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- [发明专利]具有低K和超低K介电层的指状电容器-CN201910915854.5在审
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尹春山;洪全敏;陈瑜
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恩智浦有限公司
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2019-09-25
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2020-03-31
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H01L49/02
- 一种集成电路,所述集成电路具有指状电容器,所述指状电容器具有形成于多层结构中的倒置梯形沟槽中的多个金属指状物,所述多层结构具有在超低K介电层上方的抛光终止层,所述超低K介电层在低K介电层上方,所述低K介电层在介电顶盖层上方所述超低K介电层降低所述指状物之间的电容变化,同时所述抛光终止层防止原本会由对所述超低K介电层直接执行CMP引起的金属高度变化。分层结构可包括在所述抛光终止层上方的另一个低K介电层,所述另一个低K介电层为所述CMP提供软着垫。所述抛光终止层可在所述CMP抛光之后移除,并且可形成另一个超低K介电层以将所述金属指状物的顶部包封在所述超低K介电材料中。
- 具有介电层电容器
- [发明专利]一种半导体器件的形成方法-CN201010566057.X有效
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周鸣
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中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
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2010-11-29
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2012-05-30
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H01L21/768
- 一种半导体器件的形成方法,包括步骤:提供一半导体衬底,在所述半导体衬底上形成层间介电层;在所述层间介电层上形成第一光刻胶层并图形化,形成开口图形;以第一光刻胶层为掩膜,沿开口图形刻蚀至半导体衬底,形成开口;去除第一光刻胶层;在所述层间介电层上形成超低k介电层,并填充满开口;平坦化超低k介电层至露出层间介电层;在所述超低k介电层上形成第二光刻胶层,并形成沟槽或通孔图形;以第二光刻胶层为掩膜刻蚀超低k介电层本发明的半导体器件形成方法,可以减少在刻蚀、去光阻过程中对超低k介电层的损伤,从而减小超低k介电层k值发生漂移及电容发生大幅变化,提高半导体器件的稳定性和可靠性。
- 一种半导体器件形成方法
- [发明专利]一种制作半导体器件的方法-CN201310190106.8有效
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邓浩
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中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
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2013-05-21
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2017-05-10
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H01L21/768
- 本发明公开了一种制作半导体器件的方法,包括下列步骤,提供半导体衬底;在所述半导体衬底上形成第一超低k层间介电层和金属互连结构;刻蚀去除部分的所述第一超低k层间介电层,以使所述金属互连结构的顶部高于所述第一超低k层间介电层;在所述金属互连结构和所述第一超低k层间介电层上依次形成垫覆盖层和纳米颗粒薄膜层;去除部分的所述纳米颗粒薄膜层,以露出所述金属互连结构上方的所述垫覆盖层;在所述垫覆盖层和所述纳米颗粒薄膜层上形成第二超低k层间介电层;采用紫外线固化处理所述第二超低k层间介电层。根据本发明的制造工艺在金属互连结构上形成具有双应力的垫覆盖层,以避免在采用紫外线固化处理超低k介质层时产生较弱的电介质垫覆盖层接触面以及引起超低k层间介电层的力学失效,同时也避免了在界面处的铜传输和原子空洞的问题
- 一种制作半导体器件方法
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