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[发明专利]锁存器与其操作方法与比较器-CN201410014097.1在审
发明人：蔡嘉明;郭柏均;陈博玮 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2014-01-13 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：此锁存器包括第一、第二交叉耦合对以及第一、第二晶体管对。第一交叉耦合对的第一与第二电流路径的第一端分別耦接至第一晶体管对的第一与第二晶体管的第一端。第二交叉耦合对的第三与第四电流路径的第一端分別耦接至第二晶体管对的第三与第四晶体管的第一端。第三与第四晶体管的控制端分別耦接至第一与第二电流路径。第一与第二晶体管的控制端分別耦接至第三与第四电流路径。
锁存器与其操作方法比较

[发明专利]具有转移电流路径的功率放大器电路-CN201910526890.2在审
发明人： M·W·维斯;吴钟民;于钟林;李圣烨 -专利权人：安华高科技股份有限公司
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种具有转移电流路径的功率放大器电路。一种功率放大器电路包含线圈电路、差分放大器和转移电流路径。所述线圈电路包含耦合到公共节点的第一线圈部分和第二线圈部分。所述第一晶体管和所述第二晶体管的对应的第一端子耦合到所述线圈电路，并且所述第一晶体管和所述第二晶体管的对应的第三端子耦合到接地端子。所述转移电流路径耦合在所述公共节点与所述接地端子之间以转移由在所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述第二端子处的具有时变幅度的偏置电压引起的扰动电流的部分。所述转移电流路径在所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述第一端子与接地之间提供相对高的导纳路径，从而减少离开所述第三端子的扰动电流。
晶体管转移电流线圈电路功率放大器电路差分放大器端子耦合公共节点接地端子扰动电流导纳路径路径耦合偏置电压时变幅度耦合到接地申请

[发明专利]启动电路-CN201280040352.9在审
发明人：徐兆扬;李俊 -专利权人：马维尔国际贸易有限公司
申请日： 2012-07-25 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H02H9/00 文献下载
摘要：电路包括耦合至功率供应的耗尽型晶体管，以及与耗尽型晶体管串联耦合以提供用于对电容器充电的电流的电流路径。电流路径在第一阶段期间(诸如当电路初始地接收电能时)具有第一电阻，并且在当电容器被充电至具有预定电压电平时的第二阶段期间具有第二电阻。
启动电路

[发明专利]正向升压型功率转换器和方法-CN201310468094.0在审
发明人： G·斯卡拉特秀;R·K·奥尔;E·凯斯 -专利权人：索兰托半导体公司
申请日： 2013-10-09 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：在耦合在第一端子对与第二端子对之间的开关模式功率转换器中，第一电感被耦合到跨越在第一端子对两端的第一电路路径中的第一开关。电容被耦合到第二电路路径中的第二电感和第三电路路径中的所述第一电感。在它们各自的导通周期期间，第一开关将第一电感耦合在第一端子对两端，第二开关完成第二端子对与第二电路路径或第三电路路径中的一者之间的电路，并且第三开关完成第二电路路径和第三电路路径中的另一者。能量传递涉及基本上线性变化的电流和基本上半正弦的电流脉冲这两者。
正向升压功率转换器方法

[发明专利]用于向照明装置提供AC线路电力的设备、方法和系统-CN201080034235.2有效
发明人：安纳托利·意廷柏格;周东胜;哈利·罗得里格兹;马克·伊森;布拉德利·M·莱曼;史蒂芬·F·德雷尔;托马斯·J·里奥丹 -专利权人：普英森亿有限责任公司
申请日： 2010-06-03 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： G05F1/00 文献下载
摘要：一种示范性设备，其包括：多个LED，其串联耦合以形成第一多个LED区段；多个开关，其耦合到所述多个LED区段，以响应于控制信号将选定区段切入到串联LED电流路径中或切出串联LED电流路径；电流传感器；以及控制器，其响应于第一参数且在AC电压间隔的第一部分期间，产生第一控制信号以将对应的LED区段切入所述串联LED电流路径中，在所述AC电压间隔的第二部分期间，产生第二控制信号以将对应的LED区段切出第一串联LED电流路径。
用于照明装置提供 ac 线路电力设备方法系统

[发明专利]电子部件-CN201510609503.3在审
发明人： O·黑伯伦;M-A·库奇埃克;R·奥特雷姆巴;K·希斯 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：在一个实施例中，电子部件包括：高压耗尽型晶体管，包括与低压增强型晶体管的电流路径串联耦合的电流路径；二极管，包括阳极和阴极；以及裸片焊盘。高压耗尽型晶体管的后表面安装在裸片焊盘上并电耦合至裸片焊盘。低压增强型晶体管的第一电流电极安装在裸片焊盘上并电耦合至裸片焊盘。二极管的阳极耦合至高压耗尽型晶体管的控制电极，并且二极管的阴极安装在裸片焊盘上。
电子部件

[发明专利]基于主动学习的近场扫描获取传导耦合路径探测方法-CN202310549847.4在审
发明人：李尔平;谢雨婷;张岭;李达 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于主动学习的近场扫描获取传导耦合路径的探测方法。方法包括：搭建近场扫描探测平台，将待测电路板放置在微波暗室中，使用近场扫描探测平台在待测电路板的正上方进行探测；使用基于主动学习的近场扫描方法获得探测结果，根据探测结果获得连续时刻中待测电路板上的电流近场分布图，实现传导耦合路径的探测。本发明利用主动机器学习方法实现更加高效的近场扫描探测，将扫描点集中在电流较强的区域，利用稀疏点的扫描结果精确还原出待测件的实际电流变化情况，大大提高了探测效率。采用近场扫描探测还原电路板上电流的变化情况，从而快速分析得到待测件上传导干扰电流的耦合路径，符合实际工程中对系统电磁干扰的探测需求。
基于主动学习近场扫描获取传导耦合路径探测方法

[发明专利]用于集成电路中的信号的功率放大的系统、方法及装置-CN201580009878.4有效
发明人：阿普·西瓦达斯;阿洛克·乔希;克里希纳斯瓦米·程加拉吉安;拉凯什·库马尔 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2015-01-27 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H03F3/195 文献下载
摘要：来自所述组功率放大器的所述信号功率耦合到一组初级绕组(710、720)，其共同耦合到次级绕组(730)，使得所述初级绕组(710、720)上的所述功率加入于所述次级绕组(730)中。针对在耦合到至少一个初级绕组(720)的功率放大器处于“断开”状态时在所述初级绕组(720)上所诱发的电流(790)的流动，提供所述初级侧上的电流路径。因此，防止所诱发的电流(790)流入到处于“接通”状态的所述功率放大器中。此外，所述电流路径使所述功率放大器彼此隔离以使所述功率放大器能够以额定效率进行操作。在一个实施例中，使用电阻器网络提供所述电流路径。
用于集成电路中的信号功率放大系统方法装置

[发明专利]可编程高速均衡器及相关方法-CN201680018981.X有效
发明人： M·米扎努尔拉曼;J·S·施奈德;T·C·布延;L·R·佩特森;G·F·林奇;A·L·S·鲁克 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H04L25/03 文献下载
摘要：均衡器包括一对电流设置场效应晶体管(FET)，该电流设置场效应晶体管(FET)分别与第一电压轨(Vdd)和第二电压轨(地)之间的一对输入FET和一对负载电阻串联耦合。可编程均衡电路耦合在输入FET的源极之间，包括多个可选电阻路径和可变电容器，其也可以被配置成多个可选电容路径。每个可选电阻路径(以及每个可选电容路径)包括选择FET，所述选择FET用于选择性地耦合在输入FET的源极之间的对应的电阻(或电容)路径。在这种情况，其中一个输入FET相对参考栅极电压偏置，每个选择FET的源极耦合到该输入FET的源极。
可编程高速均衡器相关方法

[发明专利]电流控制电路、模块及软启动电路-CN201410418576.X有效
发明人：菲利普·埃利斯 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：一种电流控制电路，包括第一终端；第二终端；在第一终端与第二终端之间的多个并联的晶体管模块，每个晶体管模块包括主晶体管，包括主漏极、主源极和主栅极，其中主源极和主漏极定义主源‑漏路径，主漏极耦合到第一终端，主源极耦合到第二终端，主栅极耦合到本地控制端；感应晶体管，包括感应漏极、感应源极和感应栅极，其中感应源极和感应漏极定义感应源‑漏路径，感应漏极耦合到第一终端，感应栅极耦合到本地控制端，感应源极配置为提供本地反馈信号；本地控制器，配置为接收本地反馈信号和主控制信号；以及根据本地反馈信号和主控制信号向本地控制端提供本地控制信号，以控制流经主源‑漏路径和感应源‑漏路径的电流。
电流控制电路模块启动电路

[发明专利]具有过电流保护的高侧半导体开关-CN202310296762.X在审
发明人： P·德尔·克罗斯;F·莫兰多蒂 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：本公开涉及具有过电流保护的高侧半导体开关。本文描述了一种可以用作智能半导体开关的电路。根据一个实施例，电路包括具有耦合在供应节点和输出节点之间的负载电流路径的高侧晶体管，其被配置为在操作期间向负载提供负载电流。电路还包括：耦合至功率晶体管的控制电极的栅极驱动器电路；以及耦合至功率晶体管的控制电极的过电流保护电路的第一级，第一级被配置为驱动控制电极，使得在检测到负载电流已经达到第一阈值时使跨功率晶体管的负载电流路径的电压降增大过电流保护电路的第二级耦合至功率晶体管的控制电极并且被配置为驱动控制电极，使得在检测到负载电流达到第二阈值时使负载电流限制于最大值或者使功率晶体管关断。
具有电流保护半导体开关

[发明专利]用于生成共源共栅电流源偏置电压的系统和方法-CN201410741355.6在审
发明人： N.贾法里 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：提供了利用偏置电路来为共源共栅电流源生成偏置电压的电路和方法以及用于共源共栅电流源的偏置电路。一种电路包括：共源共栅电流源，其包括：电流镜晶体管；以及共源共栅晶体管；以及耦合到共源共栅电流源的偏置电路，该偏置电路包括：电流源；第一晶体管，该第一晶体管串联耦合到电流源以形成通过电流源和第一晶体管的第一电流路径；第二晶体管，该第二晶体管串联耦合到电流源；以及第三晶体管，该第三晶体管串联耦合到第二晶体管和电流源以形成通过电流源以及第二晶体管和第三晶体管的第二电流路径，其中第三晶体管具有按一倍数大于第二晶体管的沟道比率的沟道比率
用于生成共源共栅电流偏置电压系统方法

[发明专利]可重配置的射频（RF）带阻/中频（IF）带通滤波器电路及滤波方法-CN201780048783.2有效
发明人： T·D·加思曼;O·乔克西;A·M·塔西克;S·武杰西克;C·D·帕特尔;W-H·陈;K·范扎琳格 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-07-17 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H04B1/00 文献下载
摘要：一种可重配置的滤波器电路具有包括跨阻抗放大器(TIA)的第一路径。跨阻抗放大器具有接收输入电流的输入和输出电压的输出。可重配置的滤波器电路还包括可切换反馈路径。可切换反馈路径包括耦合到TIA的输出的第一低通滤波器。可切换反馈路径还包括第一开关，第一开关用于耦合反馈路径以向第一路径提供反馈电流，而在开关闭合时在输出电压中造成带通响应，并且在开关断开时在输出电压中造成低通响应。
配置射频 rf 中频 if 带通滤波器电路滤波方法

[发明专利]交流电力系统的层之间进行通信的方法-CN201610379464.7在审
发明人：贝尔特拉姆·约翰·怀特 -专利权人：矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：提供了差分耦合路径，以用于主设备与线路侧设备之间的电力测量通信。线路侧设备耦接至交流电力网，以使用各种电压传感器和电流传感器来提取电压信号和电流信号。通过线路侧设备内的内部A/D转换器将提取到的电压信号和电流信号转换成数字信号，然后通过耦接在主设备与线路侧设备之间的差分耦合路径将数字信号发送至主设备。主设备可以经由多个差分耦合路径而耦接至一个或更多个线路侧设备。
交流电力系统之间进行通信方法

[发明专利]低压降调节器电路、对应的设备和方法-CN202310391249.9在审
发明人： A·康特;M·鲁塔;F·托马约洛;M·彼萨萨勒;M·H·格瑞玛 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：LDO调节器电路包括输入比较器和驱动器电路，驱动器电路包括晶体管，与调节器的输出节点耦合的电流路径穿过该晶体管。第一和第二驱动器各自包括：与输出节点耦合的电流路径穿过其中的驱动器晶体管、向驱动晶体管施加比较信号的电压泵浦副本的电容升压电路。与电容升压电路耦合的电压刷新晶体管电路将电压泵浦副本传送到电容升压电路上。第一和第二驱动器可以在第一操作模式和第二模式之间可控地切换，在第一操作模式期间，基于比较信号的电压泵浦副本，穿过驱动器晶体管的电流路径是导电的或者不导电的，在第二模式期间，电压刷新晶体管电路被激活以传送比较信号的电压泵浦副本，并且穿过驱动器晶体管的电流路径是不导电的。
低压降调电路对应设备方法