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[发明专利]被处理基板的除电方法、基板处理装置、程序-CN200610067412.2有效
发明人：横内健;八木文子 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-03-27 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及的除电装置，不仅在对被处理基板的处理正常结束时，而且在对被处理基板的处理非正常结束时，也可以对被处理基板充分除电。在使吸附保持在载置台例如下部电极(120)的静电卡盘(122)的状态下，进行规定处理的被处理基板例如晶片(W)从静电卡盘(122)脱离情况下进行除电处理的基板处理装置中，判断在进行晶片(W)的除电前晶片(W)的规定处理是否正常结束，在判断为正常结束时，根据来自正常时除电条件信息存储部件的正常时除电条件信息设定除电条件，在判断为非正常结束时，根据来自非正常时除电条件信息存储部件的非正常时除电条件信息设定除电条件，根据设定的除电条件进行晶片(W)的除电处理。
处理方法装置程序

[发明专利]基板载置台、基板处理装置和被处理基板的温度控制方法-CN200910005160.4有效
发明人：佐佐木康晴 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-02-06 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明涉及基板载置台、基板处理装置和被处理基板的温度控制方法。在具有静电卡盘的基板载置台中，由于向静电卡盘电极供电的供电线的周围由绝缘材料包围，因而产生传热不良的部分。由此，提供一种补偿该部分的传热，使基板整体温度均匀的手段。在供电线周围的基板载置台表面形成有环状凸部，将基板与载置台之间的间隙的空间划分为内侧区域和外侧区域，在各区域配置冷却气体的供给管和排出管，独立地控制各区域冷却气体的压力。
基板载置台处理装置温度控制方法

[发明专利]基板处理方法和半导体装置的制造方法-CN200710104506.7有效
发明人：波多野正喜;浅见博 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-05-25 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法和半导体装置的制备方法。该基板处理方法包括步骤：将被处理基板的一侧表面接合到支撑基板；在被处理基板被支撑基板支撑的状态下处理被处理基板；以及从被处理基板除去支撑基板。将被处理基板接合到支撑基板的步骤包括熔化形成在被处理基板上以接合被处理基板到支撑基板的接合凸点，以及从被处理基板除去支撑基板的步骤包括抛光支撑基板以除去支撑基板。
处理方法半导体装置制造

[发明专利]半导体被处理基板的真空处理系统及半导体被处理基板的真空处理方法-CN201010268843.1有效
发明人：田内勤;近藤英明;仲田辉男;野木庆太;下田笃;智田崇文 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2010-08-27 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供将真空搬运室所具备的真空处理室的配置最佳化，且单位设置面积的被处理物的生产能力高的装置。一种半导体被处理基板的真空处理系统及使用该系统的真空处理方法，半导体被处理基板的真空处理系统具备：大气搬运室，其前面侧配置多个盒台，搬运设置于所述多个盒台内的一个上的盒内所收纳的晶片；锁定室，其配置于该大气搬运室的后方，其与该锁定室的后方连结，从该锁定室搬运所述晶片；搬运中间室，其与所述第一真空搬运室的后方连结；第二真空搬运室，其与该搬运中间室的后方连结，从该搬运中间室搬运所述晶片；与所述第一真空搬运室的后方连结、处理从所述第一真空搬运室搬运的所述晶片的至少一个真空处理室；与所述第二真空搬运室的后方连结、处理从所述第二真空搬运室搬运的所述晶片的两个以上的真空处理室，与所述第一真空搬运室连结的真空处理室的数量比与所述第二真空搬运室连结的真空处理室的数量少，或者将与所述第一真空搬运室连结的真空处理室的使用限制为一个
半导体处理真空系统方法

[发明专利]半导体被处理基板的真空处理系统及半导体被处理基板的真空处理方法-CN201010268846.5无效
发明人：田内勤;近藤英明;仲田辉男;野木庆太;下田笃;智田崇文 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2010-08-27 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种使真空输送室所具备的真空处理室的配置最适化，单位设置面积的被处理物的生产能力高的装置。本发明提供半导体被处理基板的真空处理系统及使用该系统的半导体被处理基板的真空处理方法，该系统具备：大气输送室，其前面侧配置多个盒台，输送在设置于所述多个盒台内的一个上的盒内所收容的晶片；锁定室，其配置于该大气输送室的后方，在内部收容从该大气输送室输送的所述晶片；第一真空输送室，其连结于该锁定室的后方，从该锁定室输送所述晶片，在该第一真空输送室不连结用于处理输送到该第一真空输送室内的晶片的真空处理室，而连结多个输送中间室，进而在该多个输送中间室连结后段的真空输送室，收容于所述盒的晶片，为了从该盒经由所述锁定室输送至所述第一真空输送室且在后段的各真空处理室内进行处理，经由与所述第一真空输送室连结的所述多个输送中间室的任一个向后段的各多个真空输送室输送，输送到所述第一真空输送室以外的后段的多个真空输送室的各个晶片，被输送到与该多个真空输送室分别连结的各真空处理室并进行处理。
半导体处理真空系统方法

[发明专利]杂质扩散方法-CN201310325943.7在审
发明人：高桥和也;古泽纯和;冈田充弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-07-30 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明提供一种杂质扩散方法，该方法是使用虚设的被处理基板并且使杂质相对于被处理基板所具有的被扩散部位进行气相扩散的杂质扩散方法，其具备：将前述被处理基板及前述虚设的被处理基板载置于基板载置夹具的工序；将载置有前述被处理基板及前述虚设的被处理基板的前述基板载置夹具收纳于处理装置的处理室的工序；以及，在收纳有前述基板载置夹具的前述处理室内，使杂质相对于前述被处理基板的前述被扩散部位进行气相扩散的工序，在前述气相扩散工序中，前述要进行气相扩散的杂质是硼时，使用前述虚设的被处理基板的外表面是具有不吸附硼的性质的物质的基板作为前述虚设的被处理基板
杂质扩散方法

[发明专利]基板处理方法、基板处理装置以及计算机可读存储介质-CN202010450886.5有效
发明人：野田康朗;西山直 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法、基板处理装置以及计算机可读存储介质。基板处理方法包括：从照相机取得被处理基板的端面的拍摄图像；对所述被处理基板的端面的拍摄图像进行图像处理而取得所述被处理基板的端面的形状数据；以及基于翘曲量已知的基准基板的端面的形状数据以及利用图像处理得到的所述被处理基板的端面的形状数据对所述被处理基板的翘曲量进行计算
处理方法装置以及计算机可读存储介质

[发明专利]纵型热处理装置以及基板支承器具-CN200910172120.9有效
发明人：浅利聪;户羽胜也;佐藤泉;佐濑雄一郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种纵型热处理装置以及基板支承器具，该纵型热处理装置包括：基板支承器具，能够沿上下方向以规定的间隔支承多片被处理基板；移载机构，在基板支承器具与能够收纳多个被处理基板的收纳容器之间移载多片被处理基板；热处理炉，对连同基板支承器具被搬入到内部的被处理基板进行热处理，上述基板支承器具包括：多个支柱隔开间隔地配置成围着被处理基板；基板用支承部和环状板用支承部，沿上下方向呈多级地设置在多个支柱上，用于以规定的间隔交替地支承被处理基板和环状板的周缘部；由环状板用支承部支承的多个环状板，从被处理基板的移载方向观察，各个环状板被形成为中间部的厚度比上述支柱所支承的部分的厚度薄。
热处理装置以及支承器具

[发明专利]基板处理装置及基板处理方法-CN201710903098.5在审
发明人：屉平幸之介;菊池勉;樋口晃一;林俊秀 -专利权人：芝浦机械电子株式会社
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够使将基板的被处理面上的处理液置换为挥发性溶媒的置换效率提高的基板处理装置及基板处理方法。有关实施方式的基板处理装置(10)具备第1喷嘴(61)，向旋转的基板(W)的被处理面(Wa)供给处理液；第2喷嘴(71)，向旋转的基板(W)的被处理面(Wa)的中心供给挥发性溶媒；第1喷嘴移动机构(62)，作为位置移动部发挥功能，在处理液被从第1喷嘴(61)供给到基板(W)的被处理面(Wa)的中心的状态下，使基板(W)的被处理面(Wa)上的处理液供给位置从基板(W)的被处理面(Wa的中心向中心附近的位置移动，在处理液被从第1喷嘴(61)向基板(W)的被处理面(Wa)的中心附近的位置供给、挥发性溶媒被从第2喷嘴(71)向基板(W)的被处理面(Wa)的中心供给的状态下，使上述处理液供给位置沿着从基板(W)的被处理面
处理装置方法

[发明专利]基板处理方法、基板处理装置以及计算机可读存储介质-CN202010451614.7有效
发明人：野田康朗;西山直 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法、基板处理装置以及计算机可读存储介质。基板处理方法包括：取得被处理基板的翘曲量；基于所述被处理基板的翘曲量来决定处理液相对于所述被处理基板的周缘部的供给位置；以及使表面形成有膜的所述被处理基板旋转，同时利用从所述供给位置供给的处理液使所述周缘部上的所述膜溶解而从所述被处理基板上去除
处理方法装置以及计算机可读存储介质

[发明专利]基板处理装置及基板处理方法-CN201010119645.9有效
发明人：藤原真树;永田笃史;佐田彻也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-02-23 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供能高效顺畅地进行分别回收在平流的输送流水线上供给到被处理基板的第1处理液而替换为第2处理液的动作、抑制产生显影斑的基板处理装置及基板处理方法。包括：基板输送路径，以平流输送被处理基板；第1处理液供给部件，向在基板输送路径中输送的被处理基板供给第1处理液；气体供给部件，朝向铅垂方向至输送方向下游侧中的任一方向向在基板输送路径中输送的、被供给第1处理液后的被处理基板吹规定的气流；第1冲洗液供给部件，以规定的流速向在基板输送路径中输送的、被气体供给部件吹过的气流后的被处理基板的基板表面供给第2处理液；第2冲洗液供给部件，以比第1冲洗液供给部件高的流速向被供给第2处理液后的、在基板输送路径中输送的被处理基板供给第2处理液。
处理装置方法

[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN202180076552.9在审
发明人：远藤亨;犹原英司;冲田有史;东克荣;山口贵大;冢原隆太;石丸慧 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：基板处理方法包括：基板保持工序，将基板保持在被筒状的防护罩包围的保持位置；处理液供给工序，一边使被保持在所述保持位置的所述基板绕穿过所述基板的中央部的旋转轴线旋转，一边将处理所述基板的被处理面的处理液供给至所述基板的被处理面；图像取得工序，在对所述基板的被处理面供给处理液的期间，取得所述基板的被处理面的图像以及所述防护罩的内壁面的图像；以及检测工序，监视在所述图像取得工序中取得的图像的亮度值，并检测处理结束时间点，所述处理结束时间点为处理液对于所述基板的被处理面的处理结束的时间点
处理方法以及装置

[发明专利]处理被处理基板的半导体处理方法和装置-CN200480000802.7有效
发明人：古屋治彦;两角友一朗;池川宽晃;平山诚;伊藤勇一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-02-04 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：一种在半导体处理装置(1)中处理被处理基板(10)的方法，在处理容器(2)内一边将第一基板(10)的温度控制在处理温度上一边将处理气体供给所述处理容器内，对所述第一基板进行半导体处理。在所述半导体处理中，在所述处理容器(2)的内面上形成副产物膜。在所述半导体处理后并且从所述处理容器(2)取出所述第一基板(10)后，将改质气体供给所述处理容器内，对所述副产物膜进行改质处理。所述改质处理是以降低所述副产物膜的热反射性的方式进行设定的。在所述改质处理后，在所述处理容器(2)内一边将第二基板(10)的温度控制在所述处理温度上一边将所述处理气体供给所述处理容器内，对所述第二基板进行所述半导体处理。
处理半导体方法装置

[发明专利]基板处理装置和检查方法-CN201910935053.5在审
发明人：滨田佳志;桾本裕一朗;羽山隆史;水篠真一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种使摄像图像的质量提高的基板处理装置和检查方法，所述摄像图像在利用对被处理基板进行处理的基板处理装置进行处理时的检查中使用。对被处理基板进行处理的基板处理装置具有：旋转保持部，其保持被处理基板并使该被处理基板旋转；摄像部，该摄像部的摄像区域包括将被所述旋转保持部保持的被处理基板的表面；光源，其向所述摄像部的所述摄像区域照射光；以及控制部，其基于被所述旋转保持部保持的正在旋转的被处理基板的朝向，来控制基于所述摄像部的摄像结果进行的检查中的所述光源的发光定时。
处理装置检查方法

[发明专利]对被处理基板进行半导体处理的装置-CN200710186550.7有效
发明人：朝仓贤太朗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-04-20 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及对被处理基板(W)进行半导体处理的装置，包含配置在载置台(38)上的，辅助进行被处理基板的运送的升降机构(48)。升降机构包含支承和使被处理基板升降的升降机销子(51)和引导升降机销子的升降动作的导向孔(49)。
处理进行半导体装置

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