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[发明专利]一种具有同侧电极芯片的LED封装结构-CN201410438711.7有效
发明人：李媛 -专利权人：李媛
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明提供一种具有同侧电极芯片的LED封装结构，包括芯片及芯片上的N型半导体层电接触的N型电极和P型半导体层电接触的P型电极、与芯片电极电接触的基板，芯片的N型半导体层和P型半导体层两侧的面为芯片的出光面，位于出光面侧边的其余面为芯片的侧面；N型电极和P型电极设置在所述芯片的同一侧面上。由于本发明芯片的电极位于芯片的侧面，无需在芯片出光面上焊线，减少光线遮挡，提高了LED的出光效率。
一种具有电极芯片 led 封装结构

[实用新型]一种具有同侧电极芯片的LED封装结构-CN201420496088.6有效
发明人：李媛 -专利权人：李媛
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有同侧电极芯片的LED封装结构，包括芯片及芯片上的N型半导体层电接触的N型电极和P型半导体层电接触的P型电极，与芯片电极电接触的基板，容置所述芯片和基板的杯碗，芯片的N型半导体层和P型半导体层两侧的面为芯片的出光面，位于出光面侧边的其余面为芯片的侧面；N型电极和P型电极设置在所述芯片的同一侧面上。由于本实用新型芯片的电极位于芯片的侧面，无需在芯片出光面上焊线，减少光线遮挡，提高了LED的出光效率。
一种具有电极芯片 led 封装结构

[实用新型]一种异侧电极芯片的LED封装结构-CN201420497693.5有效
发明人：李媛 -专利权人：李媛
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型提供一种异侧电极芯片的LED封装结构，包括芯片及芯片上与N型半导体层电接触的N型电极和与P型半导体层电接触的P型电极、与所述芯片的N电极和P电极电接触的基板，容置所述芯片和基板的杯碗，芯片的N型半导体层和P型半导体层两侧的面为芯片的出光面，位于出光面侧边的其余面为芯片的侧面；所述N型电极和P型电极分别设置在芯片的不同侧面上。由于本实用新型芯片的电极位于芯片的侧面，无需在芯片出光面上焊线，减少光线遮挡，提高了LED的出光效率。
一种电极芯片 led 封装结构

[发明专利]在多芯片封装（MCP）中实现的存储设备的测试方法和包括测试方法的制造MCP的方法-CN202111132617.5在审
发明人：安庠珉;李行真;韩昌锡;吴太焕;全珉彻;崔炳哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提供了一种制造多芯片封装(MCP)的方法。MCP包括第一类型半导体芯片、第二类型半导体芯片和被配置为控制第二类型半导体芯片的存储器控制器。该方法包括：将第一类型半导体芯片和存储器控制器安装在基板上，将第二类型半导体芯片安装在第一类型半导体芯片上，形成模塑层以覆盖第一类型半导体芯片和第二类型半导体芯片以及存储器控制器，对第一类型半导体芯片执行功能测试，以及同时确定第二类型半导体芯片中是否出现裂纹缺陷。当在第二类型半导体芯片的低功率模式测试中测量的电流大于或等于测试参考值时，确定第二类型半导体芯片的裂纹缺陷。
芯片封装 mcp 实现存储设备测试方法包括制造

[发明专利]光电开关封装结构及封装方法-CN202010322494.0在审
发明人：陈彧;张智鸿;林紘洋;袁瑞鸿;万喜红 -专利权人：福建天电光电有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L31/12 文献下载
摘要：本发明揭露一种光电开关封装结构及封装方法，光电开关封装结构包括基板、发射型芯片、接收型芯片、封胶层以及壳体，发射型芯片和接收型芯片分别设置于基板上，封胶层设置于基板上，用于分别封装发射型芯片以及接收型芯片，壳体是以不透光的材料制作，具有二个透光孔，壳体安装于基板上且包覆封胶层，并将发射型芯片以及接收型芯片隔离，二个透光孔分别设置于发射型芯片以及接收型芯片的正上方。
光电开关封装结构方法

[发明专利]薄型化芯片的封装结构及其制造方法-CN201410246555.4在审
发明人：林殿方 -专利权人：东琳精密股份有限公司
申请日： 2014-06-05 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提出一种薄型化芯片的封装结构，包含一基板、一薄型化芯片、一强化层及一密封胶体。薄型化芯片设置于基板上且与基板电性连接；强化层设置于该薄型化芯片上；密封胶体形成于基板上且包覆薄型化芯片及强化层。强化层承受形成密封胶体的压力或应力，以保护薄型化芯片。本发明另提出一种薄型化芯片的封装结构的制造方法，其可制造上述薄型化芯片的封装结构。
薄型化芯片封装结构及其制造方法

[发明专利]一种白光LED芯片及其制造方法-CN200910200961.6有效
发明人：肖德元;王曦;陈静 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2009-12-25 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明揭示了一种白光LED芯片，包括构成顺次构成层叠结构的第一类型LED芯片、第二类型LED芯片、及第三类型LED芯片；所述第一类型LED芯片、所述第二类型LED芯片、及所述第三类型LED芯片均包括间隔排列的基本发光单元与环氧树脂透镜本发明还提供一种LED芯片的制造方法，包括分别制作包括间隔排列的基本发光单元与环氧树脂透镜的第一类型LED芯片、所述第二类型LED芯片、及所述第三类型LED芯片，并将上述三者键合以构成层叠结构的步骤。本发明的有益效果在于：节约芯片面积，发光效率高。
一种白光 led 芯片及其制造方法

[发明专利]灯串的制作方法以及灯串-CN202011060149.0有效
发明人：赵海洪 -专利权人：江西橙子光电科技有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：本发明提供一种灯串的制作方法，包括提供A型发光芯片和B型发光芯片；将A型发光芯片和B型发光芯片依次交替布置并且布置四条间隔并基本沿着芯片布置方向延伸的引线；切断连接相邻的上游A型发光芯片的第一信号输入焊盘和下游B型发光芯片的第二信号输出焊盘的引线、以及切断连接相邻的上游B型发光芯片的第二信号输入焊盘和下游A型发光芯片的第一信号输出焊盘的引线。
制作方法以及

[发明专利]芯片封装结构-CN201710205828.4在审
发明人：陈威宇;黄立贤;苏安治;陈宪伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：提供芯片封装结构。芯片封装结构包含再布线基板。芯片封装结构包含第一芯片结构，其位于再布线基板上。芯片封装结构包含第一焊料凸块，其配置于再布线基板与第一芯片结构之间，并电性连接再布线基板与第一芯片结构。芯片封装结构包含第一成型层，其围绕第一芯片结构。第一成型层与第一芯片结构以及再布线基板之间隔有第一焊料凸块，以定义间隙于第一成型层与第一芯片结构以及再布线基板之间。芯片封装结构包含第二芯片结构，其位于第一芯片结构上。芯片封装结构包含第二成型层，其围绕第二芯片结构。芯片封装结构包含第三成型层，其围绕第一成型层、第二成型层、与第一焊料凸块，并填入间隙中。
芯片封装结构

[发明专利]芯片封装结构-CN202211025463.4在审
发明人：陈威宇;黄立贤;苏安治;陈宪伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：提供芯片封装结构。芯片封装结构包含再布线基板。芯片封装结构包含第一芯片结构，其位于再布线基板上。芯片封装结构包含第一焊料凸块，其配置于再布线基板与第一芯片结构之间，并电性连接再布线基板与第一芯片结构。芯片封装结构包含第一成型层，其围绕第一芯片结构。第一成型层与第一芯片结构以及再布线基板之间隔有第一焊料凸块，以定义间隙于第一成型层与第一芯片结构以及再布线基板之间。芯片封装结构包含第二芯片结构，其位于第一芯片结构上。芯片封装结构包含第二成型层，其围绕第二芯片结构。芯片封装结构包含第三成型层，其围绕第一成型层、第二成型层、与第一焊料凸块，并填入间隙中。
芯片封装结构

[发明专利]IC芯片和与其连接的卡以及移动终端装置-CN03813512.4无效
发明人：坂村健;越塚登;森谦作;石井一彦;青野博;本乡节之 -专利权人：坂村健;越塚登;株式会社NTT都科摩
申请日： 2003-06-09 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本发明提供一种具有由一个芯片实现非接触型和接触型的两种功能的双接口的IC芯片，并且提供一种使该芯片作为非接触型或接触型的IC卡都能够发挥良好的功能的卡以及移动终端装置。IC芯片包括CPU；与CPU连接的接触型接口，用于在CPU与外部之间能够进行数据通信；和与CPU连接的非接触型接口，用于在CPU与外部之间能够进行无线数据通信。而且，能够与IC芯片的非接触型接口电连接的卡具有天线，通过使天线与IC芯片的非接触型接口电连接，能够实现与IC芯片外部的无线数据通信。并且，能够与IC芯片的接触型接口电连接的移动终端装置具有CPU，通过使该CPU与IC芯片的接触型接口连接进行数据通信，能够使IC芯片发挥作为接触型IC芯片的功能。
ic 芯片与其连接以及移动终端装置

[实用新型]一种用于制备纳米粒的混合芯片-CN202222988645.3有效
发明人：梁梅桂;张龙贵 -专利权人：深圳厚存纳米药业有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： B01F33/30 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于制备纳米粒的混合芯片，所述的混合芯片包括芯片基底和芯片盖板，芯片基底上部设有三组“S”型曲线混合通道，分别为第一“S”型混合通道、第二“S”型混合通道和第三“S”型混合通道，且内部设有三棱锥型本实用新型芯片结构简单，制造材料可选范围广，大大降低制造成本；芯片混合通道借助“S”型弯曲形态及内部的“三角锥”型障碍物的分流作用实现高效充分、方便、快速、稳定地制备出均匀的纳米颗粒；芯片基底和芯片盖板可以独立分开，使用完芯片后或芯片堵塞后，清洗方便；若使用硅基玻璃、金属等高硬度材料制造的芯片，可重复使用。
一种用于制备纳米混合芯片

[实用新型]一种LED显示面板及LED显示器-CN202020400023.2有效
发明人：江仁杰;徐瑞林;钟光韦;张嘉修;苏财钰 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种LED显示面板及LED显示器，包括设置有LED阵列的显示背板，LED阵列包括多个LED芯片；LED芯片包括垂直出射型发光芯片和倾斜出射型发光芯片；LED阵列的内部设置有垂直出射型发光芯片，垂直出射型发光芯片所发出的主光线的朝向垂直于显示背板的方向；LED阵列的边缘设置有倾斜出射型发光芯片，倾斜出射型发光芯片所发出的主光线的朝向远离显示背板的几何中心的方向。在LED阵列的内部设置有垂直出射型发光芯片，而在LED阵列的边缘设置有倾斜出射型发光芯片，通过倾斜出射型发光芯片所发出朝向远离显示背板几何中心方向的主光线，在相邻的LED显示面板之间形成聚光效应，从而避免相邻的
一种 led 显示面板显示器

[发明专利]一种Micro-LED芯片的坏点检测方法-CN202310906431.3在审
发明人：张星星;汪恒青;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种Micro‑LED芯片的坏点检测方法，该方法包括：将目标晶圆划分成若干个测试单元，使每个测试单元内均包括若干个Micro‑LED芯片，在每个芯片上制作连接至N型半导体层的N型第一电极与N型第二电极，制作连接至P型半导体层的P型第一电极与P型第二电极，制作连接至每个芯片P型第二电极的P型桥接电极，在对测试单元内的任意芯片进行电流测试时，点测机的正负极与N型第二电极与P型第二电极接触，输出低于芯片开启电压的测试电流，判断芯片有无发光，若发光，说明该芯片存在漏电等异常情况，从而快速检测巨量Micro‑LED芯片的坏点情况，检测效率高，省时省力，能够有效避免异常芯片进入下一制程。
一种 micro led 芯片检测方法

[实用新型]一种芯片型微反应通道机构-CN201921969988.7有效
发明人：王华;方建鑫 -专利权人：博勒流体科技（杭州）有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芯片型微反应通道机构，包括芯片型微反应通道主体和流风片，所述芯片型微反应通道主体内部的左右两侧均安装有通孔，所述流风片的上下两侧均安装有导流道，且流风片位于芯片型微反应通道主体的前端，所述芯片型微反应通道主体的上下两侧均安装有连接杆，且连接杆靠近芯片型微反应通道主体的一侧内部贯穿有定位销，所述连接杆远离芯片型微反应通道主体的一侧内部贯穿有连接销。该芯片型微反应通道机构设置有橡胶垫，通过橡胶垫能够有效的增大外部物体与芯片型微反应通道机构之间的摩擦力，以及能够有效的限制外部物体与芯片型微反应通道机构之间的位置。
一种芯片反应通道机构

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