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[发明专利]多芯光纤布拉格光栅的飞秒激光选芯刻栅装置及方法-CN202210616596.2在审
发明人：杨德兴;李俊忠;姜亚军;刘驰 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种多芯光纤布拉格光栅(MCFBG)的飞秒激光选芯刻栅装置及方法，飞秒激光依次穿过柱透镜及相位掩模板后实现聚焦和干涉，聚焦后的飞秒激光在焦线处的光强呈明暗相间的干涉条纹，利用聚焦后的干涉条纹曝光多芯光纤的纤芯，在光纤调节过程中，将其固定在一高精度的微位移平台上，先将飞秒激光的强度调节至纤芯阈值之下，利用显微成像系统获取纤芯受飞秒激光照射而激发的荧光，来准确判断飞秒激光在纤芯内的聚焦位置，并精确调节光纤使飞秒激光聚焦在选定的纤芯上，然后将飞秒激光的强度调节至纤芯阈值以上，即可在该纤芯内制备出光纤布拉格光栅，根据多芯光纤的结构参数，通过旋转光纤，重复上述操作，即可在多芯光纤的不同纤芯内刻写出设定波长的光栅结构。本制作方法和装置具有操作方便、过程可视化、精度高等优点，可广泛应用于多芯光纤中的MCFBG制备。
光纤布拉格光栅激光选芯刻栅装置方法

[发明专利]分栅式闪存的擦除方法-CN201310261455.4有效
发明人：顾靖 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：一种分栅式闪存的擦除方法，所述分栅式闪存包括第一控制栅、第二控制栅、源极区域、漏极区域和字线，所述擦除方法包括在第一时刻与第二时刻之间，施加第一负电压至所述第一控制栅和第二控制栅；在所述第二时刻与第三时刻之间，施加第二负电压至所述第一控制栅和第二控制栅，所述第二负电压的绝对值大于所述第一负电压的绝对值，所述第二时刻与第三时刻之间的时间占所述第一时刻与第三时刻之间的时间的10%至20%；在所述第一时刻与第三时刻之间本发明技术方案提供的分栅式闪存的擦除方法，能够减缓所述分栅式闪存中隧穿氧化层的退化速度，提高所述分栅式闪存的耐久性。
分栅式闪存擦除方法

[发明专利]屏蔽栅功率MOSFET器件及其制作方法-CN201810757764.3在审
发明人：颜树范 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种屏蔽栅功率MOSFET器件。本发明还公开了一种屏蔽栅功率MOSFET器件制作方法，准备一外延基片，对所述外延基片进行沟槽光刻刻蚀，形成沟槽；在沟槽中形成侧壁介电层；在已经形成的侧壁介电层中进行屏蔽栅填充并回刻至外延基片表面；对屏蔽栅继续进行回刻，使屏蔽栅回刻至外延基片表面以下；在沟槽内进行第二介电层填充并回刻至外延基片表面以下；在沟槽内和外延基片的表面淀积控制栅，屏蔽栅引出处淀积的控制栅向沟槽两侧填充；对控制栅进行回刻，使控制栅回刻至外延基片表面，形成控制栅。
外延基片屏蔽栅回刻控制栅功率MOSFET器件介电层填充侧壁制作表面淀积淀积光刻

[发明专利]去除伪栅的方法-CN201410239069.X有效
发明人：张海洋;张城龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种去除伪栅的方法，在去除伪栅的步骤中，通过采用脉冲等离子体刻蚀对所述伪栅进行第一刻蚀，去除部分厚度的伪栅；采用表面波等离子体刻蚀对剩余的伪栅进行第二刻蚀，去除部分厚度的伪栅；采用湿法刻蚀对剩余的伪栅进行第三刻蚀，将伪栅去除，使所述开口露出所述衬底。在采用脉冲等离子体刻蚀对所述伪栅进行第一刻蚀，在第一刻蚀结束时，尺寸较大的伪栅与尺寸较小的伪栅的厚度基本相同，使最终形成的在采用表面波等离子体刻蚀对剩余的伪栅进行第二刻蚀的过程中，表面波等离子体刻蚀产生的等离子体具有较低的电子温度
去除方法

[发明专利]闪存器件的制造方法-CN201610264764.0有效
发明人：徐涛;曹子贵;王卉;陈宏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：一种闪存器件的制造方法，包括：图形化硬掩膜层形成贯穿所述硬掩膜层厚度的开口；采用第一刻蚀工艺刻蚀去除位于所述开口下方的第一厚度的浮栅层，其中，依据进行所述第一刻蚀工艺前位于开口下方的浮栅层的初始厚度，确定所述第一刻蚀工艺的刻蚀时长，使得所述第一刻蚀工艺完成后的浮栅层的厚度为固定值；在进行所述第一刻蚀工艺之后，采用第二刻蚀工艺刻蚀去除第二厚度的浮栅层，且还刻蚀去除位于硬掩膜层下方的部分浮栅层，在所述硬掩膜层下方形成浮栅尖端区域，其中，所述第二刻蚀工艺的刻蚀时长为固定时长。本发明提高了形成的浮栅尖端形貌稳定性，使得制造的闪存器件良率得到改善。
闪存器件制造方法

[发明专利]平面变栅距光栅的优化设计方法-CN201410521344.7无效
发明人：巴音贺希格;姜岩秀;李文昊;杨硕;赵旭龙;吴娜 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：平面变栅距光栅的优化设计方法，涉及光谱技术领域，解决现有方法制作的变栅距光栅的刻线密度函数与期望刻线密度函数存在较大的误差的问题，利用球面波曝光系统，获得平面变栅距光栅的子午线期望刻线密度函数，根据变栅距光栅的光程函数，获得平面光栅的离焦，子午彗差，球差，根据光栅方程、期望刻线密度函数和离焦F₂₀，子午彗差F₃₀和球差F₄₀的值，令变栅距光栅聚焦，彗差以及球差等于零，获得平面变栅距光栅的期望刻线密度函数系数优化球面波记录参数，将光栅基底表面各点期望刻线密度与设计刻线密度误差的平方的积分函数作为目标函数进行优化，并求得最小值，实现平面变栅距光栅的优化设计；本发明缩短计算时间
平面变栅距光栅优化设计方法

[发明专利]一种新型阵列式指示光栅结构及其生产工艺-CN201911237831.X在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：广东光栅数显技术有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型阵列式指示光栅结构及其生产工艺，包括基板和安装在基板中的圆形光学玻璃，所述圆形光学玻璃中部设有多个指示光栅刻线，指示光栅刻线阵列式横向排列，相邻两个指示光栅刻线之间的栅距为38μm，指示光栅刻线为矩形且栅宽为19μm，指示光栅刻线上方设有零位基准电压光栅窗口而下方设有零位光栅窗口，指示光栅刻线阵列式横向排列，制造简单方便便于大批量生产，而栅距为38μm、栅宽为19μm的指示光栅与栅距为40μm、栅宽为40μm
指示光栅刻线阵列式栅距栅宽圆形光学玻璃横向排列基板准确度光栅零位光栅零位基准位移信号相位标准主光栅生产工艺配合制造生产

[发明专利]一种阵列式指示光栅结构及其生产工艺-CN201911240318.6在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：广东光栅数显技术有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种阵列式指示光栅结构及其生产工艺，包括基板和安装在基板中的圆形光学玻璃，所述圆形光学玻璃中部设有多个指示光栅刻线，指示光栅刻线阵列式横向排列，相邻两个指示光栅刻线之间的栅距为19.5μm，指示光栅刻线为矩形且栅宽为9.75μm，指示光栅刻线上方设有零位基准电压光栅窗口而下方设有零位光栅窗口，指示光栅刻线阵列式横向排列，制造简单方便便于大批量生产，而栅距为19.5μm、栅宽为9.75μm的指示光栅与栅距为20μm、栅宽为10μm的主光栅相配合能够形成相位标准，提高位移信号准确度。
一种阵列指示光栅结构及其生产工艺

[实用新型]一种新型阵列式指示光栅结构-CN201922163028.8有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：广东光栅数显技术有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型阵列式指示光栅结构，包括基板和安装在基板中的圆形光学玻璃，所述圆形光学玻璃中部设有多个指示光栅刻线，指示光栅刻线阵列式横向排列，相邻两个指示光栅刻线之间的栅距为38μm，指示光栅刻线为矩形且栅宽为19μm，指示光栅刻线上方设有零位基准电压光栅窗口而下方设有零位光栅窗口，指示光栅刻线阵列式横向排列，制造简单方便便于大批量生产，而栅距为38μm、栅宽为19μm的指示光栅与栅距为40μm、栅宽为40μm
一种新型阵列指示光栅结构

[实用新型]一种阵列式指示光栅结构-CN201922168338.9有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：广东光栅数显技术有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种阵列式指示光栅结构，包括基板和安装在基板中的圆形光学玻璃，所述圆形光学玻璃中部设有多个指示光栅刻线，指示光栅刻线阵列式横向排列，相邻两个指示光栅刻线之间的栅距为19.5μm，指示光栅刻线为矩形且栅宽为9.75μm，指示光栅刻线上方设有零位基准电压光栅窗口而下方设有零位光栅窗口，指示光栅刻线阵列式横向排列，制造简单方便便于大批量生产，而栅距为19.5μm、栅宽为9.75μm的指示光栅与栅距为20μm、栅宽为10μm的主光栅相配合能够形成相位标准，提高位移信号准确度。
一种阵列指示光栅结构

[发明专利]存储器装置及该存储器装置的制造方法-CN202211323174.2在审
发明人：韩允哲 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：一种存储器装置包括交替地层叠在下结构上的隔离层和栅结构、以及贯穿隔离层和栅结构的隧道隔离层。存储器装置还包括沿隧道隔离层的内壁形成的沟道层；以及沿沟道层的内壁形成的芯插塞。每个栅结构包括：围绕隧道隔离层的外壁的浮置栅；围绕浮置栅的外壁的第一介电层；围绕第一介电层的外壁的第二介电层；围绕第二介电层的外壁的第三介电层；以及形成在隔离层之间的选通线，选通线填充被第三介电层至少部分地围绕的区域
存储器装置制造方法

[发明专利]薄膜太阳能电池组件及其制备方法-CN202011133997.X在审
发明人：田晶;赵剑;吴华;张传升;郭凯 -专利权人：重庆神华薄膜太阳能科技有限公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本公开提供一种薄膜太阳能电池组件及其制备方法，所述电池组件包括贯穿所述导电窗口层、所述缓冲层和所述吸收层，且位于所述第一竖向刻槽一侧的第二竖向刻槽；位于所述第二竖向刻槽内的第一栅线；其中，所述第一栅线不与所述第二竖向刻槽远离所述第一竖向刻槽的侧壁接触；位于所述导电窗口层表面，分别设置于所述第一栅线两侧且平行于所述第一栅线的第二栅线和第三栅线，以及位于所述导电窗口层表面且垂直于所述第一栅线的若干第四栅线。通过减少一道深刻槽，避免了死区的产生，提高了薄膜太阳电池组件有效发电面积，第一栅线、第二栅线、第三栅线和第四栅线构成了栅线网络，实现子电池互联，提高电流收集效率。
薄膜太阳能电池组件及其制备方法

[发明专利]一种基于不同划线的薄膜太阳能电池结构及其制备方法-CN202110517032.9在审
发明人：许世森;李新连;肖平;黄斌;丁坤;赵东明;赵志国;秦校军;熊继光;张赟;李梦洁;刘家梁;王百月;王森 -专利权人：华能新能源股份有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于不同划线的薄膜太阳能电池结构及其制备方法，属于薄膜太阳能电池制备技术领域，从下至上依次包括基板、底电极、PN结区膜层、TCO层和栅线；P2刻线槽和栅线槽内均填充有导电材料，因P2刻线槽内含金属膜层，且和栅线相连，在刻划P3刻线槽时P2刻线槽内的金属栅线不易被剥离。使得栅线内的导电材料和底电极直接接触，降低了串联电阻。本发明的太阳能电池结构解决了在P2刻线槽内，栅线和背电极层的接触问题，同时解决了P3刻划时，P2槽内的栅线剥离的问题，进而解决了现有技术中欧墨太阳能电池因栅线和背电极接触导致电池热效应严重的问题。
一种基于不同划线薄膜太阳能电池结构及其制备方法

[实用新型]一种基于不同划线的薄膜太阳能电池结构-CN202121016542.X有效
发明人：许世森;李新连;肖平;黄斌;丁坤;赵东明;赵志国;秦校军;熊继光;张赟;李梦洁;刘家梁;王百月;王森 -专利权人：华能新能源股份有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于不同划线的薄膜太阳能电池结构，属于薄膜太阳能电池制备技术领域，从下至上依次包括基板、底电极、PN结区膜层、TCO层和栅线；P2刻线槽和栅线槽内均填充有导电材料，因P2刻线槽内含金属膜层，且和栅线相连，在刻划P3刻线槽时P2刻线槽内的金属栅线不易被剥离。使得栅线内的导电材料和底电极直接接触，降低了串联电阻。本实用新型的太阳能电池结构解决了在P2刻线槽内，栅线和背电极层的接触问题，同时解决了P3刻划时，P2槽内的栅线剥离的问题，进而解决了现有技术中欧墨太阳能电池因栅线和背电极接触导致电池热效应严重的问题。
一种基于不同划线薄膜太阳能电池结构

[发明专利]去除伪栅多晶硅表面硬质掩膜层的方法-CN202210745942.7在审
发明人：徐晓林;曹亚民 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种去除伪栅多晶硅表面硬质掩膜层的方法，提供衬底，衬底上形成有伪栅，伪栅包括由自下而上的伪栅多晶硅层、氮化层和氧化层以及依次形成于伪栅侧壁上的第一、二侧墙，伪栅的表面形成有第一刻蚀停止层；刻蚀去除第一刻蚀停止层和第二侧墙；在衬底上形成覆盖刻蚀后伪栅的第二刻蚀停止层；形成覆盖第二刻蚀停止层的第一层间介质层，之后研磨第一层间介质层至第二刻蚀停止层的上方；回刻第一层间介质层，使得氧化层去除；形成覆盖剩余的第一层间介质层、氮化层、第二刻蚀停止层、第一侧墙的第二层间介质层；研磨第二层间介质层至伪栅多晶硅层的上方。
去除多晶表面硬质掩膜层方法

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