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[发明专利]极紫外辐射控制方法、装置、电子设备和极紫外辐射系统-CN202110458736.3有效
发明人：马修泉;王力波;闻锦程;吴寒;刘怀亮;马新敏;陆培祥 -专利权人：广东省智能机器人研究院
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：所述方法包括：输出液滴控制指令，液滴控制指令用于控制液滴靶生成装置以预设时间间隔产生预设速度的液滴；在液滴到达预设位置之后，输出预脉冲激光控制指令，预脉冲激光控制指令用于控制激光器发射预脉冲激光，使液滴在预脉冲激光的轰击作用下产生云雾团；在云雾团达到预设扩散程度和预设移动速度之后，输出主脉冲激光控制指令，主脉冲激光控制指令用于控制同一激光器发射主脉冲激光，使云雾团在主脉冲激光的轰击作用下产生等离子体，等离子体用于产生极紫外辐射。
紫外辐射控制方法装置电子设备系统

[发明专利]一种涂层厚度的测量方法及测量系统-CN201711285444.4有效
发明人：邹林;王颂;李锐海;王希林 -专利权人：南方电网科学研究院有限责任公司;清华大学深圳研究生院
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：该涂层厚度的测量方法，包括以下步骤：S1、用第一脉冲激光对第一涂层进行轰击，获取所述第一脉冲激光轰击所述第一涂层时所发出的光声信号的频谱信息；S2、根据所述频谱信息确定所述第一涂层从开始被轰击到被击穿时所述第一脉冲激光的轰击次数；S3、根据与所述第一涂层的材料相同的涂层的厚度与所述第一脉冲激光的轰击次数之间的函数关系确定所述第一涂层的厚度。
一种涂层厚度测量方法测量系统

[发明专利]一种锑掺杂的氧化锡透明导电薄膜的制备方法-CN201710535442.X有效
发明人：郭禧斌 -专利权人：郑州科技学院
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种锑掺杂的氧化锡透明导电薄膜的制备方法，该方法所用的设备包括石英管、电炉、真空泵、脉冲激光发生器、反射镜和分光镜；由激光脉冲发生器发射的激光脉冲束，依次通过反射镜和分光镜，成为两束脉冲激光束，可以同时分别轰击不同的靶材。在此设备的基础上，利用利用脉冲激光沉积技术制备ATO薄膜时，不需要预先准备掺杂烧结靶材，而是同时对两个靶材进行轰击，节约了现有制备ATO薄膜的工序。并且，通过合理设定两束脉冲激光束的能量比，保证了Sb掺杂量的稳定和准确。得到的ATO薄膜，其Sb元素分布均匀、结晶度高、结构均匀性好，具有良好的透光导电性能。
一种掺杂氧化透明导电薄膜制备方法

[发明专利]一种绝缘子RTV涂层厚度的测量方法-CN201510733835.2有效
发明人：王希林;王晗;叶蔚安;贾志东 -专利权人：清华大学深圳研究生院
申请日： 2015-11-02 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘子RTV涂层厚度的测量方法，包括如下步骤：S1、用设定的脉冲激光对RTV涂层进行轰击，记录所述RTV涂层被击穿时激光的轰击次数x；S2、根据f(x)＝ax+b计算所述RTV涂层的厚度f(x)；其中，参数a和b通过如下实验步骤确定：用所述设定的脉冲激光对所述RTV涂层进行轰击，记录击穿的RTV涂层的厚度与对应激光轰击的次数；拟合曲线f(x)＝ax+b，得到所述参数a和b。不论绝缘子RTV涂层运行年限，只要在校核后通过测量激光的轰击次数就可以获得RTV涂层的厚度值，适宜于现场应用。
一种绝缘子 rtv 涂层厚度测量方法

[实用新型]一种脉冲激光激励的电磁脉冲辐射装置-CN201621323448.8有效
发明人：易涛;于瑞珍;李廷帅;江少恩 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本实用新型提供一种脉冲激光激励的电磁脉冲辐射装置，利用脉冲激光作为激励源，与金属靶材料相互作用产生强电流脉冲驱动发射天线产生电磁脉冲，实现光能向微波辐射能量的转换，从而获得比较稳定可靠的电磁脉冲辐射。同时脉冲激光轰击金属靶材料会产生等离子体喷射，同时在金属靶杆上产生瞬态电流脉冲，利用同轴线缆将电流脉冲引导到微波暗室，驱动发射天线发射电磁脉冲辐射。一种脉冲激光激励的电磁脉冲辐射装置，包括脉冲激光打靶系统和测试环境；其中脉冲激光打靶系统包括脉冲激光器1、聚焦透镜2、真空腔体3、金属靶4、玻璃窗口法兰6、真空电转接法兰7以及金属靶杆10；测试环境包括发射天线
一种脉冲激光激励电磁辐射装置

[发明专利]基于双脉冲的激光诱导间隙击穿开关设备-CN201910001377.1在审
发明人：王勇;莫文雄;黄青丹;刘静;张亚茹;宋浩永;饶锐;曾炼;王炜;赵崇智;李助亚;吴培伟;何彬彬;苏海博;陈于晴;曾慧;徐钦 -专利权人：广州供电局有限公司
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01T1/20 文献下载
摘要：一种基于双脉冲的激光诱导间隙击穿开关设备，包括：光纤联控激光触发开关装置、信号耦合装置、及控制检测装置；光纤联控激光触发开关装置包括箱体、第一平凸透镜、中空电极、平板电极、及第一光纤连接器；控制检测装置包括双脉冲纳秒激光器、及可编程脉冲延迟发生器；双脉冲纳秒激光器产生首脉冲激光及主脉冲激光，并聚焦到平板电极上；可编程脉冲延迟发生器对首脉冲激光及主脉冲激光的时间间隔进行调节。较弱的首脉冲激光经过光纤聚焦器进入箱体内，诱导产生初始的等离子体；随后主脉冲二次轰击到平板电极的激光能量较高，诱导产生高温高密度的主等离子体，有效地引导间隙击穿放电路径，从而避免激光触发间隙放电过程中的开关抖动和触发延时
双脉冲激光触发脉冲激光平板电极主脉冲等离子体控制检测装置可编程脉冲纳秒激光器延迟发生器光纤激光诱导间隙击穿开关设备联控诱导激光信号耦合装置光纤连接器触发延时击穿放电激光能量间隙放电开关抖动平凸透镜引导间隙中空电极聚焦器有效地轰击聚焦

[发明专利]低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法-CN200410044605.7无效
发明人：杨少延;刘志凯;柴春林;陈诺夫;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-05-14 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明一种低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法，其特征在于：氧化物薄膜材料的沉积生长步骤如下：将氧化物靶材及清洗后的衬底置入生长室；将生长室抽真空；利用脉冲激光辐照氧化物靶材，同时用低能离子束装置产生的低能氧离子束轰击衬底，低能氧离子束起辅助生长与补充脉冲激光沉积法制备氧化物薄膜过程中缺失的氧的作用。
低能离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜方法

[发明专利]一种脉冲激光沉积装置及利用其制备梯度成分材料的方法-CN202310037199.4在审
发明人：贾强;周博龙;郭福;王乙舒;马立民 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明属于梯度材料制备技术领域，具体涉及一种脉冲激光沉积装置及利用其制备梯度成分材料的方法。该装置包括反应腔和激光装置；所述反应腔的内部包括用于支撑第一靶材的第一靶托、用于支撑第二靶材的第二靶托、用于支撑衬底的样品托；所述激光装置包括激光器、第一半波片、第二半波片、第一偏振分束器、第二偏振分束器该装置设计了适配单激光器的激光光路，将单束脉冲激光分为两束脉冲激光同时轰击异种靶材，可通过控制两个半波片镜片的旋转，在沉积过程中实现激光功率连续变化，使轰击出异种靶材等离子体的成分浓度连续变化，经过混合后实现单层薄膜成分的连续变化
一种脉冲激光沉积装置利用制备梯度成分材料方法

[发明专利]一种复合多层金属基板及其制备方法、一种功率半导体器件-CN202310054856.6在审
发明人：贾强;周博龙;郭福;王乙舒;马立民 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：包括以下步骤：在反应腔内固定好靶材和基板，并加热基板；开启第一激光器轰击第一贵金属靶材，在基板上沉积第一贵金属薄膜；第一激光器停止工作，开启第二激光器轰击第二贵金属靶材，在第一贵金属薄膜上沉积第二贵金属薄膜；使第一脉冲激光的轰击靶材转换为第一自蔓延金属靶材，第二脉冲激光的轰击靶材转换为第二自蔓延金属靶材；交替使第一激光器和第二激光器工作，形成自蔓延金属薄膜，即得。
一种复合多层金属及其制备方法功率半导体器件

[发明专利]一种用于Mini LED芯片去除修复的方法-CN202310772759.0在审
发明人：白丹妮 -专利权人：珠海东辉半导体装备有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了用于Mini LED芯片去除修复的方法,其方法辅佐一种装置将Mini LED芯片进行去除修复，其方法包括步骤：放置芯片，使芯片衬底位于芯片基板上端，利用高能脉冲激光进行轰击芯片衬底的加工，进而仅通过激光脉冲与衬底表面材料作用生成的高温等离子产生的冲击波，使Mini LED芯片在冲击波振荡作用下发生焊接位置断裂并从芯片基板上脱落并被瞬间脱离弹飞，其中包括步骤：发射高能脉冲激光，衰减高能脉冲激光，将激光光束调整为与芯片衬底相同倾斜度的矩形光斑或者线形光斑，将激光聚焦，将激光成像。
一种用于 mini led 芯片去除修复方法

[发明专利]多功能小型薄膜沉积设备-CN200810119403.2无效
发明人：赵嵩卿;赵昆;周岳亮;王淑芳 -专利权人：中国石油大学（北京）
申请日： 2008-08-29 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：一种多功能小型薄膜沉积设备，该薄膜沉积设备包括：化学气相沉积装置，其利用气态物质在基片表面进行化学反应，生成固态沉积物；溅射沉积装置，利用离子束轰击靶材，使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，并最终沉积在基片表面，经历成膜过程，最终形成薄膜；脉冲激光沉积装置，其将高强度的激光聚焦后轰击到靶材上，在轰击位置产生局部瞬时高温，将材料蒸发出来，沉积到基片上。本发明整套设备成本低廉，可以方便的在CVD、溅射以及脉冲激光沉积之间转换制备样品或者对样品进行后处理，应用范围广；而且构造简单，体积小，易搭建，方便维护。
多功能小型薄膜沉积设备

[发明专利]一种耐用玻璃砧板的制备方法-CN201811237996.2在审
发明人：李双友 -专利权人：李双友
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： C03C23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐用玻璃砧板的制备方法，采用脉冲激光对钢化玻璃表面先后进行S型和W型激光轰击处理，在玻璃表面形成微凹槽，从而可以保证砧板在使用时不会滑动；同时由于脉冲激光对钢化玻璃表面的破坏非常轻微，所以玻璃的外观仍光洁如镜
砧板钢化玻璃表面玻璃表面脉冲激光微凹槽玻璃制备激光轰击滑动光洁美观保证

[发明专利]一种阳极靶盘高经济性激光冲击强化方法-CN202310352274.6在审
发明人：苏波泳;周东呈;徐影;张森;郁博文;吕毅 -专利权人：南通大学
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C21D10/00 文献下载
摘要：本发明公开一种阳极靶盘高经济性激光冲击强化方法，属于阳极靶盘表面处理技术领域,包括以下过程：将待强化的阳极靶盘装夹于激光冲击强化处理设备上，阳极靶盘的盘面层与激光冲击强化设备的激光头相对；通过激光冲击强化处理设备发射脉冲激光束；通过脉冲激光束冲击目标覆盖区域，所述目标覆盖区域由所述盘面层的环形侧面，以及所述盘面层的端面中位于环形轰击区的外边缘与外环边沿之间的区域组成；本发明同时考虑残余应力洞在高温下的释放行为而不在环形的轰击区域上进行强化
一种阳极靶盘高经济激光冲击强化方法

[发明专利]毫秒脉冲激光合成NiO纳米立方体颗粒的方法-CN201210575787.5无效
发明人：田飞;曹宏梅;林奎;郭世珍;赵静;孙景 -专利权人：田飞;曹宏梅;林奎;郭世珍;赵静;孙景
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C01G53/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种毫秒脉冲激光合成NiO纳米立方体颗粒的方法，实现了室温条件下制备宏量NiO纳米立方体颗粒，制备的产物的纯度高。以微米级金属镍粉末为原料，将其分散在去离子水中形成混合物；使用潜水泵使镍金属粉末颗粒与水混合物不断循环；使用毫秒脉冲激光轰击含有金属镍粉的循环去离子水介质；对毫秒激光轰击后的产物经过提纯获得NiO纳米立方体颗粒
毫秒脉冲激光合成 nio 纳米立方体颗粒方法

[实用新型]线上轻便组合自行式复合激光钢轨表面强化装置-CN202320589399.6有效
发明人：向秀锋;周二亮;刘志强 -专利权人：河北中拟科技有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C21D1/09 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种线上轻便组合自行式复合激光钢轨表面强化装置，所述线上轻便组合自行式复合激光钢轨表面强化装置包括轨道车、抛磨组件、吹扫组件、连续激光组件和脉冲激光组件；轨道车适于在钢轨上行驶，以轨道车行驶方向为前侧；抛磨组件与轨道车连接，用来对钢轨表面进行抛光打磨；吹扫组件设在抛磨组件后侧，与轨道车连接，用来吹扫钢轨表面；连续激光组件设在吹扫组件后侧，与轨道车连接，适于发射连续激光，用来对钢轨表面进行淬火；脉冲激光组件设在连续激光组件后侧，与轨道车连接，适于发射脉冲激光，轰击钢轨表面，释放高温应力。
线上轻便组合自行复合激光钢轨表面强化装置

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