“薄膜真空计”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1091035个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种薄膜规真空计校准方法及相关设备-CN202310669384.5有效
发明人：托乎提努尔;胡强;王凤双;侯少毅;肖永能;肖慧 -专利权人：季华实验室
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01L27/00 文献下载
摘要：本申请涉及薄膜规真空计校准技术领域，公开了一种薄膜规真空计校准方法及相关设备，薄膜规真空计校准方法包括：调节所述测试腔体的压力以获取所述标准薄膜规真空计的第一测量数据和所述待测薄膜规真空计的第二测量数据，用于生成训练数据集；根据所述训练数据集，基于梯度下降算法训练增益系数模型；根据所述增益系数模型对所述待测薄膜规真空计实测的第三测量数据进行校准；可有效消除薄膜规真空计产生的误差，使薄膜规真空计测量数据更加准确可靠
一种薄膜真空计校准方法相关设备

[发明专利]一种MEMS阵列式电容薄膜真空计及其制备方法-CN202310744575.3在审
发明人：陶继方;陈公贤;林玉哲 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS阵列式电容薄膜真空计及其制备方法，电容薄膜真空计包括基板和位于基板上的多个MEMS电容薄膜真空计单元；所述MEMS电容薄膜真空计单元包括由下而上依次设置的硅衬底、支撑层、硅薄膜层、绝缘层、电极层；所述支撑层中部通过刻蚀形成真空腔；所述电极层位于真空腔上方，所述硅衬底采用p型硅；所述绝缘层上设置有电极引出焊盘，所述硅衬底上设置有硅衬底引出焊盘，多个MEMS电容薄膜真空计单元的电极层通过引出线并联到电极引出焊盘本发明所公开的真空计可以整倍提高真空计的初始电容和灵敏度，有效拓宽MEMS电容真空计的量程。
一种 mems 阵列电容薄膜真空计及其制备方法

[发明专利]一种复合型电容薄膜真空计-CN202310635946.4在审
发明人：吴成耀;成永军;孙雯君;裴晓强 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01L21/00 文献下载
摘要：本申请涉及真空测量技术领域，具体而言，涉及一种复合型电容薄膜真空计，本申请提供了一种复合型电容薄膜真空计，包括真空计机架和真空计模块，其中：真空计机架的整体为立方体结构，内部为空腔结构；真空计机架的底面上设置有进气口，其他5个面上均设置有真空计模块；真空计模块为圆柱体结构，每个真空计模块的测量腔均与真空计机架内部的空腔连通。本申请总体积小，重量轻，在多个量程段均具有较高的测量精度，共用同一组电路系统，易于检测，成本低，实现了真空计的模块化设计，能够根据实际应用情况进行真空计模块个数与类型的选择。
一种复合型电容薄膜真空计

[发明专利]一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空计-CN202011453071.9在审
发明人：李刚;成永军;何申伟;孙雯君;习振华;裴晓强;张瑞芳;杨利;高洁 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G01L9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空计，采用接触式结构能够使真空计的测量曲线，即真空度‑电容曲线具有分段线性的特点，解决了感压薄膜大挠度变形非线性的问题，提升了真空计的测量性能；同时，接触式结构可以防止感压薄膜在高压力作用下受到破坏，提高真空规的测量范围。
一种接触 mems 电容薄膜真空计

[发明专利]一种宽量程的电容薄膜真空计及真空度检测方法-CN202211454920.1有效
发明人：郭晓东;王凤双;肖永能;黄星星;刘乔;侯少毅;毕诗博;肖慧 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01L21/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种宽量程的电容薄膜真空计及真空度检测方法，通过设置第一参考室和第二参考室，并且第一深度比第二深度大，第一感压膜片比第二感压膜片的厚度大，因此，第一参考室可测量的压力值比第二参考室可测量的压力值大，且第一参考室的真空度测量范围比第二参考室的真空度测量范围大，不管待测气体的压力值是大还是小，都可以通过宽量程的电容薄膜真空计实现真空度检测，无需通过多个现有的电容薄膜真空计配合使用，降低电容薄膜真空计生产成本以及避免检测过程繁杂，从而提高宽量程的电容薄膜真空计的普用性。
一种量程电容薄膜真空计真空检测方法

[发明专利]一种基于多孔硅隔热层的MEMS真空计及其制备方法-CN202210397408.1在审
发明人：陶继方;张子超 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多孔硅隔热层的MEMS真空计及其制备方法，该MEMS真空计包括真空计主体和键合于其上方的硅帽，所述真空计主体包括由下到上依次设置的硅衬底、掩膜层、绝缘介质层一和铂金电极，所述铂金电极分布于所述绝缘介质层一的局部区域上；所述硅衬底上通过电化学刻蚀方法形成多孔硅隔热层，所述多孔硅隔热层上方依次沉积有绝缘介质层一和铂金电极，所述硅帽位于所述多孔硅隔热层的上方，并与所述真空计主体形成检测腔体，所述硅帽具有空气微流道。本发明所公开的MEMS真空计及制备方法可以解决薄膜型MEMS真空计在强烈的气体对流中易造成薄膜损坏的问题，能够增强MEMS真空计的鲁棒性，提高在实际工作环境中的稳定性。
一种基于多孔隔热层 mems 真空计及其制备方法

[发明专利]薄膜真空计、等离子体处理设备及测量反应腔内真空度的方法-CN202111599495.0在审
发明人：连增迪;左涛涛;吴狄 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜真空计、等离子体处理设备及测量反应腔真空度的方法，所述薄膜真空计应用于等离子体处理设备中等离子体处理设备包括反应腔；包括：由外壳围成的空腔，空腔中设置有测量压力的薄膜；与空腔连通的气体通路，气体通路可以与反应腔气密连通；反应腔内部的气体通过气体通路进入空腔，用于测量所述反应腔内的气压；气体通路吸收从其内通过的气体中的氟离子，防止薄膜真空计中的膜片变性，保证了薄膜真空计零点的稳定性，及提高了反应腔内真空度测量的准确度
薄膜真空计等离子体处理设备测量反应真空方法

[发明专利]电容薄膜真空计传感器及其制作方法和电容薄膜真空计-CN202310683461.2有效
发明人：郭晓东;刘乔;侯少毅;王凤双;胡强;肖永能 -专利权人：季华实验室
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01L21/00 文献下载
摘要：本申请涉及生物组织工程技术领域，具体而言，涉及一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法和电容薄膜真空计，该制作方法包括：制备壳体和膜片，壳体底部有第一凸环，膜片顶部有第二凸环，第一凸环的外径与第二凸环的内径相等；在壳体下表面镀第一金属膜，第一金属膜位于第一凸环的内侧，在膜片上表面镀第二金属膜，第二金属膜位于第二凸环的内侧；将壳体扣合在膜片上，使第一凸环与第二凸环配合，并旋压壳体使壳体固定在膜片上，得到电容薄膜真空计传感器，该方式可减少在电容薄膜真空计传感器制作过程中产生不必要的应力，从而保证电容薄膜真空计传感器的性能。
电容薄膜真空计传感器及其制作方法

[发明专利]电容式薄膜真空计检测电路、真空计及真空度检测方法-CN202111495832.1有效
发明人：王松杰;汤一;王杰;宋冬谊;高乐;韩雪飞;廖兴才;林立男;张永斌 -专利权人：北京晨晶电子有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电容式薄膜真空计检测电路、真空计及真空度检测方法，本发明提供的电容式薄膜真空计检测电路、真空计及真空度检测方法，通过独立且反相的载波信号分别对薄膜电容的内环电容信号和外环电容信号进行调制，对调制后的内环电容信号和外环电容信号进行求和得到电容差值信号，进而换算得到真空度检测结果，由于调制后的内环电容信号和外环电容信号通过求和的方式即可获得电容差值，对电路中器件的性能要求较低，能够保证真空度检测结果线性度更高且更加稳定可靠
电容薄膜真空计检测电路真空方法

[发明专利]一种基于蛇形多孔硅隔热层的MEMS真空计及制备方法-CN202210396176.8在审
发明人：陶继方;张子超 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于蛇形多孔硅隔热层的MEMS真空计及制备方法，该真空计包括真空计主体和键合于其上方的硅帽，真空计主体包括由下到上依次设置的硅衬底、掩膜层一、绝缘介质层一和铂金电极；硅衬底上通过电化学刻蚀方法形成蛇形多孔硅隔热层，蛇形多孔硅隔热层上方依次沉积有绝缘介质层一和铂金电极，相邻的蛇形多孔硅隔热层之间的硅衬底上依次沉积有掩膜层二和绝缘介质层一；硅帽位于蛇形多孔硅隔热层的上方，并与真空计主体形成检测腔体，硅帽具有空气微流道本发明所公开的真空计可以解决薄膜型真空计在强烈的气体对流中易造成薄膜损坏的问题，能够增强真空计的鲁棒性，提高在实际工作环境中的稳定性。
一种基于蛇形多孔隔热层 mems 真空计制备方法

[发明专利]MEMS薄膜真空计及其制备方法-CN202210244071.0有效
发明人：王广猛;史晓晶;柳俊文 -专利权人：南京元感微电子有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明提出一种MEMS薄膜真空计及其制备方法，包括叠置的第一衬底、第二衬底、第三衬底；第一密闭腔体和第二密闭腔体，间隔封闭于所述第一衬底及第三衬底之间；第一电极，对应于所述第一衬底位于所述第一密闭腔体之上的区域；敏感薄膜，对应于所述第一衬底位于所述第二密闭腔体之上的区域；第一止挡层，设置于所述第一电极下方的第一密闭腔体内；第二止挡层，设置于所述敏感薄膜下方的第二密闭腔体内；所述第一止挡层、所述第二止挡层经刻蚀所述第二衬底形成在同一个晶圆上集成了MEMS电容式薄膜真空计与压阻式薄膜真空计，工艺简便，在保证两种真空计灵敏度和线性度的前提下，有效提升了MEMS薄膜真空计的量程。
mems 薄膜真空计及其制备方法

[发明专利]一种真空计及其工作方法-CN201910160225.6有效
发明人：向平华;徐冬冬;钟妮;彭晖;段纯刚 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空计及其工作方法，该真空计的核心是由三氧化钨薄膜沟道、离子凝胶、源极、漏极及栅极构成的平面薄膜晶体管结构。其中，源、漏极与三氧化钨薄膜沟道两端相连，栅极与沟道隔离，离子凝胶覆盖于沟道表面，并与栅极相连。将源极、漏极及栅极外接电压、电流测试源表，即构成一个完整的真空计。通过对栅极施加较小的偏压，可实现对三氧化钨薄膜沟道电阻的调控，三氧化钨薄膜的阻变幅值与真空度存在明显的线性关系。基于该原理，本发明真空计具有结构简单、配置灵活、量程大、成本低、体积小、能耗少的优点。此外，若采用柔性的云母衬底，该真空计可以在弯曲状态下工作，能够满足内部具有不同几何构造的设备的测试要求。
一种真空计及其工作方法

[发明专利]一种电容薄膜真空计封装前电容信号调测装置-CN202111085360.2在审
发明人：裴晓强;成永军;孙雯君;吴成耀;宋伊;丁栋;习振华;董猛;陈会颖 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G01L27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电容薄膜真空计封装前电容信号调测装置，包括芯柱引线法兰、分离规、低压调测参考端腔室、待调测未封装真空计、第一复合规、第二复合规、第一机械泵、第一涡轮分子泵、第二机械泵、第二涡轮分子泵、高压调测稳压室、石英规、压力变送器、低压气源、高压气源、多个连接管道和多个截止阀；本发明装置利用低压调测系统、高压调测系统两个不同压力区域相配合实现不同规格量程电容薄膜真空计(13.3Pa～1.33×106Pa)传感器封装前电容信号的全量程调测；解决了现有电容薄膜真空计校准装置无法开展封装前传感器性能调测的问题，降低了电容薄膜真空计制造成本，提高了整机成品率。
一种电容薄膜真空计封装信号装置

[发明专利]一种电容薄膜真空计及其制备方法-CN202310819607.1在审
发明人：林玉哲;陶继方;陈公贤 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电容薄膜真空计及其制备方法，该真空计包括上壳体、下壳体和位于两者之间的感压膜片，所述感压膜片和下壳体为金属材质，感压膜片和下壳体焊接在一起形成了检测腔，所述下壳体底部焊接有连接管，通过连接管连接检测腔和待测真空腔体所述上壳体粘接于感压膜片或下壳体上，所述上壳体与感压膜片之间形成参考腔；所述上壳体的顶部内壁镀有固定电极，所述固定电极通过引出电极将电容变化信号引出至参考腔外部，所述上壳体上设置抽气口和吸气剂，所述参考腔为真空状态本发明所公开的电容薄膜真空计在保证电容式薄膜真空计耐腐蚀、高精度的特性下，使电容式薄膜真空计的结构以及制备方法大为简化。
一种电容薄膜真空计及其制备方法

[发明专利]基于MEMS的高灵敏度电容薄膜真空计及其制作方法-CN202211189737.3在审
发明人：陶继方;刘汉哲 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MEMS的高灵敏度电容薄膜真空计及其制作方法，电容薄膜真空计包括上下两侧的感压薄膜，感压薄膜相对的面上分别依次沉积金属电极、绝缘层、助粘层和粘接层，绝缘层覆盖于金属电极和感压薄膜的整个表面，助粘层和粘接层位于感压薄膜的外周边缘位置，上下两侧的粘接层之间通过真空焊接键合有支撑层，由上下两侧的绝缘层以及外周边缘的助粘层、粘接层和支撑层共同围成了真空腔，金属电极位于真空腔区域的上下两侧且局部延伸至感压薄膜的边缘外侧本发明所公开的真空计通过双侧感压薄膜感应外部压力的变化，可达到提高电容变化量、提升真空计灵敏度，且制作过程简单，生产成本低，可批量化生产，与现行成熟的微加工工艺兼容。
基于 mems 灵敏度电容薄膜真空计及其制作方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条