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[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法-CN201610316229.5在审
发明人：闫丽;张闻斌;王琪;顾凯;陆军威 -专利权人：苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司;协鑫集成科技（苏州）有限公司;协鑫集成科技股份有限公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池领域，具体公开了一种异质结太阳能电池，其包括晶体硅片，依次位于所述晶体硅片的一侧上的第一本征层、第一掺杂非晶硅层、及纳米银线薄膜，以及位于所述晶体硅片的另一侧的背电极。上述异质结太阳能电池，取消ITO层和栅线电极的设置，大大增加了太阳光的利用率，对异质结太阳能电池的光电转换效率的提升极为有利；并且还取消了ITO层的沉积工艺步骤和栅线电极的印刷工艺步骤，极大简化了异质结太阳能电池的制作工序纳米银线薄膜具有良好的柔性，还可以应用于柔性异质结太阳能电池的研究。本发明还公开了一种异质结太阳能电池的制备方法。
异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种半导体异质结DNA生物传感器及其制备与应用-CN201610212731.1有效
发明人：顾文;李文尧;刘宏波 -专利权人：上海工程技术大学
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： C12M1/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体异质结DNA生物传感器及其制备方法与应用，该传感器包括半导体异质结器件和DNA分子探针(5)，半导体异质结器件包括基板衬底(1)、第一半导体层(2)、第二半导体层(3)和源漏电极(4)，DNA分子探针(5)位于第二半导体层(3)表面；该生物传感器是先通过光刻制作源漏电极(4)，再通过真空蒸镀或溅射或旋涂的方法制作半导体异质结器件，最后将DNA分子探针(5)固定在第二半导体层(3)上；本生物传感器通过DNA分子探针和目标DNA分子杂交所引起半导体异质结电导率变化来检测DNA。与现有技术相比，本发明提供的半导体异质结DNA生物传感器具有结构简单、制作成本低、灵敏度高、检测方法多样化等特点。
一种半导体异质结 dna 生物传感器及其制备应用

[发明专利]一种全透明异质结光晶体管及其制备方法-CN201811558062.9在审
发明人：陈惠鹏;郭太良;曹曙光;巫晓敏;刘亚倩;李恩龙 -专利权人：福州大学
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及了一种全透明异质结光晶体管及其制备方法。该全透明异质结光晶体管采用顶栅垂直结构，从下自上依次设置有基底、漏极、氧化物半导体层、可见光吸光层、网状源极、绝缘层和栅极，所述绝缘层的一侧设置有源极接触电极。本发明提供的垂直结构异质结光晶体管可以实现紫外到可见光的宽光谱探测。该垂直结构异质结光晶体管具有超短的载流子传输沟道和大的激子分离界面，并借助金属氧化物半导体高的载流子迁移率，可以实现超高光电性能。该垂直结构的全透明异质结光晶体管有望广泛用于全光谱光探测器、光突触等领域。
异质结光晶体管垂直结构全透明绝缘层可见光制备金属氧化物半导体氧化物半导体层载流子迁移率载流子传输分离界面光电性能光探测器依次设置源极接触宽光谱全光谱网状源吸光层电极顶栅沟道基底激子漏极突触探测

[发明专利]一种异质结纳米材料及其制备方法、薄膜、量子点发光二极管-CN201911394057.3有效
发明人：郭煜林;吴龙佳;张天朔;李俊杰 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L29/225 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结纳米材料及其制备方法、薄膜、量子点发光二极管，其中，所述异质结纳米材料的制备方法包括步骤：提供一种ZnMgO纳米颗粒；将所述ZnMgO纳米颗粒加入到硫源水溶液中并加热，在所述ZnMgO纳米颗粒表面生成ZnS层，制得所述异质结纳米材料。本发明异质结纳米材料中，所述ZnS层可钝化ZnMgO纳米颗粒的表面缺陷，改善以所述异质结纳米材料作为电子传输层时与量子点发光层的接触面质量，同时所述ZnMgO纳米颗粒的表面Zn原子与表面S原子紧密结合后
一种异质结纳米材料及其制备方法薄膜量子发光二极管

[发明专利]一种体相异质结型钙钛矿光电探测器及其制备方法-CN201710540483.8有效
发明人：童思超;王琴;尹莹 -专利权人：湖南纳昇电子科技有限公司
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10K85/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种体相异质结型钙钛矿光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括基底(1)、体相异质结型活性层(2)和电极(3)，所述体相异质结型活性层(2)复合于所述基底(1)的上表面，所述电极(3)复合于体相异质结型活性层(2)的上表面，所述体相异质结型活性层(2)包括复合在基底(1)上表面的2，4，6‑三甲基三苯胺薄膜以及分散在所述2，4，6‑三甲基三苯胺薄膜内的有机无机杂化钙钛矿粉体(21)。
一种相异质结型钙钛矿光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于硅异质结/钙钛矿二电极的叠层太阳能电池-CN201711345397.8在审
发明人：周欢萍;邱智文;徐梓淇;周宁;李能旭;陈怡华;赵冠超;李厉伟;孟原;郭铁 -专利权人：北京大学
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于硅异质结/钙钛矿二电极的叠层太阳能电池的制作方法。叠层太阳能电池与单结太阳能相比，可以更好利用太阳光谱中短波的光子，取得更高效率。所述的硅异质结/钙钛矿二电极的叠层太阳能电池包括宽带隙的顶部钙钛矿太阳能电池和窄带隙的硅电池，自上而下依次包括减反层、透明顶电极、保护层、钙钛矿吸收层、电子传输层、中间层、Si异质结电池、金属电极。本发明采用在低温下制备了隧道结和钙钛矿吸收层。通过简单的、低成本的溶液法制备的硅异质结/钙钛矿二电极的叠层太阳能电池效率最终能达到22.22％，处于国内领先水平。
钙钛矿叠层太阳能电池硅异质结电极吸收层电子传输层溶液法制备太阳能电池异质结电池金属电极太阳光谱保护层低成本顶电极高效率硅电池减反层宽带隙隧道结窄带隙中间层光子单结制备太阳能透明制作

[发明专利]制造异质结太阳能电池片的方法和异质结太阳能电池片-CN202010060252.9在审
发明人：王月斌;王秀鹏;余义;蒋卫朋 -专利权人：成都晔凡科技有限公司
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造异质结太阳能电池片的方法和异质结太阳能电池片。本发明的制造方法中的制造异质结太阳能电池片整片的步骤又包括如下步骤：设置中心层；以递增的多个加工温度在所述中心层的顶侧自所述中心层起依次加工多个顶侧透光导电层；以递增的多个加工温度在所述中心层的底侧自所述中心层起依次加工出多个底侧透光导电层根据本发明，以递增的温度加工出多个透光导电层，这样的设置不会伤害到PN结，不会影响非晶硅膜层对衬底层的钝化效果，由此得到了低的载流子复合速率和更好的P‑N结性能，提高电池的开路电压和填充因子，进而提高异质结电池片的转化效率
制造异质结太阳能电池方法

[实用新型]一种异质结太阳能电池-CN202120274607.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业（有限合伙）
申请日： 2021-01-30 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请公开了一种异质结太阳能电池，一种异质结太阳能电池，包括硅片，镀附于所述硅片一面的本征非晶硅薄膜层、N型非晶硅/微晶硅薄膜层、透明导电层，镀附于所述硅片另一面的本征非晶硅薄膜层、P型非晶硅/微晶硅薄膜层、透明导电层，以及位于所述透明导电层上的电极，所述电极为栅线，至少部分嵌入到所述透明导电层的内部。上述异质结太阳能电池，能够提高电池填充因子，同时制作方法简单，对现有异质结电池的制程干扰有限，简便易行。
一种异质结太阳能电池

[发明专利]一种新型的异质结太阳电池-CN201710857818.9在审
发明人：杨恢东;张翠媛;宋香荣;夏锦辉;王菁;陈玉玲;彭炳荣;李俊魁 -专利权人：暨南大学;暨南大学韶关研究院
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L31/077 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的异质结太阳电池，包括背电极层、位于背电极层之上的P层、位于P层之上的窗口层，所述窗口层为掺杂了Al的ZnO薄膜；掺杂了Al的ZnO薄膜与P层形成PN结。本发明将透明导电氧化层与N型窗口层合二为一，形成NIP型异质结太阳电池，通过在单晶硅上用不同带隙的材料制备而成异质结，提高了太阳电池的效率，增加了太阳能的利用率。
一种新型异质结太阳电池

[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制备方法与应用-CN202011003906.0有效
发明人：陈明飞;刘永成;江长久;陈明高;徐胜利;王志杰;郭梓旋;莫国仁;李跃辉 -专利权人：长沙壹纳光电材料有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法与应用，包括依次层叠的TCO‑I膜层、TCO‑II膜层、N型非晶硅层、第一本征非晶硅层、N型衬底、第二本征非晶硅层、P型非晶硅层、TCO‑III膜层、TCO‑IV膜层；其中，所述TCO‑II膜层的功函数高于TCO‑I膜层的功函数且TCO‑IV膜层的功函数高于TCO‑III膜层的功函数。本发明结构的异质结太阳能电池能够有效改善异质结太阳能电池接触电阻，解决了传统异质结电池中不同类型的界面之间的接触电阻高的问题。
一种异质结太阳能电池及其制备方法应用

[实用新型]异质结太阳能电池-CN202022808021.X有效
发明人：邓士锋;赵亚婷;陆悦;夏正月;许涛 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种异质结太阳能电池，所涉及的异质结太阳能电池具有设置于硅衬底受光面一侧的第一透明导电膜层以及设置于硅衬底背光面一侧且方阻小于第一透明导电膜层方阻的第二透明导电膜层，第一透明导电膜层与第二透明导电膜层上还分别设置有第一集电极与第二集电极，第二集电极具有设置于第二透明导电膜层上的铝副栅；本实用新型将传统异质结太阳能电池的背面银副栅更换为铝副栅，能够大幅降低异质结太阳能电池的制作成本；而且由于位于背光面的第二透明导电膜层相对位于受光面的第一透明导电膜层具有更小的方阻，即使将异质结太阳能电池中的传统背面银副栅更换为铝副栅，也能满足异质结太阳能电池背面电流的顺畅传输。
异质结太阳能电池

[实用新型]双面异质结太阳能电池及光伏组件-CN202022192245.2有效
发明人：张达奇;姚铮;吴华德;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯光伏技术有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种双面异质结太阳能电池及光伏组件，其所涉及的双面异质结太阳能电池包括单晶硅衬底、设置于单晶硅衬底背光面的背面本征非晶层、设置于背面本征非晶层表面的背面掺杂非晶层；背面掺杂非晶层包括位于背面本征非晶层表面的第一掺杂非晶硅膜以及位于第一掺杂非晶硅膜表面的第一掺杂非晶氧化硅膜或第一掺杂非晶碳化硅膜；如此可以在确保背面掺杂非晶层与第二本征非晶硅层具有良好接触的前提下提高背面掺杂非晶层的透光性，能降低太阳光在由背光面进入双面异质结太阳能电池内部时的损耗，可提高双面异质结太阳能电池的短路电流，进而可在优化双面异质结太阳能电池光电转化效率的同时也能提高双面异质结太阳能电池的双面率
双面异质结太阳能电池组件

[发明专利]异质结太阳能电池及其制作工艺-CN201910864122.8在审
发明人：朱永生;杨宝海;李轶军;李义升 -专利权人：营口金辰机械股份有限公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：异质结太阳能电池及其制作工艺属于晶体硅太阳能电池领域，尤其涉及一种异质结太阳能电池及其制作工艺。本发明提供一种防水性好，可靠性强的异质结太阳能电池，以及一种生产效率高，产品质量好的异质结太阳能电池制作工艺。本发明的异质结太阳能电池，包括由上至下依次设置的第一ITO透明导电薄膜层、第一掺杂非晶硅薄膜层、第一本征非晶硅薄膜层、N型单晶硅片、第二本征非晶硅薄膜层、第二掺杂非晶硅薄膜层和第二ITO透明导电膜层，其特征在于：所述第二ITO透明导电膜层下方设置有水汽阻挡层薄膜；所述第一ITO透明导电膜层上方和水汽阻挡层薄膜的下方0均设置有金属栅线电极。
异质结太阳能电池制作工艺本征非晶硅薄膜掺杂非晶硅薄膜水汽阻挡层薄膜晶体硅太阳能电池金属栅线电极生产效率依次设置防水性

[发明专利]异质结太阳能电池片及其制造方法-CN201911319983.4在审
发明人：常青;姚骞;张家峰;马列;王秀鹏 -专利权人：通威太阳能（眉山）有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造异质结太阳能电池片的方法和异质结太阳能电池片。异质结太阳能电池包括单晶硅片、隧穿层、N型钝化层、P型钝化层和透光导电层。隧穿层设置在单晶硅片的底表面上；N型钝化层设置在隧穿层的底表面上；P型钝化层设置在单晶硅片的顶表面上；透光导电层设置在P型钝化层的顶表面上。在本发明中，将钝化接触和异质结两种技术结合起来，既保留了钝化接触的低成本特性又兼具异质结电池的效率高、工艺简单等优势。
异质结太阳能电池及其制造方法

[发明专利]一种异质结电池及其制备方法-CN202110767660.2有效
发明人：徐晓华;辛科;周肃;龚道仁;王文静;李晨;陈梦滢;程尚之 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结电池及其制备方法，异质结电池包括：半导体衬底层；本征半导体复合层，所述本征半导体复合层位于所述半导体衬底层的至少一侧表面，所述本征半导体复合层包括：底层本征层；位于所述底层本征层背向所述半导体衬底层一侧表面的宽带隙本征层，所述宽带隙本征层的带隙大于所述底层本征层的带隙。宽带隙本征层的带隙较大，当太阳光照射异质结电池时，能量小于宽带隙本征层的带隙的光子不能被寄生吸收，减小了本征半导体复合层对太阳光的寄生吸收，从而使得半导体衬底层对太阳光的吸收增多，半导体衬底层产生的光生载流子增多，进而能提高异质结电池的短路电流，能提高异质结电池的转换效率。
一种异质结电池及其制备方法