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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]改善PERC高效电池EL良率的工艺-CN201710470049.7有效
发明人：高翔;孙铁囤;姚伟忠 -专利权人：常州亿晶光电科技有限公司
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池片制备技术领域，尤其是一种改善PERC高效电池EL良率的工艺，该工艺包括以下步骤：a、将炉管内的温度提升至800±200℃，然后向炉管内通入5000±1000sccm氮气进行吹扫，去除炉管内杂质物氧气，将步骤a中不能去除的杂质进行氧化反应；c、将炉管内的温度降至500±200℃，通入氮气进行吹扫，将杂质氧化反应后的生成物吹除；d、最后将硅片送入炉管内进行退火处理，本发明的改善PERC高效电池EL良率的工艺将沉淀在炉管里的杂质通过提升温度
改善 perc 高效电池 el 工艺

[发明专利]晶圆结构及芯片良率检测方法-CN202211025890.2有效
发明人：黄普嵩;冯亚;蔡信裕 -专利权人：合肥新晶集成电路有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本公开涉及一种晶圆结构及芯片良率检测方法，涉及半导体技术领域。上述晶圆结构可以减少芯片良率提升研发过程中的晶圆使用数量，且有利于缩短芯片良率检测时间及缩短芯片良率提升的研发时间。
结构芯片检测方法

[发明专利]光刻掩膜版的良率提升方法-CN201210170234.1无效
发明人：陈福成 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-05-28 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻掩膜版的良率提升方法，该方法是在光刻亚分辨率辅助图形上增加支撑图形。该方法通过在光刻亚分辨率辅助图形上增加一些小的支撑图形，使光刻胶在局部形成比较大的光刻胶形貌，从而增加了光刻胶与衬底的粘附力，避免了光刻胶倒塌，达到了提升光刻版良率的目的。
光刻掩膜版提升方法

[实用新型]一种提高良率的LED装置-CN201120342019.6有效
发明人：张伟;王枉基 -专利权人：广州市添鑫光电有限公司
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高良率的LED装置，包括机体，机体左侧设有正极引脚，同时机体右侧设有负极引脚。另外，机体下表面设有PPA膜区。本实用新型的装置通过对金线的焊接进行调整，将金线形状调整，使点好荧光粉后的良率得到了提高，令灯具可以正常量产，对推动生产具有积极的意义，也更加有利于该功率LED在应用产品上面的使用。
一种提高 led 装置

[实用新型]一种电机良率测试装置-CN201920352251.4有效
发明人：周佐;黄锡鸿 -专利权人：怀集县立品科技实业有限公司
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： G01R31/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电机良率测试装置，包括电机固定座、卡扣件、电机测试仪、转轮、弹性装置、红外发射装置和红外接收装置，所述电机固定座的顶部开设有用于容置电机的第一容置槽和用于容置转轮的第二容置槽，所述卡扣件与所述电机固定座可拆卸卡扣连接
容置槽电机转轮电机固定座卡扣件红外发射装置红外接收装置电机测试仪温度探头电接触抵接容置本实用新型暂时性固定弹性装置卡扣连接良率测试可拆卸外壁转轴

[实用新型]一种高良率线路板-CN202022594890.7有效
发明人：叶钢华;吴永强;程祥艳 -专利权人：惠州市永隆电路有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高良率线路板，包括第一线路板、第二线路板、第三线路板，所述第三线路板的两端分别固定连接于所述第一线路板和所述第二线路板，所述第三线路板的中间区域为独立区域，所述独立区域的上下两侧分别设有第一覆盖膜、所述第二覆盖膜的面积、所述独立区域的面积均相同，通过第一覆盖膜、第二覆盖膜的设置，解决了半固化片开窗导致掉膜的问题，实现了在半固化片开窗过程中，贴膜稳定牢固，不易掉膜，有效保障产品质量，提升线路板的良率
一种高良率线路板

[实用新型]高良率电饭煲煲身注塑模具-CN202221426613.8有效
发明人：杨海波 -专利权人：佛山市申海汇鑫科技有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： B29C45/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了高良率电饭煲煲身注塑模具，包括固定板和工作台，所述固定板内侧螺栓连接有带动导杆一侧的气缸，所述导杆的动力输出端与连接板的动力输入端相连；所述连接板内侧螺丝固定有与模具B相接处的模具A，所述工作台一侧焊接有固定电机本实用新型通过安装的电机A、电机B、螺纹杆、支架、刷体和电动伸缩杆，便于对模具B内部残留的碎料进行清理，避免模具B内残留的碎屑对电饭煲煲身成型造成影响，从而提高电饭煲煲身的高良率。
高良率电饭煲注塑模具

[实用新型]提升元器件焊接良率的PCB板-CN202320407975.0有效
发明人：曾青青 -专利权人：上海矢元电子股份有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提升元器件焊接良率的PCB板，包含：第一轮廓线和第二轮廓线；第一轮廓线围成第一区域，第一区域内设有焊盘，用于与元器件焊接；第二轮廓线围成第二区域，第二区域将第一区域包围。本实用新型，提升了元器件焊接的良率，避免元器件虚焊。
提升元器件焊接 pcb

[发明专利]一种重要佤药资源娘母良的栽培方法-CN202210317880.X在审
发明人：李永华;李志兰;李聪颖;李红英;郑家银;张东成;李秀君;苏义巫 -专利权人：沧源奕岚佤医药开发有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： A01G22/00 文献下载
摘要：本发明涉及药物栽培技术领域，且公开了一种重要佤药资源娘母良的栽培方法，包括以下步骤：选择地势高、干燥、排水良好的壤土或沙壤土，土地选好后，整地前必须1次施足底肥，每亩施充分腐熟厩肥2500～3000kg该重要佤药资源娘母良的栽培方法，通过栽培方式采用搭建大棚内加小拱棚，生根溶液采用KT‑30+NAA+退菌特的组合激素处理液，成活率高、生根率高、根系生长好，其生根率和成活率均达到93.8％以上，通过娘母良高产栽培方法操作简单、成本低廉、成活率高、生根率高、娘母良栽培一般五年后收成，得到丰厚的利润率。
一种重要资源娘母良栽培方法

[发明专利]一种32位MCU芯片测试系统及其测试方法-CN201811622072.4在审
发明人：庞新洁;周兵 -专利权人：芯海科技(深圳)股份有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：测试机台与嵌入式微处理器通过数据传输接口连接；嵌入式微处理器中设置有：用于完成核心计算及控制功能的控制模块、存储模块、固件更新模块、多电源管理模块、自适应接口模块、接触检测模块、扫描模块、指标测试模块和良率控制模块；本发明旨在利用多平台协同处理，对芯片模拟性能特性进行测试和良率分析，同时可以测试多种模拟参数，采用多电源控制和高精度线扫技术，整个测试和良率分析控制过程无需人为参与，能够自动完成多批次产品的良率信息并分析
良率嵌入式微处理器测试测试系统机台控制模块多电源数据传输接口自适应接口存储模块分析控制固件更新管理模块接触检测控制功能模拟参数批次产品扫描模块协同处理芯片模拟性能特性指标测试自动完成多平台精度线分析

[发明专利]一种LED晶圆良率检测方法-CN202110154903.5在审
发明人：竺时育;张梁;孙毅堂;陈云龙 -专利权人：苏州众里数码科技有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED晶圆良率检测方法，包括以下步骤：S1、利用机器视觉捕捉模块捕捉待检测晶圆上与工艺缺陷特征模块中相同的晶圆缺陷特征；S2、通过晶圆缺陷处理模块统计并记录下待检测晶圆的缺陷特征位置及缺陷数目本发明中，相较于现有的需要切割晶圆后再通过人工目视检查晶圆的良率检测方法而言，本发明无需切割晶圆即可预判晶圆良率，避免晶圆切割封装才发现良率异常的情况发生，提高晶圆检查效率，使得晶圆检查效率可以紧跟制造速度
一种 led 晶圆良率检测方法

[发明专利]一种提高斜面刻蚀良率的方法-CN202011531146.0在审
发明人：吕相林 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高斜面刻蚀良率的方法，属于半导体制造技术领域，所述提高斜面刻蚀良率的方法，包括以下步骤：步骤一：提供一带膜层的晶圆；步骤二：旋转所述晶圆，对以晶圆中心为圆心、不大于晶圆半径80%以内的膜层喷去离子水形成水性保护膜本发明提供的提高斜面刻蚀良率的方法，能够减少对晶圆边缘区域的膜层进行斜面刻蚀时，化学溶液反溅对晶圆中心区域膜层的损坏，从而提高斜面刻蚀后的晶圆良率。
一种提高斜面刻蚀方法

[发明专利]基于失效边缘采样的电路良率估计方法、预测系统-CN202211677888.3在审
发明人：谢帅;何振宇;范文妍;赵文鹏;白耿;鲍琛 -专利权人：深圳国微福芯技术有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于失效边缘采样的电路良率估计方法、预测系统。其中基于失效边缘采样的电路良率估计方法，包括：基于电路的参数域的范围，获取靠近失效域边缘的成功样本点和失效样本点分别作为正样本点和负样本点；基于所获取的正样本点和负样本点对机器学习分类器进行训练，并选择一个最优的机器学习分类器；在电路的参数域上进行蒙特卡洛采样，将得到的采样点输入至最优的机器学习分类器中，根据机器学习分类器输出的采样点正样本点数量占据总采样点的数量，得到电路的良率。本发明大大减少了不必要的电路仿真，进一步提升了良率估计的效率。
基于失效边缘采样电路估计方法预测系统

[发明专利]SIC VDMOS器件及提高SIC器件良率和可靠性的方法-CN202211537168.7在审
发明人：彭虎 -专利权人：苏州龙驰半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种SIC VDMOS器件及提高SIC器件良率和可靠性的方法。所述提高SIC器件良率和可靠性的方法，包括对SIC晶片进行离子注入的步骤、对经离子注入后的SIC晶片进行激活的步骤以及基于激活后的SIC晶片制作VDMOS器件结构的步骤，其中，对经离子注入后的SIC晶片进行激活的步骤包括本发明提供的一种提高SIC器件良率和可靠性的方法，相比于当前使用C膜保护的方式，可以减少器件particle的数量，提高器件的良率和可靠性。
sic vdmos 器件提高可靠性方法

[发明专利]一种多道光学膜全贴合的玻璃扩散板提升良率的方法-CN202310666056.X在审
发明人：李飞;陈雪莲;李琳;林金锡;林金汉 -专利权人：常州亚玛顿股份有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B29C65/74 文献下载
摘要：本发明属于玻璃扩散板的技术领域，具体涉及一种多道光学膜全贴合的玻璃扩散板提升良率的方法，这种多道光学膜全贴合的玻璃扩散板提升良率的方法包括如下步骤：步骤一：清洗，采用清洗机构对玻璃扩散板裸板进行清洗；步骤二步骤一中，清洗机构包括玻璃传送台、设于玻璃传送台上的若干传送滚轮、第一清洗槽、第二清洗槽、第三清洗槽和吹干系统；这种多道光学膜全贴合的玻璃扩散板提升良率的方法具有提升贴合段的良率，单片贴合良品的成本降低的效果
一种多道光学贴合玻璃扩散提升方法

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