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[实用新型]边缘环组件-CN201420063262.8有效
发明人： A·帕尔;A·阿加瓦尔;A·源;J·崔;J·Z·何 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-02-12 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开用于硅基板处理的高性能和持久边缘环。提供一种具有可嵌套在一起的外环主体和内环主体的边缘环组件。外环主体由石英材料制造且具有顶表面和基本上平行于顶表面的多个底表面。外环主体具有第一环形台阶、第二环形台阶和第三环形台阶。内环主体由碳化硅材料制造。边缘环组件可用于半导体处理腔室中。
边缘组件

[发明专利]一种边缘环组件、边缘环更换方法以及静电卡盘-CN202011293552.8在审
发明人：金根浩;周娜;李俊杰;李琳;王佳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种边缘环组件、边缘环更换方法以及静电卡盘，属于半导体制造技术领域，用以解决现有技术中边缘环的维修和养护的操作复杂、耗时长的问题。本发明的边缘环组件，包括多个沿轴向堆叠的边缘环、驱动边缘环沿轴向运动的升降组件以及用于移动顶部的边缘环的机械手。本发明的边缘环更换方法为开启升降组件，升降组件驱动多个边缘环向上运动，顶部的边缘环移出晶圆制造区域，机械手将顶部的边缘环移至反应室外，位于顶部的边缘环下方且与顶部边缘环相邻的边缘环进入晶圆制造区域，作为新的边缘环，从而完成边缘环的更换。本发明的边缘环组件、边缘环更换方法以及静电卡盘可用于晶圆制造。
一种边缘组件更换方法以及静电卡盘

[发明专利]带有介电间隔环的边缘环组件-CN200680028968.9有效
发明人：杰里米·张;安德烈亚斯·菲舍尔;巴巴克·卡德库达彦 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2006-07-24 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：边缘环组件围绕等离子体蚀刻室中基片支撑件表面。该边缘环组件包括边缘环和介电间隔环。该介电间隔环围绕该基片支撑件表面并且在径向方向上被该边缘环围绕，该介电间隔环配置为将该边缘环与该基板绝缘。围绕该基片支撑件表面整合该边缘环组件可降低在基片下侧和沿该基片边缘的聚合物堆积，并可增加基片的等离子体蚀刻均一性。
带有间隔边缘组件

[发明专利]底部边缘环和中部边缘环-CN201780088065.8在审
发明人：希兰·拉吉塔·拉斯那星赫;肖恩·E·S·东海林;乔恩·麦克切斯尼 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：一种底部环被配置为支撑可移动的边缘环。所述边缘环被配置为相对于衬底支撑件升高和降低。所述底部环包括：上表面，所述上表面是台阶状的；环形内径；环形外径；下表面；和多个竖直引导通道，其穿过底部环从所述底部环的所述下环表面到所述上表面提供。所述引导通道中的每一个包括直径小于所述引导通道的第一区域，并且所述引导通道被配置接收用于使所述边缘环升高和降低的相应的升降销。
引导通道边缘环底部环上表面升高衬底支撑件底部边缘第一区域配置接收可移动升降销台阶状下表面竖直下环配置穿过支撑

[外观设计]边缘环-CN202130060384.7有效
发明人：劳建邦;弗拉基米尔·纳戈尔尼;刘炜;特里萨·克莱默·瓜里尼;伯纳德·L·黄;马尔科姆·J·贝文;雅各布·亚伯拉罕;斯韦安布·普拉萨德·贝赫拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： 15-09 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：边缘环。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用作在半导体加工机械设备中使用的用于基板处理系统的边缘环。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
边缘

[发明专利]一种边缘环组件，薄膜生长装置、系统及方法-CN202111661018.2在审
发明人：张辉;姜银鑫 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明公开了一种边缘环组件，一种薄膜生长反应腔和系统以及一种薄膜生长方法，所述边缘环组件位于一薄膜生长反应腔内，所述反应腔内设置一支撑基片的托盘，所述边缘环组件环绕设置于所述托盘外围，所述边缘环组件包括一边缘调整环和一边缘支撑环；所述边缘调整环包括若干支撑桩；所述边缘支撑环在圆周方向上具有若干个支撑区间，同一支撑区间内设有不同高度的支撑面；当所述支撑桩的底面与不同高度的支撑面接触时可以实现对所述边缘调整环高度的调整。本发明可以延长边缘环组件的维护时间，提高薄膜生长反应腔的使用效率。
一种边缘组件薄膜生长装置系统方法

[实用新型]处理腔室、等离子体筛设备以及基板支撑设备-CN201921485674.X有效
发明人： H·诺巴卡施;A·侯赛因;R·若林 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开内容总体上涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体鞘层的设备。设备涉及包括具有边缘环电极的边缘环组件和具有夹持电极的静电吸盘的处理腔室和/或基板支撑件。边缘环组件定位为与静电吸盘相邻，诸如边缘环组件定位在静电吸盘的外部或周围。边缘环组件包括基部和定位在基部上方的帽，其中边缘环电极定位在帽与基部之间。边缘环电极的基部可以包括内凹槽和/或外凹槽，其中帽包括延伸到内凹槽和/或外凹槽中的一个或多个唇缘。一个或多个硅环和/或绝缘环定位为与边缘环组件相邻。
处理等离子体设备以及支撑

[发明专利]晶圆承载装置和半导体工艺设备-CN202210766411.6有效
发明人：高瑞;姜艳杰 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本申请公开一种晶圆承载装置和半导体工艺设备，包括基座、边缘保护环组件、第一检测组件和驱动组件，基座用于承载晶圆且内部具有空腔，边缘保护环组件包括边缘保护环、保护环支撑件和多个保护环连接杆，保护环支撑件间隔设置于基座的下方，多个保护环连接杆均设置于保护环支撑件且与边缘保护环相连；驱动组件设置于空腔内且与保护环支撑件相连，用于驱动保护环支撑件以带动边缘保护环沿竖直方向在传片位置和工艺位置之间移动；第一检测组件用于检测保护环支撑件和基座之间的距离，在基座承载晶圆时，驱动组件根据距离驱动保护环支撑件移动，以调节边缘保护环的工艺位置。该方案能够解决工艺过程中边缘保护环与晶圆之间的间距较为固定的问题。
承载装置半导体工艺设备

[发明专利]衬底处理系统中的中环腐蚀补偿-CN202080098961.4在审
发明人：韩慧玲;施萨拉曼·拉马钱德兰 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种衬底处理系统包括衬底支撑组件，其用于在所述衬底处理系统中处理半导体衬底期间支撑所述半导体衬底。第一边缘环被设置在所述衬底支撑组件周围。所述第一边缘环能相对于所述衬底支撑组件移动。第二边缘环被设置在所述衬底支撑组件周围并且位于所述第一边缘环下方。控制器被配置为基于所述第一边缘环和所述第二边缘环的腐蚀补偿所述第一边缘环的高度。
衬底处理系统中的腐蚀补偿

[实用新型]防爆插接装置的插座-CN201420370551.2有效
发明人：潘祥元;戴海峰;何小玉 -专利权人：乐清市长征电器开关厂
申请日： 2014-07-04 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01R13/52 文献下载
摘要：本实用新型提供的防爆插接装置的插座技术方案是：包括绝缘套筒以及装配在绝缘套筒之中的绝缘接触组件，绝缘接触组件包括绝缘静套和绝缘动套，绝缘静套相对绝缘套筒静止装配，绝缘动套相对绝缘套筒转动装配，所述绝缘静套设有凹腔、边缘静环以及边缘静环缺，所述绝缘动套设有凸柱、边缘动环以及边缘动环缺，凸柱装配在凹腔中，边缘静环装配在边缘动环缺中，边缘动环装配在边缘静环缺中，凹腔设有静触头组件，凸柱设有动触头组件，静触头组件与凹腔固定装配，动触头组件与凸柱)固定装配。
防爆插接装置插座

[发明专利]用于在等离子体处理腔室中的基板支撑件的边缘环组件-CN201910519152.5在审
发明人： H·诺巴卡施;A·侯赛因;R·若林 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开内容总体上涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体鞘层的设备和方法。所述设备涉及处理腔室和/或基板支撑件，所述处理腔室和/或所述基板支撑件包括具有边缘环电极的边缘环组件和具有夹持电极的静电吸盘。所述边缘环组件定位为与所述静电吸盘相邻，诸如边缘环组件定位在所述静电吸盘的外部或周围。所述边缘环组件包括基部和定位在所述基部上方的帽，其中所述边缘环电极定位在所述帽与所述基部之间。所述边缘环电极的所述基部可以包括内凹槽和/或外凹槽，其中所述帽包括延伸到所述内凹槽和/或所述外凹槽中的一个或多个唇缘。一个或多个硅环和/或绝缘环定位为与所述边缘环组件相邻。
用于等离子体处理中的支撑边缘组件

[实用新型]用于在等离子体处理腔室中的基板支撑件的边缘环组件-CN201920901163.5有效
发明人： H·诺巴卡施;A·侯赛因;R·若林 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开内容总体上涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体鞘层的设备和方法。所述设备涉及处理腔室和/或基板支撑件，所述处理腔室和/或所述基板支撑件包括具有边缘环电极的边缘环组件和具有夹持电极的静电吸盘。所述边缘环组件定位为与所述静电吸盘相邻，诸如边缘环组件定位在所述静电吸盘的外部或周围。所述边缘环组件包括基部和定位在所述基部上方的帽，其中所述边缘环电极定位在所述帽与所述基部之间。所述边缘环电极的所述基部可以包括内凹槽和/或外凹槽，其中所述帽包括延伸到所述内凹槽和/或所述外凹槽中的一个或多个唇缘。一个或多个硅环和/或绝缘环定位为与所述边缘环组件相邻。
边缘环组件基部静电吸盘边缘环电极基板支撑件处理腔室内凹槽外凹槽等离子体鞘层电极定位基板边缘绝缘环唇缘硅环夹持外部延伸

[发明专利]刻蚀装置-CN202110214350.8有效
发明人：刘佳;章诗;张天翼;蒋小波 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种刻蚀装置，包括：晶片承载结构；以及边缘环组件，围绕晶片承载结构的外周边缘且与所述晶片承载结构之间有间距，其中，边缘环组件包括：插入环、支撑环以及滑动环，插入环位于支撑环上，滑动环与插入环固定连接，用于调节插入环与支撑环之间的距离，插入环具有主体部与石英端，石英端靠近晶片承载结构。该刻蚀装置通过在插入环靠近晶片承载结构的一端设置石英端，改善在刻蚀工艺中由边缘环组件产生的颗粒对晶片边缘的影响。
刻蚀装置

[发明专利]等离子体处理装置及其晶圆边缘处理组件-CN201510985463.2有效
发明人：严利均;余东洋;黄秋平;刘身健;浦远 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于等离子体处理装置的晶圆边缘处理组件，所述晶圆边缘处理组件位于一电感耦合等离子体处理装置的刻蚀腔体内，所述刻蚀腔体内包括设置在底部的基座，基座上方设置有静电夹盘，晶圆设置在所述静电夹盘上；所述晶圆边缘处理组件包含边缘保护环、遮蔽环及阻挡环；所述的边缘保护环覆盖晶圆的边缘位置，所述的遮蔽环设置在边缘保护环的上方，所述的阻挡环设置在遮蔽环的上方，并与刻蚀腔体的内壁连接。本发明同时提供了包含这种晶圆边缘保护组件的等离子体处理装置。本发明可以阻挡过多的刻蚀气体进入到晶圆边缘，提高晶圆表面刻蚀均一性。
等离子体处理装置及其边缘组件

[发明专利]用于改善在晶片极端边缘的特征轮廓倾斜的边缘环组件-CN201610687047.9在审
发明人：威廉·博世;拉杰什·多来;塔马拉卡·潘达姆所朴恩;布雷特·理查森;詹姆斯·维特尔;帕特里克·钟 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及用于改善在晶片极端边缘的特征轮廓倾斜的边缘环组件，提供了边缘环组件，其包括配置成围绕静电卡盘(ESC)的上边缘环，所述ESC具有用于支撑衬底的顶表面和围绕顶表面的环形阶梯，所述环形阶梯限定低于所述顶表面的环形搁板，所述上边缘环被设置在环形搁板的上方；下内边缘环被设置在环形阶梯中的上边缘环的下方并被设置在环形搁板的上方，所述下内边缘环由导电材料限定，所述下内边缘环与所述ESC电绝缘；围绕所述内边缘环的下外边缘环，所述下外边缘环被设置在环形阶梯中的上边缘环的下方并被设置在所述环形搁板上方，下外边缘环由电绝缘材料限定。
用于改善晶片极端边缘特征轮廓倾斜组件

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