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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]页缓冲器及其操作方法以及电路-CN202110428345.7在审
发明人：崔亨进 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：至少一个数据锁存器存储多个编程循环当中的先前编程循环的编程验证结果以及要存储在存储器单元中的编程数据。感测锁存器存储多个编程循环当中的当前编程循环的编程验证结果。位线电压控制器在多个编程循环当中的当前编程循环的下一编程循环的编程操作期间，将存储在至少一个数据锁存器中的先前编程循环的编程验证结果更新至感测锁存器。
缓冲器及其操作方法以及电路

[发明专利]反熔丝存储阵列编程方法及编程机台-CN202310771101.8在审
发明人：杨柳 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G11C17/18 文献下载
摘要：本公开涉及反熔丝结构编程领域，特别涉及一种反熔丝存储阵列编程方法及编程机台，反熔丝存储阵列编程方法应用于反熔丝编程机台，包括：生成反熔丝编程机台可识别的机台编程文件，获取待编程芯片的数量、每一待编程芯片中的待编程反熔丝单元的数量；获取地址转换功能单次浏览机台编程文件中的可编程反熔丝单元的数量；获取地址转换功能完全识别机台编程文件的浏览次数；以待编程芯片的数量和可编程反熔丝单元的数量为循环参数配置第一循环，基于第一循环执行编程直至对地址转换功能单次浏览机台编程文件中可编程反熔丝单元的数量完成编程；以浏览次数为循环参数配置第二循环，基于第二循环执行编程直至对所有待编程反熔丝单元的数量完成编程。
反熔丝存储阵列编程方法机台

[发明专利]非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的编程方法-CN201710032688.5有效
发明人：崔昌玟;李奉镕;金东赞;安洙珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-16 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种编程非易失性存储器的方法，包括：对在所选的字线中的存储器单元执行至少两个编程循环，基于执行至少两个编程循环中的每一个的结果生成失败位趋势，基于所生成的失败位趋势预测包括要对存储器单元最后执行的N编程循环的多个编程循环，和基于预测多个编程循环的结果改变当执行N编程循环时提供给存储器单元的N编程电压的电平。
非易失性存储器装置编程方法

[发明专利]使用选择性跳过的验证脉冲进行存储器编程以用于性能改进-CN202210151162.X在审
发明人：王彦杰;梁癸容;村井翔太;车潇雨 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：所述控制电路系统配置成在多遍次编程操作中将所述多个字线的所述存储器单元编程为多个数据状态。所述多遍次编程操作的稍后编程遍次包含具有递增地增加的编程脉冲的多个编程循环。对于至少一个数据状态，所述稍后编程遍次包含维持所述稍后编程遍次的所述编程循环的计数。所述稍后编程遍次还包含在预定编程计数验证(PCV)编程循环和PCV‑1编程循环期间禁止或减缓正编程为所述数据状态中的一个的所述存储器单元的编程，以及在PCV+1编程循环之前，跳过所有编程循环的验证操作。
使用选择性跳过验证脉冲进行存储器编程用于性能改进

[发明专利]将数据编程在非易失性存储器装置中的设备、系统及方法-CN202210258876.0在审
发明人：崔亨进 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请涉及将数据编程在非易失性存储器装置中的设备、系统及方法。一种存储器装置包括单元组和控制电路。单元组包括能够存储数据的多个非易失性存储器单元。控制电路执行用于通过多个编程循环将数据编程在多个非易失性存储器单元中的编程操作，每个编程循环包括用于向多个非易失性存储器单元施加编程脉冲的单位编程操作以及用于验证单位编程操作的结果的验证操作。控制电路使用电流检测电路以在多个编程循环中的特定编程循环中检测多个非易失性存储器单元的阈值电压分布是否满足基准。控制电路在特定编程循环之后的下一编程循环中向多个非易失性存储器单元施加预设编程脉冲之后终止编程操作。
数据编程非易失性存储器装置中的设备系统方法

[发明专利]存储器装置-CN202111164265.1在审
发明人：黄盛炫;郑载烨 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种具有提高的操作速度的存储器装置可以包括：存储块，该存储块包括存储器单元；外围电路，该外围电路被配置为执行增加存储器单元的阈值电压中的每一个的编程操作；以及控制逻辑，该控制逻辑被配置为控制外围电路执行编程操作编程操作可以包括多个编程循环，多个编程循环中的每一个可以包括编程电压施加操作和验证操作，并且当在多个编程循环当中的任意一个编程循环中包括的验证操作期间针对多个编程状态当中的次高编程状态的验证通过时，控制逻辑可以控制外围电路在所述任意一个编程循环的下一编程循环中包括的验证操作期间执行针对最高编程状态的验证
存储器装置

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN202110370649.2在审
发明人：黄盛炫;李晋行 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：存储器装置可以包括：多个存储器单元，多个存储器单元中的每一个以擦除状态或者多个编程状态中的任何一个作为目标状态；外围电路，其被配置为执行包括多个编程循环的编程操作；以及操作控制器，其被配置为控制外围电路以使得：响应于在多个编程循环当中的第x编程循环中包括的验证阶段中的针对多个编程状态当中的第N编程状态的验证通过，在多个编程循环当中的第x+1编程循环中包括的验证阶段中开始针对多个编程状态当中的第N+M编程状态的验证
存储器装置及其操作方法

[发明专利]存储器件的操作方法、编程方法及存储器系统的操作方法-CN202211431295.9在审
发明人：李耀翰;南尚完;朴相元;赵志虎;朴恩香 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本公开提供了一种存储器件的操作方法、编程方法及存储器系统的操作方法。公开了一种包括沿与衬底垂直的方向堆叠的多个存储单元的存储器件的操作方法。所述方法包括：基于第一编程参数来对来自所述多个存储单元当中的连接到选定字线的选定存储单元执行第一编程循环至第(n‑1)编程循环；以及在所述第(n‑1)编程循环被执行之后，基于与所述第一编程参数不同的第二编程参数来对所述选定存储单元执行第n编程循环至第k编程循环。所述第一编程参数和所述第二编程参数中的每一者包括在所述第一编程循环至所述第k编程循环中使用的编程电压增量、2级验证范围和位线强制电压中的至少两者。
存储器件操作方法编程方法存储器系统

[发明专利]一种控制编程性能的方法和装置-CN201910356967.6有效
发明人：刘言言;许梦;付永庆 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种控制编程性能的方法和装置。所述方法应用于NOR flash存储器，NOR flash存储器包括：编程循环次数检测单元、编程操作状态机、时钟频率发生器以及编程存储单元，编程操作状态机包括：计数器，所述方法包括：编程操作状态机接收编程操作指令和待编程数据，根据编程操作指令和待编程数据执行编程验证操作，验证不通过则根据循环次数，调整时间，根据调整后的时间完成编程加压操作。本发明在执行编程加压操作时，NOR flash存储器根据循环次数，调整单次编程加压操作的时间，完成编程加压操作，控制编程验证操作和编程加压操作的循环周期，提高NOR flash存储器的编程性能。
一种控制编程性能方法装置

[发明专利]解决非易失性存储器结构中相邻平面干扰条件的对策模式-CN202110641053.1在审
发明人： H·陈;C·徐;李靓;田璇;张芳林;殷冠华 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种用于对经历相邻平面干扰的非易失性存储器的无缺陷平面进行编程的对策方法，包括：一经确定第一平面已完成当前状态的编程但其中并非全部平面均已完成编程，循环计数递增并且确定循环计数是否超过阈值。如果是，则停止编程(多个)未完成平面，并通过暂停循环计数和比特扫描模式来恢复编程(多个)完成的平面，并在下一个编程脉冲上施加预定的回滚电压以减少编程电压偏置。当循环计数最后递增时，一旦阈值电压电平等于编程电压偏置，恢复循环计数和比特扫描模式。BSPF标准适用于每个编程的状态。只有在确定编程的状态未完成时才会前进到下一个循环。
解决非易失性存储器结构相邻平面干扰条件对策模式

[发明专利]非易失性存储器器件及其编程方法-CN201711429791.X有效
发明人：曹溶成;朴一汉;尹廷允;洪允镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：提供了一种非易失性存储器器件的编程方法，该方法包括以下步骤：第一编程循环，包括将第一验证电压施加到多个第一存储器单元的字线，该多个第一存储器单元用于在第一目标阈值的第一编程状态中被编程，并且从该多个第一存储器单元中检测出阈值电压小于该第一验证电压的第一慢速存储器单元；第二编程循环，包括向该第一存储器单元施加第一编程脉冲，并向第一慢速存储器单元施加第二编程脉冲，第二编程循环的第二编程脉冲的电压电平大于第二编程循环的第一编程脉冲的电压电平；以及第三编程循环。
非易失性存储器器件及其编程方法

[发明专利]修正编程电压的存储器设备编程方法-CN201710023495.3有效
发明人：朱相炫;任载禹 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种对作为包括多个页的非易失性存储器设备的闪存设备进行编程的方法，包括：通过以下操作来执行编程操作的第N编程循环：将第N所选编程电压施加到所述多个页中的所选字线，并且通过将编程验证电压施加到所选字线来执行编程验证操作；对与所选字线相连接的存储单元中阈值电压大于或等于编程验证电压的存储单元的数量进行计数；基于计数的结果和第N编程循环的操作条件生成编程电压修正值；以及将编程电压修正值加到在第N编程循环之后执行的第M编程循环的第M预设编程电压，其中M＞N。
修正编程电压存储器设备方法

[发明专利]包括存储器装置的存储器系统及其操作方法-CN202111165112.9在审
发明人：丁元镇 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本公开涉及一种存储器系统，该存储器系统包括：存储器装置，适用于：分阶段执行编程循环，该编程循环包括对在多个存储块之中选择的存储块内的每个页面的编程操作和编程验证操作；通过将对每个页面的、在对页面的编程验证操作被处理为通过之前一直被执行的编程循环的数量与对所选择的存储块的编程循环的当前最大数量进行比较，来更新所选择的存储块的编程循环的最大数量；并且将所更新的对所选择的存储块的编程循环的最大数量存储为所选择的存储块的编程通过信息；以及控制器，适用于：基于所选择的存储块的编程通过信息将所选择的存储块作为坏块进行管理
包括存储器装置系统及其操作方法

[发明专利]一种存储器的擦除/编程方法及装置-CN201210140909.8在审
发明人：舒清明;苏志强;张现聚;丁冲 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种存储器的擦除/编程方法及装置，以解决传统的存储器擦除/编程速度慢的问题。所述方法包括：对存储单元依次进行擦除/编程操作和擦除/编程验证；如果所述擦除/编程验证未通过，则继续进行擦除/编程和擦除/编程验证的循环操作；当擦除/编程的累计次数达到预设的第n级数量并且擦除/编程验证仍未通过时，按照第n级设定的强度调整擦除/编程的强度，并继续进行擦除/编程和擦除/编程验证的循环操作；当擦除/编程验证通过或者擦除/编程的累计次数达到预设的最大数量时，跳出循环。本申请通过在擦除/编程的循环过程中，调整擦除/编程脉冲的强度，减少了擦除/编程脉冲的数量，大大提高了擦除/编程的速度。
一种存储器擦除编程方法装置

[发明专利]半导体器件-CN201510320055.5在审
发明人：安正烈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-06-11 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括具有多个存储器单元的存储块以及运算电路，所述运算电路配置成基于储存在所述存储器单元中的数据来执行第一编程循环、第二编程循环以及第三编程循环。第一编程循环可以将存储器单元的阈值电压分布成四个电平。第二编程循环可以将存储器单元的阈值电压分布成七个电平。第三编程循环可以将存储器单元的阈值电压分布成八个电平。
半导体器件

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