专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]接触薄膜探针-CN200410091384.9无效
  • 王志源 - 胜华科技股份有限公司
  • 2004-11-25 - 2005-06-29 - G01N21/69
  • 本发明公开了一种接触薄膜探针,其系于塑胶的基材的一面设置有多数讯号传输线,各讯号传输线于邻近基材的端部位置贯穿基材,且于各讯号传输线外缘被覆一绝缘层,而基材的另一面对应各讯号传输线分别设有一段导电层,各导电层并与各讯号传输线相连通,且于各导电层外缘再分别叠设一接触导电层,而可由各接触导电层直接与待测的液晶显示器的线路接触导通。
  • 接触薄膜探针
  • [发明专利]接触薄膜探针-CN200410098841.7无效
  • 王志源;张恒毅;许雅菱 - 胜华科技股份有限公司
  • 2004-12-17 - 2005-06-01 - G01R1/067
  • 本发明公开了一种接触薄膜探针,其具有一塑胶的基材,基材的一面设置有多数条讯号线,并对应各讯号线分别设置一银质的传导层,且对应于各讯号线一端分别设置一接触导电层,以供与液晶显示器的线路接触,而可藉由银质传导层来减少接触阻抗来提升对讯号的传导效率,且银质传导层能藉银镜反应增加其镜面反射率,来提升反射对位的精确度,而可增加接触薄膜探针的使用效率。
  • 接触薄膜探针
  • [实用新型]一种信号采集装置及睡眠垫-CN201920891374.5有效
  • 赵维;张文瑶;罗国发 - 深圳数联天下智能科技有限公司
  • 2019-06-13 - 2020-08-21 - A61B5/103
  • 本实用新型实施例涉及信号采集技术领域,公开了一种信号采集装置及睡眠垫,信号采集装置包括弹性组件、集力组件、支撑组件、主控制器以及与其电连接的第一开关接触薄膜、第二开关接触薄膜和压电薄膜传感;第一开关接触薄膜和第二开关接触薄膜之间间隔设置至少两个弹性组件,两个弹性组件之间形成通孔;压电薄膜传感器设置于第一开关接触薄膜远离第二开关接触薄膜的一侧;集力组件间隔设置于压电薄膜传感器远离第一开关接触薄膜的一侧,第一开关接触薄膜可被集力组件挤压而陷入通孔,并接触第二开关接触薄膜;支撑组件间隔设置于第二开关接触薄膜远离第一开关接触薄膜的一侧。
  • 一种信号采集装置睡眠
  • [发明专利]TFT阵列基板上多次开接触孔的制作方法-CN201610242411.0有效
  • 何佳新;郑立彬 - 昆山龙腾光电有限公司
  • 2016-04-19 - 2019-02-22 - H01L21/768
  • 一种TFT阵列基板上多次开接触孔的制作方法,包括:在第一薄膜上形成第二薄膜,在同等蚀刻条件下,第二薄膜的蚀刻速率大于第一薄膜的蚀刻速率;在第一薄膜和第二薄膜中通过蚀刻工艺形成第一接触孔,第一接触孔贯穿第二薄膜和第一薄膜;在开设第一接触孔后,去除第一薄膜上的第二薄膜;在第一薄膜上形成导电膜,导电膜填入第一接触孔中;在第一薄膜上形成第三薄膜,第三薄膜覆盖导电膜,在同等蚀刻条件下,第三薄膜的蚀刻速率大于第一薄膜的蚀刻速率;在第三薄膜上形成第四薄膜,在同等蚀刻条件下,第四薄膜的蚀刻速率大于第三薄膜的蚀刻速率;在第四薄膜、第三薄膜和第一薄膜中通过蚀刻工艺形成第二接触孔,第二接触孔贯穿第四薄膜、第三薄膜和第一薄膜
  • tft阵列基板上多次接触制作方法
  • [发明专利]一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法-CN200810223613.6无效
  • 张兴旺;蔡培锋;游经碧;范亚明;高云;陈诺夫 - 中国科学院半导体研究所
  • 2008-09-27 - 2010-03-31 - H01L21/28
  • 本发明公开了一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法,该方法是在沉积金属电极之前,利用氢等离子体处理ZnO薄膜的电极接触区域,然后在经氢等离子体处理的ZnO薄膜电极接触区域沉积双层金属电极,形成欧姆接触。由于氢等离子体处理导致氢扩散进入ZnO薄膜,提高了接触区域ZnO薄膜的载流子浓度,减小了接触区域ZnO薄膜的电阻率,从而可以显著降低ZnO薄膜和金属的接触电阻,改善其欧姆接触特性。此外,在MS技术中,由于溅射出的粒子具有较高能量,使得ZnO/Ti界面原子能充分混合,可以提高Ti/Au接触在ZnO薄膜上的粘附性。利用该发明最终可以得到粘附良好、接触电阻低的欧姆接触,为实现ZnO薄膜电子器件奠定了基础。
  • 一种改善zno薄膜欧姆接触方法
  • [发明专利]一种点接触背面场异质结太阳电池及其制造方法-CN201110341022.0无效
  • 张群芳 - 北京汇天能光电技术有限公司
  • 2011-11-02 - 2012-03-07 - H01L31/0747
  • 本发明公开了一种点接触背面场异质结太阳电池及其制造方法,其特征在于:采用N型硅片作为衬底,硅衬底背表面依次沉积n/i硅薄膜、导电薄膜、绝缘薄膜和金属层,金属电极与导电薄膜层通过绝缘薄膜层的接触孔形成点接触;硅衬底正表面沉积p/i硅薄膜层,在p型层表面有透明导电薄膜及在其上设置的金属电极。本发明硅衬底的背表面采用绝缘薄膜层将金属与导电薄膜隔开,金属背电极与导电薄膜通过绝缘薄膜层的接触孔形成局部性接触,将金属半导体面接触改为点接触,可降低金属半导体接触的势垒损失,金属面电极有较低的电阻,金属层还能将未被吸收的光线反射进入硅片再次吸收
  • 一种点接触背面场异质结太阳电池及其制造方法
  • [实用新型]薄膜电路板-CN201621344847.2有效
  • 赵晓斌 - 深圳市恒怡多精彩科技有限公司
  • 2016-12-08 - 2017-08-08 - H01H13/704
  • 本实用新型公开了一种薄膜电路板,包括从上至下设置的上导电薄膜层、第一绝缘隔层、中导电薄膜层、第二绝缘隔层和下导电薄膜层,所述上导电薄膜层、中导电薄膜层和下导电薄膜层依次对应设置有接触电极,所述各接触电极之间留有间距,所述第一绝缘隔层对应接触电极设有第一通孔,所述第二绝缘隔层对应接触电极设有第二通孔;当使用较小的力按压上导电薄膜层时,上导电薄膜层的接触电极穿过第一通孔与中导电薄膜层的接触电极连接导通,再使用更大的力按压上导电薄膜层,中导电薄膜层的接触电极穿过第二通孔与下导电薄膜层的接触电极连接导通。
  • 薄膜电路板
  • [发明专利]定影装置-CN200710003285.4有效
  • 蔡正文;郑忠义;徐铭君;侯怡仲 - 光宝科技股份有限公司
  • 2007-02-02 - 2008-08-06 - G03G15/20
  • 本发明是有关于一种定影装置,包含一发热元件、一导热薄膜、一加压元件、二设置于导热薄膜两端的薄膜调节元件,以及一滚筒;该导热薄膜呈中空管体状且两端分别松配合地套设于该二薄膜调节元件上;该加压元件穿设于导热薄膜内并与该二薄膜调节元件相接触,加压元件包括一水平的水平接触面,水平接触面与导热薄膜内表面接触;该发热元件穿设于导热薄膜内并以辐射加热方式对导热薄膜加热;该滚筒邻设于加压元件的水平接触面并通过导热薄膜与水平接触面抵接,滚筒旋动时可以带动导热薄膜转动,且导热薄膜与水平接触面抵接的部分与滚筒之间共同界定出一定影区域。
  • 定影装置
  • [发明专利]转印片材-CN202080041942.8在审
  • 高岛优一郎;长岛健太;石川宏典;横居广美 - 凸版印刷株式会社
  • 2020-07-20 - 2022-01-28 - B41M5/00
  • 本发明的转印片材具备:具有0.01g/m2以上且10g/m2以下的平均质量的薄膜层;和对薄膜层进行支撑的支撑层。支撑层具有接触薄膜层的支撑面,且包含位于支撑面的多个纤维。薄膜层具有接触于纤维的多个接触部和远离纤维的非接触部。多个接触部中包含下述的接触部:该接触部按照沿着纤维表面扩展的方式与纤维相接触,且该接触部处的薄膜层的平均膜厚小于非接触部处的薄膜层的平均膜厚。
  • 转印片材

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