“王凤双”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果55个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种高层建筑火灾时期家用避难舱及其使用方法-CN201811620516.0有效
发明人：李珍宝;王凤双;余建平;梁瑞;姜峰;周文海;陈金林;包娟;周青云 -专利权人：兰州理工大学
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： A62B31/00 文献下载
摘要：本发明提供一种高层建筑火灾时期家用避难舱及其使用方法，包括电源供给系统、避难室、压风系统、探测联动系统和广播通信系统；所述避难室由垂直墙面悬空设置的耐火板和柔性密封帷幕构成，所述柔性密封帷幕的一端与耐火板密封固定连接，另一端放下后与地面密封连接；压风系统由空气泵，三通电磁阀，进气管路和送风管路组成；广播通信系统由控制主机和广播装置组成；探测联动系统由火灾参数探测单元，显示单元和控制开关组成。本发明提供了一种可靠性高、安全性好的紧急避难装置，能有效保障高层建筑火灾时期受困人群的生命安全，有效延长救援时机，为成功救援赢得宝贵时间。
一种高层建筑火灾时期家用避难及其使用方法

[发明专利]电容薄膜真空计传感器及其制作方法和电容薄膜真空计-CN202310683461.2有效
发明人：郭晓东;刘乔;侯少毅;王凤双;胡强;肖永能 -专利权人：季华实验室
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01L21/00 文献下载
摘要：本申请涉及生物组织工程技术领域，具体而言，涉及一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法和电容薄膜真空计，该制作方法包括：制备壳体和膜片，壳体底部有第一凸环，膜片顶部有第二凸环，第一凸环的外径与第二凸环的内径相等；在壳体下表面镀第一金属膜，第一金属膜位于第一凸环的内侧，在膜片上表面镀第二金属膜，第二金属膜位于第二凸环的内侧；将壳体扣合在膜片上，使第一凸环与第二凸环配合，并旋压壳体使壳体固定在膜片上，得到电容薄膜真空计传感器，该方式可减少在电容薄膜真空计传感器制作过程中产生不必要的应力，从而保证电容薄膜真空计传感器的性能。
电容薄膜真空计传感器及其制作方法

[发明专利]坩埚热应力的影响分析方法、装置、电子设备及存储介质-CN202310608061.5有效
发明人：祝经明;黄星星;吴进;沈若尧;毕诗博;王凤双;肖永能 -专利权人：季华实验室
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请属于分析坩埚热应力技术领域，公开了一种坩埚热应力的影响分析方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取坩埚的第一结构参数和加热物料的第二结构参数，通过仿真软件，构建对应的内置物料模型的坩埚模型，确定坩埚模型和物料模型为黏附接触关系，并设置坩埚模型和物料模型的材料参数、塑性节点和热膨胀条件，确定热膨胀应变数据的计算方程，基于上述条件和数据，结合预设的温度条件、预设的模型划分条件和预设的求解器设置，计算不同情况下坩埚模型的热应力分布数据，得到不同情况对于坩埚热应力的影响分析结果数据，通过设置黏附接触关系并添加塑性节点，模拟不同情况的热应力分析，提高了分析坩埚热应力的效率和准确度。
坩埚应力影响分析方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种薄膜规真空计校准方法及相关设备-CN202310669384.5有效
发明人：托乎提努尔;胡强;王凤双;侯少毅;肖永能;肖慧 -专利权人：季华实验室
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01L27/00 文献下载
摘要：本申请涉及薄膜规真空计校准技术领域，公开了一种薄膜规真空计校准方法及相关设备，薄膜规真空计校准方法包括：调节所述测试腔体的压力以获取所述标准薄膜规真空计的第一测量数据和所述待测薄膜规真空计的第二测量数据，用于生成训练数据集；根据所述训练数据集，基于梯度下降算法训练增益系数模型；根据所述增益系数模型对所述待测薄膜规真空计实测的第三测量数据进行校准；可有效消除薄膜规真空计产生的误差，使薄膜规真空计测量数据更加准确可靠，且不需要人工校准，实现全自动校准，从而有利于提高校准效率。
一种薄膜真空计校准方法相关设备

[发明专利]一种源炉热场分布分析方法、装置、电子设备和存储介质-CN202211348133.9在审
发明人：祝经明;黄星星;吴进;胡强;卫红;沈若尧;王凤双;肖永能 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及热场分析领域，具体为一种源炉热场分布分析方法、装置、电子设备和存储介质。该源炉热场分布分析方法包括步骤：根据源炉中各个部件的结构参数建立二维轴对称简化模型；将二维轴对称简化模型导入COMSOL软件中，并根据各个部件的制作材料设定材料参数；设定各个部件的传热类型；设定温度条件；计算分析得到源炉的热场分布图像，本发明以模拟实验的方式替代实测，确保获得准确的实验结果同时大大减少实验过程的资源浪费和实验成本。
一种源炉热场分布分析方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种镀膜设备及镀膜方法-CN202211662102.0在审
发明人：毕诗博;卫红;王凤双;胡琅;侯少毅;黄星星;刘乔 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种镀膜设备及镀膜方法,通过磁过滤器对由等离子体发生器生成的靶材等离子体射流进行呈电中性的粒子团簇的过滤处理后，由偏转通道的第一电极板吸附带负电的电子，通过正对偏转通道出口的第三电极板吸附由于惯性而撞向第三电极板的带负电的粒子团簇，并由位于偏转通道出口上方的一侧的第四电极板使带正电的离子转向并加速射入镀膜室以对被镀工件进行镀膜，由于沉积在被镀工件的表面上均是带正电的离子（避免了粒子团簇对镀膜的影响），从而提高镀膜质量。
一种镀膜设备方法

[发明专利]一种宽量程的电容薄膜真空计及真空度检测方法-CN202211454920.1有效
发明人：郭晓东;王凤双;肖永能;黄星星;刘乔;侯少毅;毕诗博;肖慧 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01L21/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种宽量程的电容薄膜真空计及真空度检测方法，通过设置第一参考室和第二参考室，并且第一深度比第二深度大，第一感压膜片比第二感压膜片的厚度大，因此，第一参考室可测量的压力值比第二参考室可测量的压力值大，且第一参考室的真空度测量范围比第二参考室的真空度测量范围大，不管待测气体的压力值是大还是小，都可以通过宽量程的电容薄膜真空计实现真空度检测，无需通过多个现有的电容薄膜真空计配合使用，降低电容薄膜真空计生产成本以及避免检测过程繁杂，从而提高宽量程的电容薄膜真空计的普用性。
一种量程电容薄膜真空计真空检测方法

[发明专利]一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法-CN202211145367.3有效
发明人：黄星星;刘乔;侯少毅;王凤双 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G01L21/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体加工技术领域，具体而言，涉及一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法，该制作方法包括以下步骤:制作芯轴组件，芯轴组件包括由上到下依次连接的固定电极、上支撑板、感应电极、膜片和下支撑板，感应电极与膜片在周向上凸出于上支撑板与下支撑板，上支撑板的上表面安装有上支撑杆，下支撑板的下表面安装有下支撑杆；利用气相沉积反应在芯轴组件外生成外壳；冷却芯轴组件以及外壳，并拆除上支撑杆和下支撑杆；向外壳内通入氧化气体并加热氧化以消除上支撑板和下支撑板，通过将电容薄膜真空计传感器外壳一体式加工成型，减少在电容薄膜真空计传感器制作过程中产生不必要的应力，从而保证陶瓷薄膜硅的性能。
一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法

[发明专利]一种可张紧感应膜片的电容薄膜真空计-CN202210917065.7有效
发明人：侯少毅;刘乔;王凤双;卫红;黄星星;毕诗博 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G01L21/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种可张紧感应膜片的电容薄膜真空计,其包括：腔体底板、外壳、感应膜片和张紧组件，所述外壳的下端与所述腔体底板连接以压紧所述感应膜片的边沿，所述感应膜片与所述腔体底板围成测量室，并与所述外壳围成参考腔，所述腔体底板与所述感应膜片的接触处设置有第一环槽，所述张紧组件设置在所述参考腔内，所述张紧组件用于把所述感应膜片覆盖所述第一环槽的部分压入所述第一环槽以张紧所述感应膜片，且所述张紧组件把所述感应膜片压入所述第一环槽的压入深度可调；可对感应膜片进行多次张紧，提高真空计的测量精度和使用寿命。
一种可张紧感应膜片电容薄膜真空计

[发明专利]一种电容式薄膜真空计的薄膜焊接方法-CN202210492279.4有效
发明人：刘乔;郭可升;侯少毅;王凤双;卫红;胡强;肖永能 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： B23K31/02 文献下载
摘要：本发明涉及测量仪器技术领域，具体公开了一种电容式薄膜真空计的薄膜焊接方法，该方法包括以下步骤：按照预设温度加热中心膜片，预设温度根据中心膜片的张紧力要求及材质特性进行设定；组合电容式薄膜真空计的下腔体、中心膜片和上腔体并进行保温，以使下腔体和上腔体夹持处于预设温度的中心膜片的边缘；焊接固定下腔体、中心膜片及上腔体以形成组合体；静置冷却组合体；该方法利用中心膜片的热胀冷缩的特性对加热后的中心膜片进行焊接，使得静置冷却后的组合体中的中心膜片具有满足张紧力要求的张紧力，免去了张紧设备的张紧处理，使得中心膜片满足电容式薄膜真空计的加工质量要求，有效提高产品合格率。
一种电容薄膜真空计焊接方法

[发明专利]一种电容薄膜真空计及NEG薄膜制备方法-CN202210648150.8有效
发明人：毕诗博;侯少毅;卫红;胡强;胡琅;王凤双;黄星星 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G01L21/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种电容薄膜真空计及NEG薄膜制备方法，一种电容薄膜真空计包括：壳体，具有一容置腔；电容膜片，将容置腔分隔为测量室和参考腔；连接口，与测量室连通；固定电极，设在参考腔中并与电容膜片平行，形成电容器；还包括：NEG薄膜，NEG薄膜镀在参考腔的内壁，用于吸收参考腔内部的残余气体。通过在参考腔的内壁镀一层NEG薄膜，提高NEG薄膜的吸气效率，能够很好地保持参考腔的真空度，从而提高电容薄膜真空计的测量精度。通过NEG薄膜制备方法对参考腔的内壁进行NEG薄膜镀膜，从而获得镀有NEG薄膜的参考腔。
一种电容薄膜真空计 neg 制备方法

[发明专利]一种抛光头及抛光机-CN202210443467.8在审
发明人：黄星星;王凤双;肖永能;侯少毅;胡强 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本申请属于化学机械抛光技术领域，公开一种抛光头及抛光机，抛光头包括用于安装待抛光工件的安装盘、用于安装安装盘的环形安装板、用于安装环形安装板的底板、用于驱动所述底板向下移动的移动驱动件、用于驱动底板转动的第一转动驱动件及用于驱动安装盘向下变形的电缸，环形安装板的两端分别连接安装盘及底板，移动驱动件的输出端连接底板的上表面，第一转动驱动件的输出端连接底板或移动驱动件，安装盘、环形安装板及底板形成安装空间，电缸设置在安装空间内，电缸的输出端连接有移动板，移动板抵接安装盘上表面的中心区域。本申请的抛光头及抛光机能够使得安装盘在电缸的驱动作用下产生向下的变形，从而改善待抛光工件的平坦度，提高抛光质量。
一种抛光抛光机

[发明专利]真空度检测方法、装置、电子设备、存储介质及系统-CN202210544153.7有效
发明人： 王凤双;侯少毅;胡强;卫红;刘乔;祝经明;毕诗博 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G06F16/00 文献下载
摘要：本申请属于真空计量技术领域，公开了一种真空度检测方法、装置、电子设备、存储介质及系统，通过获取内环电容产生的第一电压信号和外环电容产生的第二电压信号；分别对所述第一电压信号和所述第二电压信号进行峰值检测处理，得到第一峰值信号和第二峰值信号；对所述第一峰值信号和所述第二峰值信号进行差分处理，得到电压差值信号；对所述电压差值信号进行计算处理，得到真空度检测结果，其中差分处理可以减少信号干扰，提高检测精度，从而保证真空度检测结果的可靠性。
真空检测方法装置电子设备存储介质系统

[发明专利]一种消除薄膜应力的电容薄膜真空计-CN202210332796.5有效
发明人：卫红;侯少毅;刘乔;何斌;黄星星;黎天韵;郭远军;毕诗博;王凤双 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G01D18/00 文献下载
摘要：本发明属于真空计技术领域，公开一种消除薄膜应力的电容薄膜真空计，包括壳体、感压薄膜及固定电极，还包括第一加热件；壳体具有容置腔，感压薄膜设置在容置腔内，感压薄膜将容置腔分为第一腔及第二腔；固定电极设置在第一腔内，并与感压薄膜平行，固定电极与感压薄膜组成平行板电容器传感组件；第一加热件设置在第二腔内，并面向壳体的进气口。本申请通过在第二腔内设置第一加热件的设计，使得第一加热件能够对进入第二腔内的待测气体进行加热，使得进入第二腔内的待测气体的温度与第二腔内的温度保持一致，减小第二腔内的温度变化，从而减少温度变化对感压薄膜的应力的影响，进而提高电容薄膜真空计的测量精度。
一种消除薄膜应力电容真空计

[发明专利]电容薄膜规、压力测量方法、系统、电子设备及存储介质-CN202210422504.7有效
发明人：刘乔;王凤双;侯少毅;黎天韵;肖永能;卫红;胡强 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G01L9/12 文献下载
摘要：本申请涉及电容薄膜规技术领域，具体提供了电容薄膜规、压力测量方法、系统、电子设备及存储介质，应用在压力测量系统中，压力测量系统包括膜片、陶瓷基体、固定电极和多个第一测量电极，固定电极用于根据其与膜片的距离生成第一测量电容信息，第一测量电极圆周阵列在固定电极外侧，多个第一测量电极分别用于根据其与膜片的距离生成对应的第二测量电容信息，压力测量方法包括以下步骤：获取第一测量电容信息和第二测量电容信息；根据不同位置的第一测量电极生成的第二测量电容信息检测膜片形变是否均匀，并根据第一测量电容信息和若干个第二测量电容信息计算压力值；该方法能够实现自适应校正测量被测气体的压力值。
电容薄膜压力测量方法系统电子设备存储介质

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 55 条