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[实用新型]散热通孔锯片-CN201320405620.4有效
发明人：卢庆弟;徐丽华 -专利权人：浙江金博工具有限公司
申请日： 2013-07-09 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： B23D61/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种散热通孔锯片，它包括锯片基体，锯片基体的中心设有用来安装锯片的安装孔，锯片基体的圆周均匀分布有锯齿，锯齿上镶嵌有硬质合金刀头，锯片基体上均匀分布有至少三个散热通孔，散热通孔的外端和内端通过弧线连接这种散热通孔锯片,具有以下优点：提高散热效果，有效缓解了基体的热膨胀以保持锯片基体不变形，提高切割精度和使用寿命；在齿背的齿尖处设有同圆周圆弧，增加了齿尖的面积，预防了制作过程中的掉尖现象，进而增加了齿尖的强度
散热通孔锯片

[实用新型]硅通孔结构-CN201120454618.7有效
发明人：汪学方;徐春林;王宇哲;徐明海;胡畅;刘胜 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅通孔结构，其形成于硅片上，并包括掺杂粒子构成的导电区和绝缘区，绝缘区与所述导电区掺杂的粒子的极性相反，所述导电区表面覆盖有金属电极，所述硅片的表面除所述金属电极之外的区域覆盖有绝缘层本实用新型硅通孔结构的优点在于：通过粒子掺杂方式形成硅通孔结构的导电区和绝缘区，导电区和绝缘区的基体都还是硅片本身，避免了目前硅通孔技术中金属和硅片热膨胀系数不同造成的热应力问题，能够提高器件的可靠性和寿命
硅通孔结构

[实用新型]阶梯通孔钻-CN201120215929.8有效
发明人：朱胜雷 -专利权人：无锡雨田精密工具有限公司
申请日： 2011-06-24 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： B23B51/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种阶梯通孔钻，为一体成型结构，包括有一圆柱形钻柄（1），钻柄前端连接有麻花钻杆，其特征在于，所述麻花钻杆为台阶状，其中，设置于前端的一级钻杆（2）直径小于其后连接的二级钻杆（3），所述一级钻杆顶端具有一顶角作业时，先由一级钻杆在工件上钻出通孔，然后由二级钻杆上的倒角刃加工出孔口倒角，于此同时，抛光刃将倒角产生的孔口毛刺刮除。通孔和倒角一次加工即可完成，保证了同轴度和精度；加工出的孔，孔口光滑无毛刺；同时，大大提高了加工效率。
阶梯通孔钻

[实用新型]通孔检测装置-CN201721144688.6有效
发明人：张守金;孙树波;石江涛 -专利权人：歌尔股份有限公司
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种通孔检测装置，涉及检测设备技术领域，包括基座，所述基座上安装有光源及位于所述光源上方的工装组件；所述工装组件包括工装安装座，所述工装安装座上安装有用于固定产品的工装，所述工装能够沿水平轴向在所述工装安装座上转动，所述工装安装座和所述工装上设有供所述光源的光线照射到所述产品上的通孔的透光通道；所述通孔检测装置还包括安装在所述工装组件上方能够上下滑动的相机，及与所述相机通信连接的主控制器。本实用新型通孔检测装置能够快速检测包括斜通孔在内的通孔是否通透，检测效率高，不需要鱼线，大大的降低了企业的生产成本；同时不会对产品内的声学部件造成损伤，保证了声学部件的性能。
检测装置

[实用新型]通孔烟剂-CN00263765.0无效
发明人：庞廷娟;郇建明 -专利权人：北京天擎化工有限责任公司
申请日： 2000-12-06 - 公布日： 2001-11-07 - 主分类号： C06C5/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种通孔烟剂,包括壳体、本体、引燃药和引线,其特征在于所述烟剂本体、引燃药和壳体构成一通孔结构,引线通过通孔置于引燃药中。本实用新型提供的烟剂,加快了发烟速度,提高了烟剂的发烟效果。
通孔烟剂

[实用新型]通孔射孔枪-CN200820106899.5无效
发明人：高玉文 -专利权人：高玉文
申请日： 2008-03-20 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： E21B43/116 文献下载
摘要：一种通孔射孔枪。主要解决现有的射孔枪炸高不足、穿深小、卸压效果差及负压回流的问题。其特征在于：外盲孔(2)底面边缘(3)距射孔枪内壁的距离一致，在射孔弹形成射流前射孔枪内形成的膛压可以使外盲孔(2)的底部整体脱落而形成通孔。该射孔枪外盲孔底部的边缘处比较薄并且厚度均匀一致，盲孔底边缘应力非常集中，在射孔弹形成射流前，射孔枪内形成的膛压足以使盲孔底部整体脱落，形成比较大的通道，提高了炸高和穿深，复合射孔火药爆炸可以更充分的释放能力
通孔射孔枪

[实用新型]通孔木工钻-CN200820037532.2无效
发明人：王四放 -专利权人：王四放
申请日： 2008-06-11 - 公布日： 2009-04-08 - 主分类号： B27G15/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种通孔木工钻，包括钻头杆体和尖锥状的切削引导部，在钻头杆体上设有主切削部，在钻头杆体末端段设有夹持部，在钻头杆体的主切削部前端设有收缩台阶，切削引导部设置在收缩台阶的前端。本实用新型适用于各种通孔木工钻中。
木工

[外观设计]通孔牙刷杯-CN202030433820.6有效
发明人：陈望挺 -专利权人：陈望挺
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： 07-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：通孔牙刷杯。2.本外观设计产品的用途：用于储水的牙刷杯，并可以放置牙刷。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
牙刷

[外观设计]活字印章（通孔）-CN202030631605.7有效
发明人：朱吉牧 -专利权人：朱吉牧
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： 19-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：活字印章（通孔）。2.本外观设计产品的用途：用于排版、定制印章，端面活字可以根据需要定制雕刻不同文字。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
活字印章通孔

[外观设计]通孔钻头（TCT）-CN202030644726.5有效
发明人：金勇;陈华勇 -专利权人：成都欣巨力精密工具有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： 08-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：通孔钻头（TCT）。2.本外观设计产品的用途：用于在刨花板、中纤板以及多层板上钻通孔。3.本外观设计产品的设计要点：在于主视图。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
钻头 tct

[发明专利]晶片通孔形成-CN200780037549.6有效
发明人：约翰·特雷扎 -专利权人：丘费尔资产股份有限公司
申请日： 2007-10-15 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：在完全处理的晶片中的导电通孔形成的方法包括：在所述完全处理的晶片的后侧上限定至少一个沟道区域，在所述沟道区域之内形成至少一个沟道到总深度，其将允许在所述沟道之内形成的通孔遍及它的整体长度被引晶，在进入所述完全处理的晶片之内的沟道之内形成所述通孔到预定深度，沉积籽晶层遍及所述通孔的整体长度，以及电镀所述籽晶层以用导电金属填充所述通孔。
晶片形成

[发明专利]同轴硅通孔-CN201080049019.5有效
发明人： R.P.沃兰特;M.G.法鲁克;P.F.芬德伊斯;K.S.佩特拉卡 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-10-14 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种硅通孔(TSV)结构，其在硅衬底(40)内形成独特的同轴互连或三轴互连。所述TSV结构提供有两个或更多独立电导体(50、60)，所述电导体彼此绝缘且与衬底绝缘。
同轴硅通孔

[发明专利]直通衬底通孔-CN201080016069.3有效
发明人：保罗·W·桑德斯;迈克尔·F·彼得拉斯;钱德拉塞卡拉姆·拉米亚 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2010-03-23 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在基本上所有的用于形成接近于衬底晶片(20、20’)的前表面(23)的第一厚度(27)的设备区域(26)所需的高温操作之后，提供直通衬底通孔(TSV)，通过以下步骤来实现：(i)形成前表面(23)，形成包含第一导体(36、36’)的第一纵横比的相对较浅的通孔(30、30’)，其优选地延伸通过第一厚度(27)但是不通过初始晶片(20)厚度(21)；(ii)从后表面(22)移除材料(22”)，以形成具有新的后表面(22’)的更小最终厚度(21’)的修改晶片(20’)；和(iii)从新的后表面(22’)形成其中具有接触第一导体(36、36’)的第二导体(56、56’)的设备区域(26)之下的第二纵横比的更深的通孔(40
直通衬底

[发明专利]通孔检查装置-CN201080006250.6无效
发明人：笹井昌年 -专利权人：玛机统丽公司
申请日： 2010-01-29 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： G01N21/956 文献下载
摘要：本发明不提取边缘而能够准确地检查通孔的位置偏离。在检查焊盘(81)的通孔(84)的形成状态时，事先设定焊盘(81)的坐标位置及焊盘RGB信息、除外RGB信息。
检查装置

[发明专利]硅通孔深孔填充工艺-CN201310750385.9有效
发明人：侯珏 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅通孔深孔填充工艺，用于提高硅通孔深孔填充的薄膜覆盖率，工作步骤如下：步骤A1，向磁控溅射设备中通入工艺气体；步骤A2，用第一射频功率、第一气压对硅通孔进行薄膜沉积；步骤A3，用第二射频功率、第二气压对硅通孔进行薄膜沉积，重复步骤A2和A3，直至硅通孔内部薄膜覆盖率均匀，且达到所需的厚度。本发明的硅通孔深孔填充工艺，工艺设计简单合理，通过采用第一射频功率与第二射频功率交替进行薄膜沉积，提升了硅通孔深孔填充的薄膜覆盖率，可以完美的支持后续的电镀工艺，提高产能。
硅通孔深孔填充工艺