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[发明专利]电涌保护器件-CN201080047531.6有效
发明人：斯蒂芬·霍兰德 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2010-10-22 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L29/87 文献下载
摘要：公开了一种电涌保护器件(200)，包括：第一传导类型的半导体基板(210)，所述半导体基板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述基板还包括第一表面处的第一结器件和第二表面处的第二结器件，所述第一结器件具有取向平行于第一表面的结，所述第二结器件具有取向平行于第二表面的结，所述第一结器件和第二结器件彼此面对，其中第一结和第二结通过半导体基板的体块分离开。
保护器件

[发明专利]异质结电池的制备方法以及异质结电池-CN202210087135.0在审
发明人：张达奇;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电池的制备方法以及异质结电池，异质结电池的制备方法包括以下步骤：制作出异质结电池；采用UV光照射所述异质结电池的表面，得到表面能值大于40mN/m的异质结电池。UV光可以更好地将异质结电池表面的有机物脏污去除，从而可以提升异质结电池的表面能，得到表面能值大于40mN/m的异质结电池，而且这样可以有效地改善异质结电池与封装胶膜之间的剥离能，提升封装胶膜与异质结电池的连接可靠性
异质结电池制备方法以及

[发明专利]碲化镉‑硅基薄膜复合太阳能电池-CN201210165802.9有效
发明人：刘生忠;李灿 -专利权人：陕西师范大学;中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2012-05-25 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：一种碲化镉‑硅基薄膜复合太阳能电池，包括设置在基底上表面背电极，设置在背电极上表面的底电池结，设置在底电池结上表面的前电极，它还包括设置在底电池结上表面的0～5结中电池结，中电池结上表面设置与底电池结和中电池结串联的顶电池结，前电极设置在顶电池结的上表面，还包括设置在底电池结与中电池结之间或设置在中电池结与顶电池结之间的中间导电半反光层。
碲化镉薄膜复合太阳能电池

[发明专利]具有布置在沟槽区内的阴极金属层的半导体激光器-CN201480022240.X有效
发明人： S·E·奥尔森 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：一种激光二极管包括衬底和布置在衬底上的结层。结层形成激光二极管的量子阱。激光二极管包括结表面，该结表面具有延伸通过结层至衬底的至少一个沟道。所述至少一个沟道界定阳极区和阴极区。阴极电结被布置在阴极区的结表面上，而阳极电结被布置在结表面上并耦合至阳极区的结层。阴极金属层被布置在沟道的至少沟槽区内。阴极金属层将衬底耦合至阴极电结。
具有布置沟槽区内阴极金属半导体激光器

[发明专利]一种表面电子结或电子结的制备方法-CN201410317220.7在审
发明人：李中华;朱长娟;刘佳雯;孙玥;沈军 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-07-04 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： B01J23/72 文献下载
摘要：一种表面电子结或电子结的制备方法，涉及表面电子结或电子结的制备方法。本发明是要解决现有光催化剂存在的光能转换过程中能耗大，活性低和效率低的技术问题。本发明的第一种方法为：通过制备具有不同晶面的催化剂，因晶面能带结构的不同，形成表面电子结或电子结；本发明的第二种方法为：通过调变具有单一晶面片状催化剂的表面结构，形成局域表面能带结构的差异，形成表面电子结或电子结；本发明的第三种方法为：通过改变具有单一晶面多面体催化剂的其中一个或部分晶面的表面结构，形成表面电子结或电子结。本发明应用于表面电子结或电子结的制备领域。
一种表面电子制备方法

[发明专利]工业用双层织物-CN202310038654.2在审
发明人：上田郁夫;野村国大;江川彻;梁井英之 -专利权人：日本辉尔康株式会社
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： D03D11/00 文献下载
摘要：本发明的目的是通过变更经纱和接结经纱的排列来减少接结纱的磨损并通过均匀脱水来减少脱水标记产生。在工业用双层织物的完全组织中，具有：由表面经纱和背面经纱形成的第一经纱对、以及由具有将表面侧织物和背面侧织物接合的功能的表面侧接结经纱和背面侧接结经纱形成的第二经纱对，且具有以下结构：在构成该第二经纱对的一个接结经纱在表面侧织物上连续形成多个组织点的部位，另一个接结经纱不出现在表面侧，且在另一个接结经纱在表面侧织物上连续形成多个组织点的部位，所述一个接结经纱不出现在表面侧，从而彼此补充，表面经纱与接结经纱由线径大致相同的纱形成，背面经纱由线径比表面经纱和接结经纱大的纱形成
工业双层织物

[发明专利]工业用双层织物-CN201980023501.2有效
发明人：上田郁夫;野村国大;江川彻;梁井英之 -专利权人：日本辉尔康株式会社
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： D21F1/10 文献下载
摘要：本发明的目的是通过变更经纱和接结经纱的排列来减少接结纱的磨损并通过均匀脱水来减少脱水标记产生。在工业用双层织物的完全组织中，具有：由表面经纱和背面经纱形成的第一经纱对、以及由具有将表面侧织物和背面侧织物接合的功能的表面侧接结经纱和背面侧接结经纱形成的第二经纱对，且具有以下结构：在构成该第二经纱对的一个接结经纱在表面侧织物上连续形成多个组织点的部位，另一个接结经纱不出现在表面侧，且在另一个接结经纱在表面侧织物上连续形成多个组织点的部位，所述一个接结经纱不出现在表面侧，从而彼此补充，表面经纱与接结经纱由线径大致相同的纱形成，背面经纱由线径比表面经纱和接结经纱大的纱形成
工业双层织物

[实用新型]一种印刷机的印刷辊-CN202020896146.X有效
发明人：李松磊 -专利权人：北京亿友创新科技发展有限公司
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： B41F13/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种印刷机的印刷辊，包括转筒，所述转筒外侧设置有硅胶套，所述硅胶套外侧设置有表面结釉筒，所述转筒外侧顶端表面以及底端表面开设有安装槽，所述安装槽内部分别设置有弹簧以及限制环，所述限制环位于弹簧顶端，所述限制环顶端设置有固定头，所述固定头贯穿安装槽以及硅胶套，所述表面结釉筒内壁开设有固定槽；通过在转筒外侧加装固定头，当需要对表面结釉筒进行更换时，需先将旧表面结釉筒取下，然后握住表面结釉筒，并将表面结釉筒往连接槽一端移动，表面结釉筒沿着硅胶套表面滑动，直至表面结釉筒内部完全离开转筒，然后将新的表面结釉筒安装上即可，无需将印刷辊整体更换，有效降低了印刷辊的维护成本。
一种印刷机印刷

[发明专利]GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结太阳能电池及其制备方法-CN201210249552.7无效
发明人：孙玉润;董建荣;李奎龙;于淑珍;赵勇明;赵春雨;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明提供一种采用晶格异变技术的GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结太阳能电池，包括Ge子电池，以及在Ge子电池上依次设置的InGaAs或GaInP的缓冲层、第一隧道结、第一渐变过渡层、InGaAs子电池、第二隧道结、第二渐变过渡层、GaAs子电池、第三隧道结、GaInP子电池和GaAs接触层。本发明还提供一种该电池制备方法，包括步骤：提供一Ge子电池；在Ge子电池表面生长InGaAs或GaInP的缓冲层；在InGaAs或GaInP的缓冲层表面生长第一隧道结；在第一隧道结表面生长第一渐变过渡层；在第一渐变过渡层表面生长InGaAs子电池；在InGaAs子电池表面生长第二隧道结；在第二隧道结表面生长第二渐变过渡层；在第二隧道结表面生长GaAs子电池；在GaAs子电池表面生长第三隧道结；在第三隧道结表面生长GaInP子电池；在GaInP子电池表面生长GaAs接触层。
gainp gaas ingaas ge 太阳能电池及其制备方法

[发明专利]GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池及其制备方法-CN201210249553.1有效
发明人：赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;于淑珍;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明提供一种GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池，包括Ge衬底层，以及在所述Ge衬底层上依次设置的第一Ge子电池、第一隧穿结、第二Ge子电池、第二隧穿结、GaAs子电池、第三隧穿结、GaInP本发明还提供一种GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）提供一Ge衬底层；2）在Ge衬底层表面生长第一Ge子电池；3）在第一Ge子电池表面生长第一隧穿结；4）在第一隧穿结表面生长第二Ge子电池；5）在第二Ge子电池表面生长第二隧穿结；6）在第二隧穿结表面生长GaAs子电池；7）在GaAs子电池表面生长第三隧穿结；8）在第三隧穿结表面生长GaInP子电池；9）在GaInP子电池表面生长接触层
gainp gaas ge 太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种LED表面结温确定方法及系统-CN202210554311.7在审
发明人：陈焕庭;张文杰;陈耀庭;李以华;甘沁雨;陈同杰 -专利权人：闽南师范大学
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED表面结温确定方法及系统，涉及LED表面结温领域，方法包括：获取LED表面光谱数据；根据所述LED表面光谱数据和矩阵模型确定LED表面结温。本发明通过非接触式测量LED的结温提高测量精度。
一种 led 表面确定方法系统

[发明专利]具有电极贯穿孔的硅异质结电池组及其制备方法-CN202111237278.7在审
发明人：田宏波;赵晓霞;黎力;王伟;王雪松;王彩霞;宗军;范霁红;孙金华 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有电极贯穿孔的硅异质结电池组及其制备方法，硅异质结电池组包括多个串联的硅异质结电池，硅异质结电池包括硅异质结主体、设置于硅异质结主体上表面和设置于硅异质结主体下表面的导电图形，硅异质结主体上沿其厚度方向设有电极贯穿孔，电极贯穿孔内填充有导电材料，电极贯穿孔的上端与硅异质结主体上表面的栅线相连，电极贯穿孔的下端与导电图形相连，导电图形与相邻的硅异质结电池下表面的栅线相连。本方发明实施例的硅异质结电池组可提高组件良率，还最大限度地提高了焊接性和导电性，有利于保证组件长期可靠性。
具有电极贯穿硅异质结电池组及其制备方法

[发明专利]电解阴极结粒清除装置以及阴极的结粒清除方法-CN202011154732.8在审
发明人：邓爱民;彭宏道;李磊;李堃;卫东东;曾芳成;汪佳良;左丞 -专利权人：江西瑞林装备有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： B08B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电解阴极结粒清除装置以及阴极的结粒清除方法，电解阴极结粒清除装置包括：短路检测单元，短路检测单元用于确定电解槽内短路的阴极的精确位置；极板转移单元；结粒清除单元，结粒清除单元用于清除短路的阴极表面的结粒；结粒图像识别单元，结粒图像识别单元用于获取阴极表面结粒的位置和尺寸。由此，通过短路检测单元、极板转移单元、结粒清除单元和结粒图像识别单元相互配合，能够先对短路阴极进行精确检测和定位，然后对阴极表面的结粒进行清除，有利于提高电解作业的电流效率及产品品级率，并且，不需要操作人员手动清除结粒，可以提升结粒清除效率。
电解阴极清除装置以及方法

[发明专利]一种藻结皮的采样方法-CN202110760149.X在审
发明人：王兵;许欢欢;杨艳芬;张慧妮;李盼盼;淡彩虹 -专利权人：西北农林科技大学
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G01N1/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种藻结皮的采样方法，属于样品采集技术领域。本发明藻结皮的采样方法，包括：将可旋转切割片倾斜于藻结皮表面，接触并移动，待藻结皮开始从土壤表面分离时，调整所述切割片与所述藻结皮表面平行，即得到与土壤分离的藻结皮样品。本发明通过控制切割片的厚度以及切割片和藻结皮表面的角度，不仅可以有效控制每次的采样厚度，且可以保证采取的样品厚度均一，在不破坏藻结皮结构及功能的前提下，最大程度实现了藻结皮与土壤分离的过程，以便后续测定藻结皮生理特征和性质
一种藻结皮采样方法

[发明专利]一种低压低漏电瞬态电压抑制器及其制备方法-CN202310657201.8在审
发明人：单少杰;苏海伟;叶毓明;魏峰;王帅;张英鹏;刘涛;陈芳;范文来;张伟;张文贵 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种低压低漏电瞬态电压抑制器及其制备方法，衬底，包括上表面侧，于上表面侧形成有：第一深结，由上之下深入衬底的内部，呈现纵向插指形状；第一浅结，与第一深结衔接，位于衬底的上表面侧的顶层；第一边缘深结，位于第一深结的左右两侧，并与第一浅结衔接。采用高耐压深结与低电压浅结结合的方法，对器件电场进行整形。可以有效的降低低电压PN结表面的电场强度，从而有效的降低漏电。
一种压低漏电瞬态电压抑制器及其制备方法

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