专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]均布进料多层共挤吹膜机头-CN99223532.4无效
  • 孙洪举 - 孙洪举
  • 1999-04-16 - 2000-04-12 - B29C47/30
  • 一种均布进料多层共挤吹膜机头,有机头体、机头体前端模口、设置在机头体内膜口后设有相套两层以上的螺旋体,各层螺旋体流道分别与各自均布的分支流道连通,各层分支流道向机头后段延伸汇聚到各层的中部,与各层从侧面到中部的主流道连通原料从主流道进入到中部,再从中部分散到均布的多条分支流道,形成了均匀分布连通的进料流道,易形成均匀质量的多层膜。
  • 进料多层吹膜机
  • [发明专利]一种节能型蒸柜-CN201310694950.4在审
  • 钟景如 - 东莞市微电环保科技有限公司
  • 2013-12-16 - 2015-05-27 - A47J27/13
  • 本发明公开了一种节能型蒸柜,包括2层以上的蒸屉和2个以上的蒸汽进气管,还包括蒸汽储备箱,蒸汽储备箱通过蒸汽进气管分别连通各层蒸屉的下部。蒸汽储备箱蓄积蒸汽,蒸汽储备箱通过蒸汽进气管依次向各层蒸屉的下部提供蒸汽,能够直接给各层蒸屉提供热量,避免发生蒸柜上下各层蒸屉内的食品熟度不一的情形,使得各层蒸屉内的食品获得一致的加工火候,大大提高食品的加工质量
  • 一种节能型
  • [实用新型]一种节能型蒸柜-CN201320835961.5有效
  • 钟景如 - 东莞市微电环保科技有限公司
  • 2013-12-16 - 2014-09-24 - A47J27/13
  • 本实用新型公开了一种节能型蒸柜,包括两层以上的蒸屉和两个以上的蒸汽进气管,还包括蒸汽储备箱,蒸汽储备箱通过蒸汽进气管分别连通各层蒸屉的下部。蒸汽储备箱蓄积蒸汽,蒸汽储备箱通过蒸汽进气管依次向各层蒸屉的下部提供蒸汽,能够直接给各层蒸屉提供热量,避免发生蒸柜上下各层蒸屉内的食品熟度不一的情形,使得各层蒸屉内的食品获得一致的加工火候,大大提高食品的加工质量
  • 一种节能型
  • [实用新型]一种用于楼房的废水回收利用装置-CN200820052919.5无效
  • 钱启先;钱川;朱莺 - 钱启先
  • 2008-04-21 - 2009-04-15 - E03C1/12
  • 一种用于楼房的废水回收利用装置,它主要由蓄水箱、水泵、管道、龙头组成,其特征在于:设在住宅楼顶的蓄水箱,连接再生水管的上段,再生水管上段的端头设有漂浮开关,漂浮天关的下方,设有一斜插入蓄水箱下方的供水管,再生水管的中段连通各层用户的龙头及户外龙头,再生水管下段的端头,连接汇集池中的潜水泵;废水回收管的上端连接楼顶的天沟,中间由上至下连通各层用户的废水回收分管,下端通过滤灭菌器连通汇集池;汇集池还连接有连通管与溢水管,连通管连接其它住宅楼的汇集池或再生水源,溢水管连通地沟的上部,接受雨水流入。由于本实用新型采用了上述结构,使得整栋房的废水集中收集、集中处理、集中储存充分的分配给各层用户。
  • 一种用于楼房废水回收利用装置
  • [实用新型]一种纺织厂多层厂房空调系统-CN200920275803.2有效
  • 朱双霞;胡学英 - 石家庄常山恒新纺织有限公司
  • 2009-12-25 - 2010-10-13 - F24F3/044
  • 一种纺织厂多层厂房空调系统,它包括回风室、喷淋室、送风室、风机和送风道、回风道,改进后,所述系统共用一套回风室、喷淋室和送风室,各层厂房分别设有独立的送风道和回风道,所述各层回风道分别连通回风室,所述各层送风道分别连通送风室本实用新型优点如下:1.占地面积小、空间布局简单,可减少设备投入量,明显降低厂房建设的初投资费用;2.厂房投入使用后,空调设备便于调节,运应管理成本低;3.实施简单、易于土建、电气等相关工程的施工;4.能满足厂房各层空气调节性能的要求
  • 一种纺织厂多层厂房空调系统
  • [发明专利]硅穿孔互连结构及其制备方法-CN201811270746.9在审
  • 不公告发明人 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2018-10-29 - 2020-05-05 - H01L23/48
  • 本发明涉及半导体技术领域,提出一种硅穿孔互连结构及其制备方法,可以包括多层基体和连接导线;多层基体的各层基体上均设置有多个硅穿孔,且各层基体依次错位堆叠设置使硅穿孔部分连通;连接导线设于硅穿孔内,以连通多层基体上的对应电路本发明利用基体的错位设置,使得各层基体上的硅穿孔错位连接来达到硅穿孔(TSV)跳线的需求,可以不使用RDL制成;该硅穿孔互连结构良率较好,可以降低生产耗时和生产成本。
  • 穿孔互连结构及其制备方法

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