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[发明专利]沟槽式栅介电层的形成方法-CN200510065598.3有效
发明人：黄明山;许汉杰;赖亮全 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2005-04-18 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：一种沟槽式栅介电层的形成方法，此方法先提供一基底，且基底中已形成有沟槽，然后进行一原位蒸汽产生氧化工艺，以于沟槽表面形成牺牲氧化层。接着，移除牺牲氧化层。之后，进行低压化学气相沉积工艺，以于沟槽表面形成栅介电层。
沟槽式栅介电层形成方法

[发明专利]高氨氮高有机物玉米深加工废水的处理装置-CN201611040852.9有效
发明人：姚宏;左陆珅;杨黎俊 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： C02F3/30 文献下载
摘要：该装置包括：依次连接的高负荷曝气池工艺装置、一体式厌氧氨氧化工艺装置和OAO工艺装置，每个工艺装置中都设置有沉淀池和污泥回流系统；废水进入高负荷曝气池，高负荷曝气池的出水进入一体式厌氧氨氧化工艺装置，废水在一体式厌氧氨氧化工艺装置中进行脱氮处理，一体式厌氧氨氧化工艺装置的出水进入OAO工艺装置，OAO工艺装置进行有机物和氮的深度去除，OAO工艺装置输出处理后的废水。本发明将厌氧氨氧化引入玉米深加工废水处理工艺，利用厌氧氨氧化菌作为厌氧氨氧化工艺主体，有效结合多种污水处理工艺，通过格栅、调节和多介质过滤器高效去除废水中的悬浮物。
高氨氮高有机物玉米深加工废水处理装置

[发明专利]手机摄像头装饰件表面处理方法-CN202110297891.1在审
发明人：江波 -专利权人：广东智目科技有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： C25D11/08 文献下载
摘要：本发明涉及手机零件加工技术领域，尤其是指手机摄像头装饰件表面处理方法，其包括步骤一、对手机摄像头装饰件的高光区域进行高光处理后，采用单硫酸阳极氧化工艺对高光区域进行氧化处理，使手机摄像头装饰件的高光区域表面生成氧化膜；步骤二、对手机摄像头装饰件的摩擦区域采用混酸阳极氧化工艺进行氧化处理，使手机摄像头装饰件的摩擦区域表面生成硬质氧化膜。
手机摄像头装饰表面处理方法

[发明专利]氧化发热盘的加工工艺-CN201610569420.0在审
发明人：谭泽权 -专利权人：佛山市高明高盛铝业有限公司
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： C23C8/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化发热盘的加工工艺，该加工工艺中设有氧化工序，该氧化工序包括如下步骤：戴胶套：将胶套套装于发热盘的接线端；上挂：将套装了胶套的发热盘挂在挂架上；酸洗：将挂在挂架上的发热盘放入硫酸溶液中电解通过本发明的加工工艺加工出的氧化发热盘，由于氧化发热盘的表面进行了氧化处理，其耐干烧性能好，不易出现干烧而损坏。
氧化发热加工工艺

[发明专利]一种二氧化铀氢氟化工艺尾气中氟化氢的再利用工艺-CN202110709971.3有效
发明人：魏刚;任先锋;田红安;孙玉鹤;马治军;冯秀燕;任喜彦;蒙金红;薛彦成;周文涛;王伟;黄灼升;王多明;强斌;包国强 -专利权人：中核四0四有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： B01J8/00 文献下载
摘要：一种二氧化铀氢氟化工艺尾气中氟化氢的再利用工艺，属于铀转化生产技术领域。本发明为了提高氢氟化工艺尾气中氟化氢的利用率，减少四氟化铀制备过程中含氟废弃物的产生率。本发明是将二氧化铀氢氟化的工艺尾气采用逆流方式输入到反应床内，并在反应床内连续输入二氧化铀粉末，使二氧化铀粉末在反应床内与二氧化铀氢氟化工艺尾气中的氟化氢逆流接触，通过二氧化铀对二氧化铀氢氟化工艺尾气中的氟化氢进行吸收，实现二氧化铀氢氟化工艺尾气中氟化氢的再利用。本工艺一方面有效避免了用于吸收氢氟化工艺尾气工艺中HF的石灰渣等二次废物的产生；另一方面，对氢氟化工艺尾气中HF气体的有效利用显著降低尾气中的HF和铀元素含量。
一种氧化氟化工艺尾气氟化氢再利用

[发明专利]一种模具及模具氮化工艺-CN201910670562.X在审
发明人：杨如宏;蒋佳丽;吴露雷;顾剑锋;王博;张幸;杨旭东 -专利权人：爱柯迪股份有限公司;上海交通大学
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： C23C8/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种模具及模具氮化工艺，包括以下步骤：表面清理、预氧化和可控氮化，此模具及模具氮化工艺，本发明的可控渗氮方法，提升表面硬度的同时，调节氮化层深度，提高模具的热疲劳性能，在保证模具表面渗层的高硬度和高热疲劳性能的同时，提高了渗氮层的深度，能够有效阻止热裂纹萌生及扩展，区别于传统的渗氮工艺，预氧化为后续渗氮提供更为便捷扩散通道，保证氮原子渗入，提高硬度的同时抑制Fe‑N化合物层。
模具氮化渗氮预氧化可控热疲劳性能表面清理表面硬度化合物层扩散通道模具表面疲劳性能传统的氮化层氮原子高硬度热裂纹渗氮层高热渗层渗入保证

[发明专利]一种模具氮化工艺-CN201910978920.3有效
发明人：杨如宏;蒋佳丽;吴露雷;顾剑锋;王博;张幸;杨旭东 -专利权人：爱柯迪股份有限公司;上海交通大学
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C23C8/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种模具氮化工艺，包括以下步骤：表面清理、预氧化和可控氮化，此模具及模具氮化工艺，本发明的可控渗氮方法，提升表面硬度的同时，调节氮化层深度，提高模具的热疲劳性能，在保证模具表面渗层的高硬度和高热疲劳性能的同时，提高了渗氮层的深度，能够有效阻止热裂纹萌生及扩展，区别于传统的渗氮工艺，预氧化为后续渗氮提供更为便捷扩散通道，保证氮原子渗入，提高硬度的同时抑制Fe‑N化合物层。
一种模具氮化工艺

[发明专利]一种高效蒽醌法生产过氧化氢工艺-CN202110582974.5有效
发明人：马会强;沈冲;赵晓东;冯彬 -专利权人：黎明化工研究设计院有限责任公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C01B15/023 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效蒽醌法生产过氧化氢工艺，生产工艺包括工作液配制工艺、氢化工艺、氧化工艺、萃取工艺、净化工艺、再生工艺及废水处理工艺，其特征在于：所述氧化工艺过程中，产生的氧化残液进入萃取工艺转化为产品进一步方案，氧化残液进入萃取工艺前加入金属离子捕获剂；所述金属离子捕获剂为乙二胺四乙酸（EDTA）、二乙基三胺五乙酸（DTPA）或聚丙烯酰胺（PAM）及其混合物。该工艺装置产能高，氧化残液排放量少，产品总碳含量低。所述废水处理工艺，采用芬顿氧化法，其特征是加入方式为少量多次计入，减少废水芬顿氧化过程中过氧化氢的无效分解，进而降低过氧化氢的投料量。
一种高效蒽醌法生产过氧化氢工艺

[发明专利]一种环十二烯醚和环十二醇联产的制备方法-CN202111554338.8在审
发明人：冯传密;王聪;刘新伟;杨克俭;李荣;吴昊;史文涛;黄冠博;靳权;黄贺源;龙滢;李广忠 -专利权人：中国天辰工程有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C07D301/19 文献下载
摘要：本发明提供了一种环十二烯醚和环十二醇联产的制备方法，包括氧化、环氧化、氢化三段连续工艺串联：氧化工艺：以环十二烯、环十二碳二烯、环十二碳三烯中的任意一种或混合为原料，加入引发剂并通入氮气和氧化气体混合气体；环氧化工艺：氧化工艺得到的产物中直接加入环氧催化剂制备出环氧结构产物；氢化工艺：精馏分离出环氧化工艺中的未反应原料和环氧催化剂，向剩余溶液中加入氢化催化剂，制备环十二烯醚和环十二醇；本发明所述制备方法成本低并且绿色环保
一种十二联产制备方法

[发明专利]一种用于含碳多孔材料基底的光刻涂层的去除方法-CN201610181430.7有效
发明人：刘天建;王华 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于含碳多孔材料基底的光刻涂层的去除方法，将有机溶剂去除和低温氧化工艺去除相结合，并且采用有机溶剂先去除基底表面和深孔中较易溶于有机溶剂中的光刻涂层，对于深孔中残留的光刻涂层再采用低温氧化工艺去除；有效克服了有机溶剂去除不彻底和低温氧化工艺去除速度慢、能力不强的缺陷；在不损伤含碳多孔材料基底的同时，增大光刻涂层的去除能力，将光刻涂层完全去除干净，并且保证了含碳多孔材料基底的孔状结构的结构性能和电学性能，为后续的工艺处理提供方便。
一种用于多孔材料基底光刻涂层去除方法

[发明专利]一种减少铜膜厚度的方法-CN201610292045.X有效
发明人：金一诺;代迎伟;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2016-05-05 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少铜膜厚度的方法，包括以下步骤：采用电化学镀铜工艺在晶圆表面镀上铜层；采用电化学抛光工艺将晶圆表面铜膜厚度减薄；使用柠檬酸去除晶圆表面氧化层。本发明利用柠檬酸清洗晶圆表面去除氧化层，解决了氧化层对化学机械平坦化工艺的去除率及均匀性产生影响的问题。
一种减少厚度方法

[发明专利]一种金属掩膜板表面氧化铝膜层及其制备方法-CN202211603496.2在审
发明人：吕先锋;邱俊;黄熙;王永涛 -专利权人：四川富乐德科技发展有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C25D11/16 文献下载
摘要：本发明属于金属掩膜板表面处理技术领域，提供了一种金属掩膜板表面氧化铝膜层及其制备方法。该方法包括：(1)依次去除掩膜板的表面颗粒物和水分，高温烘烤后将掩膜板预抽真空；(2)掩膜板于工艺腔中溅射纯铝膜层；(3)接着将金属掩膜板输送至微弧氧化槽；(4)微弧氧化工艺包括：先将电压上升至280‑320V，并保持5‑10s，然后将阳极氧化电压上升至430‑480V，采用电解液进行电解5‑10min；(5)接着将掩膜板依次进行清洗、封孔、干燥。该制备方法通过采用磁控溅射纯铝与微弧氧化工艺相结合，配合本申请的工艺条件，能够显著减少膜层的制备时间，并同时提高膜层的均匀性，制备得到质量优异的金属掩膜板表面氧化铝膜层。
一种金属掩膜板表面氧化铝及其制备方法

[发明专利]一种制备抗菌彩色铝合金的阳极氧化工艺-CN202110956385.9有效
发明人：赵金龙;孙子晴;杨春光;杨柯 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C25D11/04 文献下载
摘要：本发明目的在于提供一种赋予彩色铝合金具备抗菌性能的表面阳极氧化工艺，使彩色铝合金能够在短时间内即可对于环境中高浓度细菌(1×106‑2×10所述抗菌阳极氧化工艺的特征在于：在阳极氧化工艺过程中添加了抗菌物质浸渍过程，该过程采用的抗菌物质浸渍液是以无水硫酸铜/无水硝酸铜和去离子水为原料混合而成，通过控制浸泡温度、浸泡时间以及封孔质量，保证彩色铝合金的基本性能所述抗菌阳极氧化工艺制备工艺简单，可以适用于传统彩色铝合金型材生产线的大规模推广，该铝合金可广泛应用于民用生活领域中的装饰用途材料。
一种制备抗菌彩色铝合金阳极氧化工艺

[发明专利]一种浅结扩散发射极的晶硅太阳能电池的制备方法及其应用-CN202210297638.0有效
发明人：任勇;何悦;任海亮;郭帅;王在发;李增彪 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：所述制备方法包括扩散工艺和链式氧化工艺；所述扩散工艺包括低温扩散和高温推进，所述链式氧化工艺包括高温链式氧化。本发明首先通过扩散工艺的优化，制备了0.15um深的低掺杂扩散浅结，同时，利用高温链式氧化的光子热激活辐射能，在扩散层表面形成一定剂量浓度的掺杂，来解决后续与银浆形成合金欧姆接触的失配问题，最终获得了较高的光电转换效率提升
一种扩散发射极太阳能电池制备方法及其应用

[发明专利]一种铝合金阳极氧化工艺和阳极氧化铝合金-CN201610736789.6有效
发明人：侯体波 -专利权人：广东欧珀移动通信有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： C25D11/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种铝合金阳极氧化工艺，包括以下步骤将经预处理后的铝合金基材作为阳极，放入含有阳极氧化电解液的氧化槽中，同时以铅板作为阴极，控制温度为‑10℃～10℃，接通电源开始进行阳极氧化，氧化过程中控制电压从起始电压逐渐上升至终止电压后，断开电源，氧化结束，得到表面形成有阳极氧化膜的铝合金基材。该工艺获得的阳极氧化膜不仅能满足普通阳极氧化装饰作用，且氧化膜较普通阳极氧化工艺硬度更高，更耐刮伤、碰伤、擦伤，可提升客户体验价值。本发明还提供了阳极氧化铝合金及由阳极氧化铝合金加工而成的终端外壳。
一种铝合金阳极氧化工艺