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[发明专利]具有减小的应力敏感度的磁阻传感器-CN201910602979.2有效
发明人： J·齐默;K·普鲁格尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：例如，一种磁阻传感器，包括第一非磁性层、第二非磁性层和磁性自由双层。磁性自由双层设置在第一非磁性层和第二非磁性层之间，磁性自由双层包括耦合至第二磁性自由层的第二磁性自由层。第一磁性自由层耦合至第一非磁性层，并且第二磁性自由层耦合至第二非磁性层。第二非磁性层包括非磁性材料，其原子半径在第一磁性自由层和第二磁性自由层中的至少一个的原子半径的10％以内。
具有减小应力敏感度磁阻传感器

[发明专利]磁性隧道结器件以及包括其的随机计算系统-CN202211141697.5在审
发明人：李成喆;金洸奭;朴正宪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本公开提供了磁性隧道结器件以及包括其的随机计算系统。一种磁性隧道结器件包括被钉扎磁性层、自由磁性层以及在被钉扎磁性层和自由磁性层之间的隧道势垒层。自由磁性层包括第一自由层、与隧道势垒层间隔开而使第一自由层在其间的第二自由层、以及在第一自由层和第二自由层之间的间隔物层。第一自由层和第二自由层通过间隔物层而彼此反铁磁耦合，第一自由层和第二自由层中的每个具有基本上垂直于在自由磁性层和隧道势垒层之间的界面的磁化方向。自由磁性层的热稳定性在0至15的范围内。
磁性隧道器件以及包括随机计算系统

[发明专利]自旋轨道矩磁性器件、磁性隧道结器件及磁存储器-CN202010384553.7有效
发明人：王子路;赵巍胜;曹凯华;乔俊峰 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种自旋轨道矩磁性器件、磁性隧道结器件及磁存储器，该自旋轨道矩磁性器件包括：第一磁性自由层、金属耦合层以及第二磁性自由层，所述金属耦合层设置在所述第一磁性自由层的上方，所述第二磁性自由层设置在所述金属耦合层上方；所述第一磁性自由层和所述第二磁性自由层具有垂直磁各向异性；所述金属耦合层用于提供交换相互作用以使所述第一磁性自由层和所述第二磁性自由层实现反铁磁耦合。
自旋轨道磁性器件隧道磁存储器

[发明专利]磁性存储器的写入方法-CN200710197175.6有效
发明人：何家骅 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-12-10 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：一种磁性存储器的写入方法。磁性存储器包括第一磁性固定层、第二磁性固定层及磁性自由层。第一磁性固定层固定于第一磁性方向，第二磁性固定层固定于第二磁性方向。磁性自由层可磁化为第一磁性方向或第二磁性方向。写入方法包括：(a)施加外加磁场于磁性自由层；以及(b)提供第一电子流通过磁性自由层，以磁化磁性自由层为第一磁性方向或该第二磁性方向。
磁性存储器写入方法

[发明专利]一种基于磁性隧道结的互联自旋多数门器件-CN202210506107.8在审
发明人：何亮;曾前进 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种基于磁性隧道结的互联自旋多数门器件，从表面到衬底依次堆叠的上电极层、磁性钉扎层、绝缘隧穿层、第一磁性磁化自由层FL1、隔离耦合层、第二磁性磁化自由层FL2、重金属层和底电极层；所述磁性固定层由磁性层和耦合的反铁磁层组成，所述第一、第二磁性磁化自由层中间设有将磁性磁化自由层隔开的隔离耦合层；所述磁性钉扎层、所述绝缘隧穿层和所述磁性磁化自由层构成磁性隧道结，利用电流产生的自旋转移力矩效应控制所述磁性磁化自由层的磁化方向，利用互联磁性磁化自由层交换耦合作用实现逻辑；器件包括四个共用磁性磁化自由层的双磁化自由层磁性隧道结，依次记为第一、第二、第三输入MTJ和输出；器件为十字形共四个分支，其中三个分支为输入分支，第四个分支为输出分支
一种基于磁性隧道自旋多数器件

[发明专利]用于具有多部分自由层的磁性隧道结的调整固定层-CN200680038631.6有效
发明人：戴维·W·亚伯拉罕;丹尼尔·C·沃利奇 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-05-04 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：提供了优化具有多部分自由层的磁性隧道结(MTJ)的触发窗口的装置和方法。根据本发明的一个方面，一种MTJ包括：自由层；固定层；以及形成在该自由层和该固定层之间的阻挡层。该自由层又包括多个自由磁性子层，而该固定层包括多个固定磁性子层。每个固定磁性子层对自由磁性子层施加磁场。为了优化该器件的触发窗口，每个固定磁性子层的尺寸选择为基本使得作用在每个自由磁性子层上的平均磁场相等。
用于具有部分自由磁性隧道调整固定

[发明专利]多位磁性存储装置及其制造和操作方法-CN200610003205.0无效
发明人：林志庆;金庸洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-01-27 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用自旋极化电流的多位磁性存储装置及其制造和操作方法。所述磁性存储装置包括开关器件和连接到所述开关器件的磁性存储节点，其中，所述磁性存储节点包括彼此垂直并分开设置的第一磁性层、第二磁性层和自由磁性层，所述第一磁性层和所述第二磁性层具有彼此相反的自旋极化电子传输特性所述自由磁性层可包括彼此单独形成的第一自由磁性层和第二自由磁性层。所述磁性存储节点还可包括在所述第一自由磁性层和所述第二自由磁性层之间单独形成的第三磁性层和第四磁性层，所述第三磁性层和所述第四磁性层具有彼此相反的自旋极化电子传输特性，并且具有彼此相反的磁极化。
磁性存储装置及其制造操作方法

[发明专利]一种磁隧道结和磁性随机存储器-CN202210379868.1在审
发明人：宫俊录;孙一慧;陈若飞 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种磁隧道结和磁性随机存储器，涉及磁性存储器领域，用于磁性随机存储器。磁隧道结包括依次层叠的第一自由层、增强层、第二自由层，第一自由层和/或第二自由层至少包括依次层叠的第一磁性单元层、第二磁性单元层、界面优化单元层和第三磁性单元层，界面优化单元层的材料为非磁性金属。磁隧道结的第一自由层和/或第二自由层除了包括第一磁性单元层、第二磁性单元层和第三磁性单元层，还包括界面优化单元层，其材料为非磁性金属，有利于改善第二磁性单元层和第三磁性单元层的界面质量，降低阻尼，提高自旋力矩转移效率
一种隧道磁性随机存储器

[发明专利]一种具有高抗磁场干扰能力的磁性随机存储器-CN202210257216.0有效
发明人：蒋信;刘瑞盛;喻涛;简红 -专利权人：波平方科技（杭州）有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明涉及存储器技术领域，尤指一种具有高抗磁场干扰能力的磁性随机存储器，至少包括半导体存取晶体管、垂直磁化的磁性隧道结和互连导线结构，所述磁性隧道结包括垂直磁化的磁性固定层，垂直磁化的磁性自由层，以及位于磁性固定层和磁性自由层之间的隧穿势垒层；所述磁性自由层由垂直磁化的人工反铁磁结构组成，包含垂直磁化的第一磁性自由层，垂直磁化的第二磁性自由层，以及位于第一磁性自由层和第二磁性自由层之间的耦合层；所述半导体存取晶体管和磁性隧道结组成存储单元，磁性隧道结的高低电阻态代表所存储的数据；磁性隧道结的自由层包含垂直磁化的人工反铁磁结构。本发明能够增强磁性随机存储器的抗磁场干扰能力，提高产品的可靠性。
一种具有磁场干扰能力磁性随机存储器

[发明专利]闭合形状的磁性隧道结-CN201410228817.4在审
发明人：陶丙山;李大来;刘厚方;韩秀峰 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2014-05-27 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种闭合形状的磁性隧道结。包括磁性固定层、磁性自由层以及设置在磁性固定层和磁性自由层之间的阻挡层；磁性自由层包括至少一组复合子层；复合子层由第一磁性层/非磁性层/第二磁性层组成。通过在磁性隧道结中设置具有至少一组复合子层的磁性自由层，由于该磁性自由层与参考层的磁矩成闭合状且磁性自由层包括至少一组复合子层，可消除层间和相邻单元的杂散磁场、避免层间和相邻单元间的磁性耦合干扰，增强了铁磁耦合自由层的形状各向异性
闭合形状磁性隧道

[实用新型]闭合形状的磁性隧道结-CN201420275983.5有效
发明人：陶丙山;李大来;刘厚方;韩秀峰 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2014-05-27 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种闭合形状的磁性隧道结。包括磁性固定层、磁性自由层以及设置在磁性固定层和磁性自由层之间的阻挡层；磁性自由层包括至少一组复合子层；复合子层由第一磁性层/非磁性层/第二磁性层组成。通过在磁性隧道结中设置具有至少一组复合子层的磁性自由层，由于该磁性自由层与参考层的磁矩成闭合状且磁性自由层包括至少一组复合子层，可消除层间和相邻单元的杂散磁场、避免层间和相邻单元间的磁性耦合干扰，增强了铁磁耦合自由层的形状各向异性
闭合形状磁性隧道

[发明专利]用于记忆体元件的化合物自由层-CN201910894130.7在审
发明人：葛雷维·古帕塔亚;加拉格尔·威廉·J. -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：一种用于记忆体元件的化合物自由层，包括铁磁自由层、设置于铁磁自由层上的非磁性阻障层，以及设置于非磁性阻障层上的第一超顺磁性自由层。非磁性阻障层在与面内方向平行延伸的介面处与铁磁自由层相遇，第一超顺磁性自由层具有磁化分量，磁化分量在面内方向上为超顺磁性的。
用于记忆体元件化合物自由

[发明专利]磁传感器及磁传感器的制造方法以及电流传感器-CN201580014136.0有效
发明人：井出洋介;斋藤正路 -专利权人：阿尔卑斯电气株式会社
申请日： 2015-03-11 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供的磁传感器(1)，具备固定磁性层(21)与自由磁性层(23)隔着非磁性材料层(22)而层叠的磁阻效应元件，在上述自由磁性层的与上述非磁性材料层对置一侧的相反侧设置反铁磁性层(24)，该反铁磁性层在其与上述自由磁性层之间产生交换耦合偏置而能够使上述自由磁性层的磁化方向以磁化能够变动的状态对齐为规定方向，在上述反铁磁性层的与上述自由磁性层对置一侧的相反侧设置铁磁性层(25)，该铁磁性层在其与上述反铁磁性层之间产生交换耦合偏置而能够使该铁磁性层的磁化方向以磁化能够变动的状态对齐为规定方向，基于上述自由磁性层中产生的交换耦合偏置的磁化方向，是与基于上述铁磁性层中产生的交换耦合偏置的磁化方向相同的方向，上述铁磁性层能够对上述自由磁性层赋予具有沿着上述灵敏度轴(D2)的方向的成分的闭合磁场。
传感器制造方法以及电流传感器

[发明专利]一种磁性存储单元及磁性存储器-CN202310038994.5在审
发明人：朱政;李尚坤;李岳陞;吴迪 -专利权人：苏州凌存科技有限公司
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开一种磁性存储单元及磁性存储器，其中一种磁性存储单元包括上电极、钉扎层、耦合层、固定磁性层、隧穿势垒层、自由磁性层和下电极，上电极、钉扎层、耦合层、固定磁性层、隧穿势垒层、自由磁性层和下电极依次堆叠设置，耦合层用于使得固定磁性层和钉扎层形成反铁磁耦合，钉扎层用于消除固定磁性层对自由磁性层的杂散场，且钉扎层内设置有材料掺杂区。通过设置钉扎层能够消除固定磁性层对自由磁性层的杂散场，在钉扎层内设置材料掺杂区，能够使得自由磁性层所受杂散场在温度变化下始终保持很小的值。
一种磁性存储单元存储器

[发明专利]电压调控的磁性存储单元及磁性存储器-CN202111029362.X在审
发明人：张文彪;石以诺;孟皓;迟克群;冯向;李州 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明提供一种电压调控的磁性存储单元及磁性存储器。该磁性存储单元包括：底电极、顶电极及位于底电极和顶电极之间的磁性隧道结，磁性隧道结包括：位于底电极上方的参考层，参考层具有方向固定的垂直磁化；位于参考层上方的势垒层；位于势垒层上方的自由层，自由层具有方向可变的垂直磁化；位于自由层上方的磁性偏置层，磁性偏置层具有方向固定的垂直磁化，与自由层具有层间交换耦合；位于自由层和磁性偏置层之间的调节层，用于根据底电极和顶电极之间的电压调节自由层和磁性偏置层之间的层间交换耦合。
电压调控磁性存储单元存储器

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