专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]减少晶片边缘颗粒缺陷的方法-CN201010507014.4无效
  • 武咏琴 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2010-10-14 - 2012-05-09 - H01L21/762
  • 本发明提供了一种减少晶片边缘颗粒缺陷的方法:在半导体衬底表面上依次涂布六甲基二硅氮烷HMDS、底部抗反射层、第一光层以及顶部涂层;其中,HMDS、底部抗反射层、第一光层以及顶部涂层还附着于晶片边缘的厚度方向上;对顶部涂层和第一光层进行浸没式光刻以及以所述浸没式光刻后的图案为掩进行半导体衬底的刻蚀之后,形成浅沟槽隔离区;在浅沟槽隔离区内填充氧化物之后,在半导体衬底表面沉积栅氧化层材料;在栅氧化层材料表面涂布第二光层;对所述第二光层进行光刻以及以所述光刻后的图案为掩进行栅氧化层材料的湿法刻蚀之后,形成栅氧化层。
  • 减少晶片边缘颗粒缺陷方法
  • [发明专利]一种晶圆光涂布方法-CN202211578574.8在审
  • 王晨星;杨云春;郭鹏飞;陆原;张栓 - 赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司
  • 2022-12-09 - 2023-06-09 - G03F7/16
  • 本发明提供了一种晶圆光涂布方法,涉及半导体技术制造领域,尤其涉及一种光涂布方法。该方法包括:获取待涂布晶圆;根据厚需求,制备基部光刻,基部光刻包括稀释剂和正性光刻,稀释剂与正性光刻的体积比大于或等于3且小于或等于10;对待涂布晶圆旋涂基部光刻,以使待涂布晶圆表面形成润湿层;在润湿层旋涂正性光刻,以使待涂布晶圆表面形成光刻胶膜。本发明提供的晶圆光涂布方法利用稀释剂和正性光刻形成的基部光刻来代替传统的润湿剂,避免了一些衬底无法喷涂润湿剂的问题,同时改善了目前主流的厚制备技术中光刻胶膜厚度不均匀,厚流动性差的问题,提升了光刻胶膜的厚度均匀性
  • 一种圆光阻涂布方法
  • [发明专利]一种金属剥离方法及LED制备方法-CN202210819190.4在审
  • 邓高杰 - 福建兆元光电有限公司
  • 2022-07-12 - 2022-10-11 - H01L21/3213
  • 本发明公开了一种金属剥离方法及LED制备方法,在晶圆上制备图形化光刻并蒸镀金属层之后,将蒸镀后的晶圆浸没在显影液中,使用超声去除光刻上的金属层,因此通过超声湿法的方式去除光刻上的金属层,从而消除干法剥离产生的静电;将去除光刻上的金属层的晶圆浸没在光剥离液中,去除光刻。由此可见,通过超声湿法的方法进行金属剥离,再使用光剥离液去除光刻,即金属剥离与光刻去除是分开进行的,在金属剥离时保留完整的光刻能够对晶圆起保护作用,从而提高晶圆的IR良率和抗ESD能力。
  • 一种金属剥离方法led制备
  • [发明专利]一种硅刻蚀工艺-CN201310082106.6无效
  • 李芳;刘文燕;黄耀东 - 上海华力微电子有限公司
  • 2013-03-14 - 2013-06-19 - H01L21/308
  • 本发明涉及一种硅刻蚀工艺,应用于一硅衬底上,所述硅衬底的上表面覆盖一层保护,包括如下步骤:旋涂光刻覆盖所述保护的上表面,经曝光、显影后去除多余的光刻,于所述保护的上表面形成具有刻蚀图形的光;以所述光为掩,刻蚀所述保护至所述硅衬底的上表面;继续离子注入工艺,于所述硅衬底中形成掺杂区;去除所述光后,以剩余的所述保护为掩刻蚀所述掺杂区,形成沟槽。
  • 一种刻蚀工艺
  • [发明专利]存储单元区制作的方法-CN200910054546.4有效
  • 刘艳;李勇;周儒领;黄淇生;詹奕鹏 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2009-07-09 - 2011-01-12 - H01L21/8247
  • 本发明提供一种存储单元区制作的方法:在半导体衬底上依次形成FG氧化层、FG多晶硅层、ONO介质层、CG多晶硅层、CG氮化硅层、CG氧化硅层、CG氮化硅硬掩层;在所述CG氮化硅硬掩层上涂布光,并图案化该光,以该图案化的光为掩,依次刻蚀所述CG氮化硅硬掩层、CG氧化硅层、CG氮化硅层、CG多晶硅层和ONO介质层,形成CG;氮化所述FG多晶硅层后,在所形成的CG的两侧制成CG侧壁层;以CG侧壁层和CG为掩,刻蚀氮化的所述FG多晶硅层和FG氧化层,形成FG;在CG侧壁层和FG的外侧依次形成氧化层、沉积多晶硅,所述多晶硅最终将形成EG。
  • 存储单元制作方法
  • [发明专利]一种晶圆级扇出型堆叠封装工艺方法-CN201710702492.2有效
  • 姚大平;宋涛 - 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
  • 2017-08-16 - 2019-08-20 - H01L21/56
  • 一种晶圆级扇出型堆叠封装工艺方法,包括如下步骤:在透光临时基板上的高温键合层上贴附一层干性光;在所述干性光上形成多个直通高温键合层的盲孔;在所述干性光固化后,在所述盲孔内植入导电金属柱;在所述干性光表面贴装裸芯片;整体注塑并对塑封体的表面进行磨削直至将所述裸芯片的焊垫完全暴露;在所述塑封体的磨削面上制作用于连接所述导电金属柱和裸芯片的重布线层,所述重布线层上设置有通过植球和回流焊得到微凸点;去除所述透光临时基板和高温键合层,得到封装单元;根据所述封装单元得到扇出型堆叠封装结构。
  • 一种晶圆级扇出型堆叠封装工艺方法
  • [发明专利]柔性传感器制造设备和柔性传感器的制作方法-CN201911260090.7有效
  • 郭师峰;冯伟;李振;张艳辉;张树潇;吴新宇 - 深圳先进技术研究院
  • 2019-12-10 - 2021-07-13 - B05B16/20
  • 该柔性传感器制造设备包括:机械臂;喷涂枪,连接于机械臂的执行末端,用于喷涂液态基质于待喷涂工件的表面,以在待喷涂工件的表面形成一层压;极化枪,连接于机械臂的执行末端,用于电离空气以产生负离子并将含有负离子的空气喷向压,以对压进行极化;点枪,连接于机械臂的执行末端,用于在极化后的压上制作电极涂层;其中,机械臂的执行末端沿预设路径同步携带喷涂枪、极化枪和点枪在待喷涂工件的表面移动。通过在机械臂的执行末端同时装载喷涂枪、极化枪和点枪,本申请所提供的柔性传感器制造设备能够较好地解决复杂机械零件表面柔性传感器难以制作的问题。
  • 柔性传感器制造设备制作方法
  • [发明专利]光罩的制作方法-CN200910055364.9无效
  • 柳锋;朱振华 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2009-07-24 - 2011-02-02 - G03F1/00
  • 本发明涉及一种衰减式相位移光罩的制作方法,包括:提供透明基板,在基板上形成相位偏移层,在相位偏移层上形成光层;在光层上形成图案化的光刻层;以图案化的光刻层为掩,蚀刻光层,形成图案化的光层;以图案化的光层为掩,干法蚀刻相位偏移层;得到相位偏移层的特征尺寸,比较相位偏移层的特征尺寸值相比预定值的偏小量,采用湿法蚀刻法对相位偏移层进行再蚀刻;去除光层,加上透明的保护,完成制作。
  • 制作方法
  • [发明专利]柔性电路板、显示面板及显示装置-CN202011181512.4有效
  • 俞芳 - 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
  • 2020-10-29 - 2022-09-06 - H05K1/02
  • 本发明提供一种柔性电路板、显示面板及显示装置,涉及显示技术领域,该柔性电路板包括柔性电路板主体以及与所述柔性电路板主体连接的第一绑定区;所述柔性电路板主体上设有覆盖以及与所述覆盖连接的焊油墨层,所述覆盖位于所述焊油墨层背离所述第一绑定区一侧上本发明利用焊油墨层将覆盖和第一绑定区分割开,这样当覆盖通过粘结设置在柔性电路板主体上时,粘结不会溢出到第一绑定区,可以提高第一绑定区与显示面板之间绑定效果,进而提高显示面板的显示效果。
  • 柔性电路板显示面板显示装置
  • [发明专利]液晶显示面板-CN201911320160.3有效
  • 廖东;白柏;赵国 - TCL华星光电技术有限公司
  • 2019-12-19 - 2021-02-02 - G02F1/1339
  • 本申请公开了一种液晶显示面板,包括:相对设置的阵列基板和彩基板以及夹设于所述阵列基板和所述彩基板的液晶层,所述阵列基板与所述彩基板通过封框胶粘合,所述液晶显示面板包括显示区域以及位于所述显示区域外侧的栅极驱动GOA电路,所述封框形成于设置有所述栅极驱动GOA电路的区域;其中,所述封框包括第一子封框和第二子封框,所述第一子封框相对于所述第二子封框的位置靠近所述显示区域;所述第一子封框的材料粘合力大于所述第二子封框的材料粘合力,且所述第一子封框的材料水率小于所述第二子封框的材料水率。
  • 液晶显示面板

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