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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201510348818.7有效
发明人：仙波昌平;里吉务;田中诚治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置和成膜方法，其进行分批式ALD成膜，能够不增大气体供给量，并且能够抑制生产节拍的降低、提高处理气体的利用效率、抑制在排气通路中的反应生成物的生成。分批式成膜装置(100)包括多个处理室(15)、气体供给单元(2)、排气单元(3)和控制部(4)。
装置方法

[发明专利]成膜方法及成膜装置-CN201110170022.9有效
发明人：村上博纪;长谷部一秀;山本和弥;高桥敏彦;铃木大介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供成膜方法及成膜装置。该成膜方法用于在处理容器内在被处理体的表面形成氧化硅膜，其包括：吸附工序，向处理容器内供给由硅烷系气体构成的晶种气体并使上述晶种气体吸附在被处理体的表面；膜形成工序，向处理容器内供给作为原料气体的含硅气体和含杂质的添加气体而形成被添加了杂质的硅膜；氧化工序，使硅膜氧化而将其转换成氧化硅膜。由此，在被处理体的表面形成高密度且高应力的氧化硅膜。
方法装置

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201110078815.8有效
发明人：熊谷武司;加藤寿 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-03-28 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置和成膜方法，该成膜方法在进行由成膜处理和改性处理构成的成膜-改性步骤后，进行氧化硅膜的改性步骤，在该氧化硅膜的改性步骤中，将含Si气体的供给停止而采用等离子体，该成膜处理是这样进行的：通过使旋转台(2)旋转并使含Si气体吸附在晶圆(W)上，接着将O3气体供给到晶圆W的表面上并使O3气体与吸附在晶圆(W)的表面上的含Si气体发生反应而形成氧化硅膜，该改性处理采用等离子体对该氧化硅膜进行改性
装置方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201110141591.0有效
发明人：原田豪繁;两角友一朗;菱屋晋吾 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法和成膜装置。向能保持真空的处理容器内搬入被处理体，将处理容器内保持为真空的状态，通过分别调整第1工序的次数和第2工序的次数地实施该第1工序和第2工序，一边控制膜中的Si浓度一边形成规定膜厚的氧化锆系膜，该第1工序为，向处理容器内以锆原料、氧化剂的顺序依次供给锆原料和氧化剂，从而在被处理体上形成ZrO膜；该第2工序为，向上述处理容器内以锆原料、硅原料、氧化剂的顺序依次供给锆原料、硅原料和氧化剂，从而在被处理体上形成掺杂有Si的ZrO膜。
方法装置

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201110303041.4有效
发明人：加藤寿;竹内靖 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供成膜装置和成膜方法。成膜装置包括：载置基板的旋转台；第一反应气体供给部，配置在容器内的第一区域，供给第一反应气体；第二反应气体供给部，配置在沿旋转台旋转方向与第一区域分开的第二区域，供给第二反应气体；与第一区域及第二区域相连通地设置的第一排气口及第二排气口
装置方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201110303097.X有效
发明人：布重裕;山崎英亮 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： C23C16/452 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法和成膜装置。其通过在反应速率控制区域引起成膜反应，即使是径深比大的接触孔也能够更薄地形成覆盖率良好的钛膜，降低接触孔的电阻。该成膜装置包括：基座(112)，用于载置基板(W)；簇射头(120)，用于将处理气体供给到处理室(111)内；高频电源(143)，用于以规定的功率将用于生成等离子体的高频电供给于簇射头；排气装置(152)，用于对处理室内进行排气而使处理室内减压到规定的压力；控制部(190)，其通过对还原气体的流量、处理室内的压力、高频电的功率中的任意一种条件进行改变，对上述反应速率控制区域进行控制，使得欲应用于钛膜的成膜处理中的成膜气体的流量进入成膜处理的反应速率控制区域
方法装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201110126549.1有效
发明人：周保华;梅泽好太;渡边要介;长谷川雅之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-05-13 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法和成膜装置。该成膜方法为，向处理容器内搬入被处理体(半导体晶圆)，使被处理体的温度为350℃以下，向上述处理容器内供给作为Si源气体的氨基硅烷气体和氧化气体，在被处理体表面上形成氧化硅膜时，作为氧化气体，使用由第1
方法装置

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201210023612.3有效
发明人：松本诚谦;桑原世治 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2012-02-03 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了成膜装置和成膜方法。提供了能够防止通过溅射形成多种材料的薄膜时的装置机构的复杂化以简化装置机构并防止装置成本的升高的成膜装置和成膜方法。该成膜装置包括：真空室；用于保持基板的基板保持器；用于分别支撑靶使得靶可在真空室内与基板相对的阴极机构；以及可各自地在由不同的材料制成的靶和基板之间前后移动以阻挡或通过从靶产生的成膜粒子的挡板。
装置方法

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201110249999.X有效
发明人：尾崎成则;加藤寿;熊谷武司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置和成膜方法。该成膜方法通过使旋转台旋转，多次进行由使用含Si气体和O3气体在晶圆(W)上形成反应生成物的成膜步骤、利用等离子体对上述反应生成物进行改性的改性步骤构成的成膜-改性处理，并且在薄膜的形成途中对等离子体的强度进行变更具体而言，在反应生成物的层叠膜厚较薄时(开始成膜-改性处理的初期)，使等离子体的强度较小，并且反应生成物的层叠膜厚越增加(成膜步骤的次数越增加)，越使向晶圆(W)供给的等离子体的强度逐步增大。或者，在反应生成物的膜厚较薄时，使等离子体的强度增加，然后减弱。
装置方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201210155103.6有效
发明人：加藤寿;牛窪繁博;田村辰也;尾崎成则;熊谷武司;菊地宏之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-05-17 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明提供成膜方法和成膜装置。成膜方法包括以下步骤：将基板输入到真空容器内，将基板载置在能旋转地设在真空容器内的旋转台上；使旋转台旋转；吸附步骤，自第1反应气体供给部向基板供给第1反应气体，使第1反应气体吸附于基板；形成步骤，自第2
方法装置

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201310306141.1有效
发明人：加藤寿;三浦繁博 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供成膜装置和成膜方法。一边使旋转台旋转，一边重复进行向晶圆供给处理气体而形成反应层的步骤和利用等离子体来对该反应层进行改性的步骤，从而形成薄膜。并且，在形成该薄膜之后，停止处理气体的供给，并使用加热灯将晶圆加热到比成膜温度高的温度而进行薄膜的改性。
装置方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201510711369.8有效
发明人：石田将崇;林达也;菅原卓哉;我妻伸哉;宫内充祐;姜友松;长江亦周 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供成膜方法和成膜装置。本发明的方法是下述成膜方法：通过将施加有电压的多个基板依次导入成膜区域内的规定位置，成膜区域是利用溅射放电的溅射等离子体从靶材释放出的溅射粒子所到达的区域，由此使溅射粒子到达基板的表面并堆积，并进行使溅射等离子体中的离子撞击基板或溅射粒子的堆积物的等离子体处理，形成薄膜，其中，在形成于具有排气系统的真空容器内的成膜区域内，进行溅射粒子的堆积和基于溅射等离子体的等离子体处理而形成中间薄膜，然后通过使基板保持器旋转而使基板移动至被配置成与成膜区域在空间上分离的反应区域内
方法装置

[发明专利]成膜装置以及成膜方法-CN201580049958.2有效
发明人：今真人 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提供能够使气体的分布在腔室内的各区域中变得均匀化且提高成膜精度的成膜装置以及成膜方法。一个方式所涉及的成膜装置的特征在于，具有：腔室，其在内部具有导入有气体的多个区域，具有多个排气口，该多个排气口至少将任意的所述区域中的所述气体排出，并且能够分别对其开口状态进行调整；以及输送部，其使基材在所述腔室的内部移动而从多个所述区域通过
装置以及方法

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN201710192799.2有效
发明人：吉田武史 -专利权人：株式会社昭和真空
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供能够减少向压力传感器附着的成膜物质，延长压力传感器的寿命的成膜装置及成膜方法。原料气体供给部用于成膜处理，向成膜室(10)供给含有成膜成分的原料气体，第二气体配管(90)用于成膜处理，将与原料气体不同的处理气体从蓄存该处理气体的处理气体蓄存部向成膜室(10)供给。对成膜室(10)的内部的压力进行测量的压力传感器(50)安装于第二气体配管(90)。控制部在从原料气体供给部向成膜室(10)供给原料气体期间，以使处理气体在第二气体配管(90)中流动而从处理气体蓄存部向成膜室(10)供给的方式进行控制。
装置方法

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN201710148173.1有效
发明人：小野大祐 -专利权人：芝浦机械电子装置株式会社
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置及成膜方法，进行将氧保持为适当量、品质良好且品质的不均少的成膜。成膜装置(1)包括：作为密闭容器的腔室(2)，配置着包含成膜材料的靶材(231)，内部被搬入工件(W)；排气装置(25)，在工件(W)的搬入后，将腔室(2)排气规定的排气时间而形成基础压力；以及溅镀气体导入部溅镀气体导入部(27)根据附着在腔室(2)的内部的成膜材料的增加所引起的基础压力的上升，使导入到腔室(2)的溅镀气体的氧分压减少。
装置方法

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