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[发明专利]电磁感应轻接触及无接触磁传动结构-CN200910062234.8在审
发明人：黄德固 -专利权人：黄德固
申请日： 2009-05-27 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H02K49/00 文献下载
摘要：本发明推出一种电磁感应轻接触及无接触磁传动结构，在传统机械传动结构的结合面上，亦即联轴器的螺纹连接处、离合器的嵌合或摩擦离合处、齿轮传动的轮齿啮合处、链传动的链与轮啮合处以及万向节传动的十字节与传动轴结合处，用磁极对应的永磁体或者用磁性可调节变化的电磁体等电磁感应设施予以取代，构成系列轻接触及无接触磁传动联动器、离合器、齿轮传动、链传动、磁万向节传动等等。本发明的有益效果是：磁传动结构在降低原结构磨损提高传动效率上有优势，特别是无接触电磁联动器及离合器，能使被拖动方逐渐加速同步，降低了对启动力矩的高要求，给新设备的引进提供了空间，在机器人之类创新行业内有较好的应用前景
电磁感应接触传动结构

[发明专利]接触用部件、以及包含该接触用部件的结构体-CN202010919309.6在审
发明人：望月勇;江川和也 -专利权人：大科能宇菱通株式会社
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： C08L25/12 文献下载
摘要：本发明提供包含特定热塑性树脂组合物的成形体，与其他构件接触并相互摩擦所产生的吱嘎声大幅减少，并且具有消光性优异的外观的接触用部件、以及包含该接触用部件的结构体。接触用部件、以及包含该接触用部件的结构体，所述接触用部件的特征在于，包含热塑性树脂组合物(X)的成形体，所述热塑性树脂组合物(X)含有乙烯基系接枝聚合物(A)、乙烯基系非接枝聚合物(B)和消光剂(C)，
接触部件以及包含结构

[发明专利]一种接触孔测试结构和接触孔测试方法-CN202310345608.7在审
发明人：曾繁中;宋永梁;刘倩倩 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明的一种接触孔测试结构和接触孔测试方法，接触孔测试结构包括设置于半导体衬底上的有源区接触孔测试结构、多晶硅接触孔测试结构、第一漏电测试结构以及第二漏电测试结构。其中，有源区接触孔测试结构包括若干串联的第一链条，多晶硅接触孔测试结构包括若干串联的第二链条，有源区接触孔测试结构和多晶硅接触孔测试结构的延伸方向相同；第一漏电测试结构包括若干第三链条，每一第三链条对应插入两相邻的第一链条之间；第二漏电测试结构通过二极管结构与有源区接触孔测试结构连接，第二漏电测试结构包括若干第四链条，每一第四链条对应插入两相邻的第二链条之间。
一种接触测试结构方法

[发明专利]提高GaN欧姆接触性能的方法、欧姆接触结构及应用-CN201810209232.6有效
发明人：董超;王建峰;徐科;金晶 -专利权人：上海大学;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高GaN欧姆接触性能的方法、欧姆接触结构及应用。本发明使制备的GaN材料的Ga面欧姆接触更易形成，且比接触电阻率降低、热稳定性好，从而使GaN材料更易于用在新型半导体器件中；同时工艺操作简单，制作速度快，激光参数易于控制，不产生环境污染。
提高 gan 欧姆接触性能方法结构应用

[发明专利]中频接触器触头结构、接触器及方法-CN202010369991.6有效
发明人：纽春萍;李忠翔;刘爱强;何海龙;吴翊;荣命哲;陈均 -专利权人：西安交通大学;贵州天义电器有限责任公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01H50/54 文献下载
摘要：公开了中频接触器触头结构、接触器及方法，中频接触器触头结构中，静触头基座包括空腔，动触头基座位于所述静触片上方，动触片设在所述动触头基座的下表面且相对所述静触片间隔设置以形成间隙，铜连接件螺栓连接绝缘连接件，用于电气连接的铜连接件经由中频电流产生交变磁场，连杆机构连接件配置成连接连杆以致所述动触头部分运动使得动触片接触所述静触片，四个增磁块分别设在绝缘壳体内侧且避免接触所述静触头部分和动触头部分，其中，所述四个增磁块起导磁作用以增强所述间隙之间的磁场
中频接触器结构方法

[发明专利]接触器的散热结构、接触器及电器盒-CN202010055719.0有效
发明人：周壮广;金国华;奚明耀;吴超;徐金辉;林肖纯;欧炜;徐华庚;齐京墀;关北业 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01H50/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触器的散热结构、接触器及电器盒，所述接触器包括：带有多根定子齿的静铁芯和套在定子齿上的线圈，所述线圈与未套设线圈的定子齿之间形成间隙，所述间隙填充有绝缘导热材料。本发明通过在空气间隙处填充有绝缘导热材料，其导热系数远高于空气，将接触器线圈与静铁芯之间的传导散热回路打通，并通过两个散热层和散热器导热和散热，有效将热量通过传导的方式导出到接触器外的环境中，有效降低交流接触器的温升，提高接触器的使用寿命和应用范围；并提高机组和设备的安全性和可靠性。
接触器散热结构电器

[实用新型]斜面引导与平面常态接触的弹性摩擦接触体结构-CN201220160621.2有效
发明人：黄英哲;蔡育明;蔡睿祥 -专利权人：宁波日鼎电子科技有限公司
申请日： 2012-04-16 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01R13/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及连接器领域，公开了一种斜面引导与平面常态接触的弹性摩擦接触体结构。其包括固定部位、单臂举升的接触体，所述斜面引导与平面常态接触的弹性摩擦接触体结构整体为金属片冲压模制造，所述接触体包含引导部位和常态接触的平面，两者成钝角。本实用新型提高了单臂举升的接触体弹性以强化与插针的碰撞接触，磨损部位被控制与引导部位，插针与单臂举升的接触体带电连接时，接触所产生的火花被控制于引导部位，可优化接触插针用于带电连接的可行性，常态接触平面对于插针接合后，可不施予推出力道，但却能具有顶上强化的接触力道。
斜面引导平面常态接触弹性摩擦结构

[实用新型]一种接触器的接触板的限位结构-CN201620400356.9有效
发明人：刘长源;曹永;晏恒明 -专利权人：厦门宏发开关设备有限公司
申请日： 2016-05-05 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01H50/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种接触器的接触板的限位结构，包括躯壳、静触头的接触板和铆钉；所述躯壳设有用来放置所述静触头的接触板的支撑部；所述接触板适配在躯壳的支撑部上；所述接触板设有通孔，所述支撑部设有限位孔；所述铆钉具有相对于周面向外凸伸的过盈部，所述铆钉穿接在接触板的通孔和支撑部的限位孔中，且铆钉的过盈部与接触板的通孔呈过盈相配合。本实用新型通过结构改进，能够在躯壳结构不进行复杂变化的前提下，降低零件成本及提高装配效率，从而实现接触板的简化快速装配。
一种接触器接触限位结构

[实用新型]接触网临时封闭结构以及接触网铁路系统-CN202121145283.0有效
发明人：姜同伍;孟军锋;徐程;蔡云峰;刘倩倩;梅振;刘思然;张宁莉;谭圆;刘新国 -专利权人：中铁武汉勘察设计院有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： B60M1/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及接触网封闭技术领域，提供了一种接触网临时封闭结构，包括可封闭接触网的接触网封网盒以及可带着所述接触网封网盒沿铁路线路移动的行走机构，所述接触网封网盒通过支杆支撑在接触网的上方。还提供一种接触网铁路系统，包括接触网，还包括上述的接触网临时封闭结构，所述接触网封网盒罩盖在所述接触网的上方。本实用新型通过行走机构带着接触网封网盒移动至需要进行临时封闭的位置，然后通过接触网封网盒对接触网进行临时封闭，例如在站台雨棚的检修、高压线路道路跨越接触网时封闭防护，可以实现带电隔离作业，并在作业完后移走行走机构即可
接触临时封闭结构以及铁路系统

[发明专利]接触用部件、以及包含该接触用部件的结构体-CN201480020076.9在审
发明人：望月勇;江川和也 -专利权人：大科能树脂有限公司
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： C08L51/00 文献下载
摘要：本发明提供包含特定热塑性树脂组合物的成形体，与其他构件接触并相互摩擦所产生的吱嘎声大幅减少，并且具有消光性优异的外观的接触用部件、以及包含该接触用部件的结构体。接触用部件、以及包含该接触用部件的结构体，所述接触用部件的特征在于，包含热塑性树脂组合物(X)的成形体，所述热塑性树脂组合物(X)含有乙烯基系接枝聚合物(A)、乙烯基系非接枝聚合物(B)和消光剂(C)，
接触部件以及包含结构

[发明专利]P-欧姆接触结构和使用该P-欧姆接触结构的发光器件-CN202110690260.6在审
发明人：张剑平;周瓴;高英 -专利权人：博尔博公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种发光二极管，包括：n型结构、p型结构以及夹在n型结构和p型结构之间的有源区；形成在p型结构上的p‑接触层；以及形成在p‑接触层上的厚度在0.2‑100nm范围内的P‑欧姆接触，其中，p‑欧姆接触包括一层或多层金属氧化物
欧姆接触结构使用发光器件

[发明专利]MOS晶体管的接触结构、毗连的接触结构及半导体SRAM单元-CN200810008642.0有效
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-02-01 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属氧化物半导体晶体管的接触结构及半导体静态随机存取存储器单元，上述接触结构包括：第一接触件，形成于第一介电层内，且与MOS晶体管的源极/漏极区域接触；第二接触件，形成于第二介电层内，且与MOS晶体管的栅极区域或该第一接触件接触；以及第三接触件，至少部分形成于该第二介电层内，且与该第二介电层的顶表面实质上共平面，其中该第三接触件与该MOS晶体管的栅极区域接触。本发明能够降低深宽比和降低接触密度，并改善工艺窗口及提升元件合格率。
mos 晶体管接触结构毗连半导体 sram 单元

[发明专利]一种钝化接触结构制备方法和具有钝化接触结构的晶体硅-CN202110130675.8有效
发明人：杜哲仁;赵影文;杨俊楠;张志郢;季根华 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种钝化接触结构制备方法，在晶体硅上形成SiOx/AlOx/p‑poly的三层式钝化接触结构，包括：S1:对晶体硅片进行预处理；S2:在预处理后的晶体硅片表面制备AlOx薄膜；S3:在制备完AlOx薄膜的晶体硅片表面再制备非晶硅薄膜
一种钝化接触结构制备方法具有晶体

[发明专利]形成晶体管装置的栅极接触结构、交叉耦合接触结构的方法-CN201811244166.2有效
发明人：谢瑞龙;禹永倬;丹尼尔·恰尼莫盖姆;B·C·保罗;拉尔斯·W·赖柏曼;H·涅博热夫斯基;朱雪莲;孙磊;臧辉 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及形成晶体管装置的栅极接触结构、交叉耦合接触结构的方法，所揭示的一示范方法主要包括：选择性地形成栅极至源极/漏极(GSD)接触开口及CB栅极接触开口于至少一层绝缘材料中以及在相应开口中形成初始栅极至源极/漏极(GSD)接触结构与初始CB栅极接触结构，其中，该GSD接触结构与该CB栅极接触结构中的各者的上表面位在第一层级，以及对该初始GSD接触结构及该初始CB栅极接触结构执行凹陷蚀刻制程以形成凹陷GSD接触结构与凹陷CB栅极接触结构，其中，这些凹陷接触结构中的各者的凹陷上表面位在低于该第一层级的第二层级。
形成晶体管装置栅极接触结构交叉耦合方法

[发明专利]接触结构、半导体器件结构及其制备方法-CN201910963618.0在审
发明人：金星 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种接触结构、半导体器件结构及其制备方法，接触结构包括：导电插塞；钝化保护层，覆盖所述导电插塞的侧壁。上述接触结构中通过在导电插塞的侧壁形成钝化保护层，防止导电插塞暴露于空气中，避免导电插塞的表面被氧化，在酸洗工艺中钝化保护层可以保护导电插塞不被去除，确保导电插塞的形貌完整，保证了器件的导电性能。
接触结构半导体器件及其制备方法