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[发明专利]一种拼音文字联想输入的改进方法-CN201010500773.8无效
发明人：孙强国 -专利权人：孙强国
申请日： 2010-10-05 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： G06F3/048 文献下载
摘要：本发明公开了一种拼音文字联想输入的改进方法，采用单词进入文字区时，前部由程序添加空格，而词尾进入文字区时，保持原样的方式，它能比较好的解决拼音文字输入中经常碰到的在已选择的词汇后直接附加词尾的需要，这一点对俄语、德语、阿拉伯语、维吾尔语
一种拼音文字联想输入改进方法

[发明专利]基于BIM平台的族库检测方法、装置、设备及存储介质-CN202111073155.4在审
发明人：于彦凯;唐麟;岳亮;郑达;张振华;龙兵 -专利权人：广东博智林机器人有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G06F16/31 文献下载
摘要：本发明涉及BIM族库管理技术领域，公开了一种基于BIM平台的族库检测方法、装置、设备及存储介质。该方法通过基于二次开发得到的Revit插件，对族库进行遍历，以生成族库信息表格，并利用Revit插件加载族制作标准文件的族检查部分中规定的制作要求对族库信息表格中的各族的信息进行检测，从而实现对族库的族自动检测，并基于检测报告对族库中的各族进行调整等方式的管理。基于Revit插件基于族制作标准对族库的族进行检测，实现了自动审核，提高了审核检查族的效率，节省了人工成本，同时避免了人工检查，造成的错漏现象，提高了族审查的精确度。
基于 bim 平台检测方法装置设备存储介质

[发明专利]吸氢合金、制备吸氢合金的方法和碱性二次电池-CN00104677.2有效
发明人：入江周一郎;铃木秀治;西川羚二;武野和太 -专利权人：东芝电池株式会社
申请日： 2000-02-04 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明的合金用通式AM_x表示，其中A选自元素周期表IA族、IIA族、IIIB族和IVB族中的至少一种元素，M选自元素周期表VB族、VIB族、VIIB族、VIIIB族、IB族、IIB族、IIIA族、IVA族、VA族中的至少一种元素，其中x满足2.7＜x＜3.8，平均原子半径满足1.36≤r≤1.39。
合金制备方法碱性二次电池

[发明专利]复合衬底及其制备方法-CN202110858367.7在审
发明人：徐琳;金超;赵毛毛 -专利权人：苏州纳维科技有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种复合衬底及其制备方法，包括：III‑V族衬底，所述III‑V族衬底具有III族极性面和V族极性面；欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述III‑V族衬底的V族极性面上。制备方法包括：提供一III‑V族衬底，所述III‑V族衬底具有III族极性面和V族极性面；在所述III‑V族衬底的V族极性面上形成欧姆接触层。本发明提供的另一种制备方法包括：提供一支撑衬底；在所述支撑衬底的表面形成欧姆接触层；在所述欧姆接触层表面形成III‑V族衬底，所述III‑V族衬底具有III族极性面和V族极性面，且所述V族极性面与所述欧姆接触层直接接触
复合衬底及其制备方法

[发明专利]Ⅲ－Ⅴ/Ⅱ－Ⅵ族半导体界面的制备方法-CN96198955.6无效
发明人： J·M·德皮特;S·古哈;M·A·哈泽;K·-K·劳;T·J·米勒;B·-J·武;J·M·杰尼斯 -专利权人：美国3M公司;菲利浦电子股份有限公司
申请日： 1996-12-05 - 公布日： 1999-02-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种在诸如激光二极管的Ⅱ－Ⅵ族半导体器件中重复制备具有较低堆垛层错密度的GaAs/ZnSe和其它Ⅲ－Ⅴ/Ⅱ－Ⅵ族半导体界面的方法。该方法包括提供至少包括Ⅲ族元素源(68,170)、Ⅱ族元素源(72,92’)、Ⅴ族元素源(70,172)和Ⅵ族元素源(74,98’)的分子束外延(MBE)系统(50,150)。然后,将衬底(12)加热到适合Ⅲ－Ⅴ族半导体生长的温度,并在衬底的Ⅲ－Ⅴ半导体表面上生长晶状Ⅲ－Ⅴ族半导体缓冲层。然后,将半导体衬底的温度调节到适合Ⅱ－Ⅵ族半导体生长的温度,并通过交替束外延在Ⅲ－Ⅴ族缓冲层上生长晶状Ⅱ－Ⅵ族半导体缓冲层。操作Ⅱ族源和Ⅵ族源,使Ⅲ－Ⅴ族缓冲层暴露于Ⅵ族元素束流之前暴露于Ⅱ族元素束流。
半导体界面制备方法

[发明专利]制备生物降解脂肪族芳香族共聚酯的方法-CN201811248719.1有效
发明人：周炳;王洪学;贾钦;王子君 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司上海石油化工研究院
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C08G63/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备生物降解脂肪族芳香族共聚酯的方法，主要解决现有技术中生物降解脂肪族芳香族共聚酯结晶温度低，结晶速度慢的技术问题。通过采用在合成阶段与脂肪族二酸、芳香族二酸、脂肪族二醇、催化剂和其他助剂一同加入同类芳香族共聚酯齐聚物的方法，经过缩聚、挤出、冷却、造粒后，得到高结晶性的生物降解脂肪族芳香族共聚酯，有效提升了生物降解脂肪族芳香族共聚酯的结晶能力，较好地解决了该问题，可应用在高结晶性生物降解脂肪族芳香族共聚酯材料生产中。
制备生物降解脂肪芳香族聚酯方法

[发明专利]取代的氨基链烷膦酸-CN97199101.4无效
发明人： P·阿克林;H·阿尔吉尔;Y·奥伯桑;S·奥夫纳;S·J·韦恩斯特拉 -专利权人：诺瓦提斯公司
申请日： 1997-10-22 - 公布日： 2002-10-09 - 主分类号： C07F9/6509 文献下载
摘要：式I的化合物和其盐可以用于治疗对兴奋性氨基酸受体的阻断有反应的病理学状况，和用于制备药物学制剂，其中R1是羟基或者脂族、芳脂族或芳族基团，X是二价脂族、环脂族、环脂族-脂族、芳脂族、杂芳基脂族或芳族基团，R2是氢或脂族或芳脂族基团，alk是低级烷叉，以及R3、R4和R5相互独立地是氢、低级烷基、卤素、三氟甲基、氰基或硝基。
取代氨基链烷膦酸

[发明专利]复合衬底的制备方法及复合衬底-CN202110850235.X在审
发明人：陈吉湖;聂恒亮;苏克勇 -专利权人：苏州纳维科技有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供了一种复合衬底的制备方法及复合衬底，所述制备方法包括：提供一III‑V族单晶衬底，所述III‑V族单晶衬底具有III族极性面和V族极性面；在所述III‑V族单晶衬底的V族极性面上形成纳米线层。所述复合衬底包括：III‑V族单晶衬底，所述III‑V族单晶衬底具有III族极性面和V族极性面；纳米线层，所述纳米线层设置在所述III‑V族单晶衬底的V族极性面上。本发明通过在III‑V族单晶衬底的V族极性面上设置纳米线层，有效地缓解GaN衬底的N极性面欧姆接触差问题，降低接触电阻，提高N极性面欧姆接触的热稳定性，提高了器件的可靠性。
复合衬底制备方法

[发明专利]合成生物降解脂肪族芳香族共聚酯的方法-CN201811251277.6有效
发明人：周炳;王洪学;贾钦;王子君 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司上海石油化工研究院
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C08G63/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种合成生物降解脂肪族芳香族共聚酯的方法，主要解决现有技术中生物降解脂肪族芳香族共聚酯结晶温度低，结晶速度慢的技术问题。通过采用一种合成生物降解脂肪族芳香族共聚酯的方法，在催化剂存在下，将包含芳香族二酸、脂肪族二酸、脂肪族二醇和任选的助剂的反应物料，经过缩聚、挤出、冷却、造粒后，得到所述的生物降解脂肪族芳香族共聚酯；其中，所述反应物料中还包括低脂肪族二酸含量同类共聚酯齐聚物的技术方案，较好地解决了该问题，可应用在高结晶性生物降解脂肪族芳香族共聚酯材料生产中。
合成生物降解脂肪芳香族聚酯方法

[发明专利]族文件处理方法、装置、计算机设备及存储介质-CN202010994347.8在审
发明人：陈岱维;刘建;徐斌;谭冠 -专利权人：同济大学建筑设计研究院（集团）有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G06F8/73 文献下载
摘要：本发明涉及一种族文件处理方法，包括：获取图例族；基于图例族选取满足图例族参数要求的三维构件族并绑定；设置族文件的相关族设置以满足出图制图表达要求。将图例族与满足图例族参数要求的三维构件族绑定，在选用图例进行布置时，就能够对应调用配置列表中的三维构件族文件，由于图例族与三维构件族为绑定状态，且族文件的设置已经呈满足出图制图表达要求的状态。因此在三维构件被放置时就已经带有三维构件的图例，在出图时，已经直接有三维构件的图例在图纸当中，不需要再手动将三维构件替换为图例；即，不需要设计人员一个一个打开族进行编辑，以使三维构件族满足二维制图的需求
文件处理方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]用于形成n-型氧化物半导体膜的涂布液、n-型氧化物半导体膜制造方法和场效应晶体管制造方法-CN201680053386.X有效
发明人：植田尚之;中村有希;安部由希子;松本真二;曾根雄司;早乙女辽一;新江定宪;草柳岭秀 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2016-09-09 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：用于形成n‑型氧化物半导体膜的涂布液，所述涂布液包括：A组元素，其为选自如下的至少一种：Sc、Y、Ln、B、Al、和Ga；B组元素，其为如下的至少一种：In和Tl；C组元素，其为选自如下的至少一种：第4族元素、第5族元素、第6族元素、第7族元素、第8族元素、第9族元素、第10族元素、第14族元素、第15族元素、和第16族元素；和溶剂。
用于形成氧化物半导体涂布液制造方法场效应晶体管

[发明专利]热致变的半脂族共聚酯酰胺及其制备方法-CN90106806.3无效
发明人：迪迪埃·朱达斯 -专利权人：阿托化学公司
申请日： 1990-07-12 - 公布日： 1991-02-13 - 主分类号： C08G69/32 文献下载
摘要：热致变半脂族共聚酯酰胺由下述循环单元组成式中Ar1代表一种芳族和/或环脂族基，Ar2代表一种芳族基，X代表NH或CO，A代表-脂族链。它们是由一种芳族或环脂族二酸、芳族二酚和脂族氨基酸和/或一种内酰胺和/或一种脂族二酸聚酰胺缩合而得到的。
热致变半脂族共聚酯及其制备方法

[其他]氧化转化方法-CN86102958无效
发明人：詹姆斯·巴雷·基姆伯;约翰·亨利·科茨 -专利权人：菲利普石油公司
申请日： 1986-04-29 - 公布日： 1986-12-03 - 主分类号： C07C2/84 文献下载
摘要：接触物质含有1.ⅠA族和/或ⅡA族金属/O2/卤素；2.ⅠA族金属/镧系金属/O2/卤素，及任选ⅡA族金属；3.ⅠA族金属/Zn/O2/卤素，及任选ⅡA族金属；4.ⅠA族金属/Ti或Zr/O2/卤素，及任选的ⅡA族金属；5.ⅠA族和/或ⅡA族金属/磷酸盐/卤素或6。Co/Zr，Zn，Nb，In，Pb和/或Bi/P/O2/卤素，以及任选的ⅠA族金属和/或S。
氧化转化方法

[发明专利]基于Revit平台的结构构件族实例的创建方法和系统-CN202210275946.3在审
发明人：谢中原;张坤;丛楠;刘殿凯;马春泉;高杨;赛菡;李龙龙;刘军达;李义毫;杨康宇;杨文强;徐云龙 -专利权人：中建交通建设集团有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G06F30/13 文献下载
摘要：本发明公开一种基于Revit平台的结构构件族实例的创建方法和系统，其方法包括以下步骤：设置针对所述结构构件族实例的过滤条件；根据所述过滤条件生成所述结构构件族的类型名称的树状结构；设置所述树状结构上的所述结构构件族的类型名称，并在所述Revit平台进入放置族实例模式，创建与所述结构构件族的类型名称对应的结构构件族实例；放置族实例操作结束后，获得所创建的结构构件族实例，根据所述结构构件的类型调节所述结构构件族实例的族参数；本发明能够基于Revit平台实现快速、准确创建结构构件族实例。
基于 revit 平台结构构件实例创建方法系统

[发明专利]在芳族和/或杂芳族环氧树脂中作为阻燃剂的二膦衍生物-CN201080032569.6无效
发明人： H·德内克;A·季什科夫;N·古特弗鲁特;H·赫布斯特;M·马斯;R·克萨特;C·福莱肯斯坦 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2010-07-21 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C08K5/5397 文献下载
摘要：本发明涉及二膦特定衍生物在芳族和杂芳族环氧树脂中作为阻燃剂的用途，以及使包含其中掺有二膦特定衍生物的芳族和/或杂芳族环氧树脂的有机材料的可燃性降低的方法。此外，本发明涉及芳族和/或杂芳族环氧树脂组合物，其包含芳族和杂芳族环氧树脂本身或其加工形式，并就爱那个至少一种二膦衍生物以基于该芳族和/或杂芳族环氧树脂重量为1-35重量％的量掺入该芳族和/或杂芳族环氧树脂中
杂芳族环氧树脂作为阻燃衍生物