|
钻瓜专利网为您找到相关结果 3279964个,建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]静电保护器件-CN202010717110.5在审
-
许杞安
-
长鑫存储技术有限公司
-
2020-07-23
-
2022-01-25
-
H01L27/02
- 本发明涉及一种静电保护器件,包括:达林顿结构,形成于衬底内,达林顿结构的第一端接第一电压,达林顿结构的第二端接第二电压;二极管串,形成于衬底内,包括若干个串联的二极管;二极管串的阳极接达林顿结构的第三端,二极管串的阴极接第二电压。当静电保护器件处于静电环境中时,进入到静电保护器件内部的瞬时高压会触发静电保护器件内的达林顿结构,从而将静电电流泄出去,可以通过调整二极管串中二极管的个数来调节静电保护器件的泄放静电电流的触发电压,以使其可以与半导体器件本身相适配,触发电压低且触发电压可调,且达林顿结构与二极管串面积都较小,使得静电保护器件在具有较强的静电保护能力的同时具有面积小的优点。
- 静电保护器件
- [实用新型]一种ESD保护电路-CN201721470177.3有效
-
张军亮;陈利
-
福建晋润半导体技术有限公司
-
2017-11-07
-
2018-05-15
-
H01L27/02
- 本实用新型公开了一种ESD保护电路,包括GCNMOS结构、达林顿复合晶体管和电阻R1、R2;所述GCNMOS结构包括NMOS管、电容C和电阻Rp;所述NPN1和NPN2的基极分别通过所述电阻R1、R2连接到GND,所述NPN1和NPN2的集电极和所述NMOS管的漏极连接到PAD。本实用新型采用GCNMOS触发达林顿晶体管来泄放ESD瞬态电流;与GGNMOS触发的达林顿晶体管相比,GCNMOS触发结构具有触发电压Vt1较GGNMOS低且易于调控的优点;本实用新型中GCNMOS对ESD瞬态电流的响应比达林顿晶体管更快,且GCNMOS在多指(multi‑fingers)结构下能够均匀开启,具有GCNMOS和达林顿晶体管两条电流泄放路径,对受保护器件的ESD保护更有效。
- 一种esd保护电路
- [发明专利]一种高压电流监控电路-CN201611056816.1有效
-
赵明;王勇
-
西安微电子技术研究所
-
2016-11-25
-
2019-04-02
-
G01R19/00
- 包括第一运放和第二运放;第一运放连接母线电压和正电源供电,第一运放包括连接在母线电压和负电源之间的分压电路;第一运放的同相输入端和反相输入端分别通过电阻R1和电阻R2连接在高边采样电阻的两端,第一运放的输出端连接输出达林顿管的基极,第一运放的分压输出端分别连接对应的分压达林顿管的基极,分压达林顿管依次级联在第一运放的同相输入端和输出达林顿管的集电极之间,输出达林顿管的发射极经电阻R3接地;第二运放连接第一运放的分压输出端和正电源供电;第二运放的同相输入端连接输出达林顿管的发射极;反相输入端分别经电阻R4接地,经电阻R5连接第二运放的输出端;输出端输出监控信号。
- 一种高压电流监控电路
|