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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]存储器装置及该存储器装置的制造方法-CN202211323174.2在审
  • 韩允哲 - 爱思开海力士有限公司
  • 2022-10-27 - 2023-09-29 - H10B43/35
  • 本申请涉及存储器装置及该存储器装置的制造方法。一种存储器装置包括交替地层叠在下结构上的隔离层和栅结构、以及贯穿隔离层和栅结构的隧道隔离层。存储器装置还包括沿隧道隔离层的内壁形成的沟道层；以及沿沟道层的内壁形成的芯插塞。每个栅结构包括：围绕隧道隔离层的外壁的浮置栅；围绕浮置栅的外壁的第一介电层；围绕第一介电层的外壁的第二介电层；围绕第二介电层的外壁的第三介电层；以及形成在隔离层之间的选通线，选通线填充被第三介电层至少部分地围绕的区域。
  • 存储器装置制造方法
  • [发明专利]包括选择线的存储器设备-CN202310040179.2在审
  • 韩允哲;金南局;宋大路 - 爱思开海力士有限公司
  • 2023-01-13 - 2023-09-19 - H10B43/40
  • 本公开的实施例涉及包括选择线的存储器设备。本公开涉及存储器设备，存储器设备包括：第一存储器块，包括第一单元插塞组和第二单元插塞组；第二存储器块，包括第三单元插塞组和第四单元插塞组；连接区域，位于第一存储器块和第二存储器块之间；第一源极选择线，被共同耦合到第一单元插塞组和第三单元插塞组；第二源极选择线，被耦合到第二单元插塞组；以及第三源极选择线，被耦合到第四单元插塞组。
  • 包括选择存储器设备
  • [发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202111324832.5在审
  • 金昶汉;韩允哲;李顺柱 - 爱思开海力士有限公司
  • 2021-11-10 - 2022-09-20 - H01L27/11556
  • 本发明提供半导体装置及半导体装置的制造方法。所述半导体装置可以包括：栅极结构，其包括交替层叠的绝缘层和控制栅极；沟道层，其穿透所述栅极结构；浮置栅极，其分别位于所述控制栅极和所述沟道层之间；第一阻挡图案，其分别位于所述控制栅极和所述浮置栅极之间；以及第二阻挡图案，其位于所述第一阻挡图案和所述控制栅极之间并且位于所述控制栅极和所述绝缘层之间，所述第二阻挡图案包括介电常数高于所述第一阻挡图案的介电常数的材料。
  • 半导体装置制造方法
  •  1 
  • 共 3 条
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