7有效
发明人：陈宏 -专利权人：昕诺飞控股有限公司
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H05B47/10 文献下载
摘要：一种感测设备用于感测远程设备的操作电压。通信接口通过通信总线接收来自远程设备的通信信号。数据采样器在由感测设备定义的预定的一组定时时刻获取通信信号的数据读数。根据数据读数获得数据度量(例如高占空比态和低占空比态)，并基于电压与数据度量之间的关系，根据该数据度量获得远程设备的操作电压。本发明基于检测由电压变化引起的定时变化。特别地，通信信号的上升沿和下降沿的斜率受电压电平的影响，而这进而影响高态(1)和低态(0)的定时。
电压检测系统方法

[发明专利]一种具有体电极的沟槽栅型绝缘栅双极型晶体管-CN201110118632.4有效
发明人：李泽宏;张超;刘小龙;李婷;姜贯军;余士江 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-05-09 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明在传统沟槽栅型绝缘栅双极型晶体管中引入沟槽型多晶硅体电极，通过优化体电极上的电压，可以改善传统沟槽栅型绝缘栅双极型晶体管电场在沟槽栅下集中的缺点，有效的降低了沟槽栅底部的峰值电场，提高了器件的击穿电压；并且，在器件正向导通时，体电极上的电压可以在体电极厚氧化层外侧形成多子积累层，降低导通电阻，从而降低正向导通时的通态损耗。
一种具有电极沟槽绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]单火取电电路-CN201911296595.9在审
发明人：马超;林永佳;余粉英;齐成勇;吴向东 -专利权人：河北工大科雅能源科技股份有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H02J7/02 文献下载
摘要：本发明涉及智能供电技术领域，提供了一种单火取电电路，包括：开态单火取电模块；开态单火取电模块与开关串联连接，用于当开关处于闭合状态时从单火线取电为外部设备供电。开态单火取电模块，包括：第二整流单元、电压反馈单元及开关控制单元；第二整流单元，输入端与开态单火取电模块的第一端连接，输出端分别与电压反馈单元的输入端及开态单火取电模块的第三端连接；电压反馈单元的输出端与开关控制单元的控制端连接，开关控制单元的输入端与开态单火取电模块的第一端连接；第二整流单元、电压反馈单元及开关控制单元均与参考地连接。上述单火取电模块通过电压反馈单元及开关控制单元自动调整输出电平，电路结构简单、输出电压稳定、功耗低且效率高。
单火取电电路

[实用新型]单火取电电路-CN201922259679.7有效
发明人：马超;林永佳;余粉英;齐成勇;吴向东 -专利权人：河北工大科雅能源科技股份有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H02J7/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及智能供电技术领域，提供了一种单火取电电路，包括：开态单火取电模块；开态单火取电模块与开关串联连接，用于当开关处于闭合状态时从单火线取电为外部设备供电。开态单火取电模块，包括：第二整流单元、电压反馈单元及开关控制单元；第二整流单元，输入端与开态单火取电模块的第一端连接，输出端分别与电压反馈单元的输入端及开态单火取电模块的第三端连接；电压反馈单元的输出端与开关控制单元的控制端连接，开关控制单元的输入端与开态单火取电模块的第一端连接；第二整流单元、电压反馈单元及开关控制单元均与参考地连接。上述单火取电模块通过电压反馈单元及开关控制单元自动调整输出电平，电路结构简单、输出电压稳定、功耗低且效率高。
单火取电电路