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[发明专利]结晶化薄膜-CN201811125171.1在审
发明人：竹下翔也;松本圭祐;安藤豪彦 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供一种结晶化薄膜，该结晶化薄膜具备透明薄膜基材及结晶化铟锡复合氧化物层。结晶化薄膜为通过将具备透明薄膜基材及非晶质铟锡复合氧化物层的非晶质薄膜在特定温度下结晶化而得到的特定温度结晶化薄膜。特定温度结晶化薄膜中的结晶化铟锡复合氧化物层的残余应力σ1与通过将非晶质薄膜在110℃下结晶化而得到的110℃结晶化薄膜中的结晶化铟锡复合氧化物层的残余应力σ2之差为150MPa以下。
结晶化薄膜结晶化铟锡复合氧化物透明薄膜基材非晶质薄膜残余应力温度结晶薄膜非晶质

[发明专利]导电膜用原材料、导电膜层叠体、电子仪器及它们的制造方法-CN201280023895.X无效
发明人：吉冈和久;富田伦央;森野正行 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2012-05-17 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供一种能得到具有结晶性、且厚度和薄膜电阻处于良好的范围内的结晶性透明导电膜的导电膜用原材料。导电膜用原材料(1)包括透明基材(2)、第一非晶质层(4)和第二非晶质层(5)。这里，第一非晶质层(4)层叠在透明基材(2)上，由含有以氧化物换算为2质量％以上15质量％以下的锡的铟锡氧化物构成。第二非晶质层(5)层叠在第一非晶质层(4)上，由含有以氧化物换算为2质量％以上15质量％以下的锡的铟锡氧化物构成，且锡的以氧化物换算的含量与所述第一非晶质层(4)中的锡的以氧化物换算的含量不同。
导电原材料层叠电子仪器它们制造方法

[发明专利]球状结晶质二氧化硅颗粒及其制造方法-CN202180036714.6在审
发明人：田中睦人;沼尾竜太郎;青山泰宏;楠一彦;牛尾昌史 -专利权人：日铁化学材料株式会社
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：提供作为在毫米波频带中具有优秀的介电特性的半导体密封材料用的填充物用途而适用的球状二氧化硅颗粒，即提供将碱金属和碱土金属的含量抑制得较低的同时，结晶化率高且石英的比例高的球状结晶质二氧化硅颗粒及其制造方法一种球状结晶质二氧化硅颗粒：其圆形度在0.80以上；含有按氧化物换算0.02质量％以上且不足0.40质量％的锂，含有按氧化物换算0.004质量％以上且不足1.0质量％的钙；含有结晶质二氧化硅的相；该球状结晶质二氧化硅颗粒中所述结晶质二氧化硅的相的比例为40.0％以上，且所述结晶质二氧化硅的相中石英的比例为80.0质量％以上。
球状结晶二氧化硅颗粒及其制造方法

[发明专利]氧化锆质烧结体及其制造方法-CN200980104214.0有效
发明人：三垣俊二;四方邦英 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2009-02-06 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明提供一种具有优异的机械特性、同时具有可以以适度的速度释放静电的半导电性的氧化锆质烧结体及可以比以往更廉价地制造这样的氧化锆质烧结体的制造方法。所述氧化锆质烧结体由包含稳定剂的氧化锆66～90质量份和铁、铬及钛的氧化物合计10～34质量份组成；铁、铬及钛的氧化物中铁的氧化物的比率为70～99.5质量％，铬的氧化物的比率为0.4～20质量％，钛的氧化物的比率为0.1～10质量％；氧化锆结晶相中的正方晶及立方晶的比率合计为90％以上，同时，氧化锆的平均结晶粒径为0.3～0.5μm，铁、铬及钛的氧化物的平均结晶粒径为0.5～2.0μm。
氧化锆烧结及其制造方法

[发明专利]透明导电性膜的制造方法-CN201110346352.9有效
发明人：拝师基希;梨木智刚;野口知功;浅原嘉文 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2011-11-04 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明提供能缩短结晶化时间的透明导电性膜的制造方法。其为在透明的膜基材的至少一面具有透明导电层的透明导电性膜的制造方法，其具有如下所述的形成铟系复合氧化物的非晶质层的工序(A)和工序(B)，所述工序(A)包含在所述透明的膜基材上依次实施通过溅射堆积以4价金属元素的氧化物的比例为3～35重量％的铟系复合氧化物的工序(A1)和通过溅射堆积氧化铟或所述4价金属元素的氧化物的比例超过0且为6重量％以下、且所述4价金属元素的氧化物的比例比工序(A1)中使用的铟系复合氧化物小的铟系复合氧化物工序(A2)，所述工序(B)通过加热所述非晶质层使其结晶化，形成铟系复合氧化物的结晶质的透明导电层。
透明导电性制造方法

[发明专利]氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管-CN201810801711.7在审
发明人：中山德行;西村英一郎;井藁正史 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种结晶质氧化物半导体薄膜，在非晶质状态中蚀刻性优良，在结晶质状态中具有低载流子浓度和高载流子迁移率，适宜用作薄膜晶体管的沟道层材料，仅由方铁锰矿型结构的In₂O氧化物烧结体作为靶来形成非晶质氧化物薄膜，对该非晶质氧化物薄膜通过利用光刻法技术进行蚀刻来进行微细加工，进行退火处理，所述氧化物烧结体由铟、镓、氧和不可避免的杂质构成，所述镓含量以Ga/(In+Ga)原子数比计处于0.09～0.45的范围，以方铁锰矿型结构的In₂O₃相作为主结晶相，在该主结晶相中微细地分散有β‑Ga₂O₃
非晶质氧化物薄膜氧化物烧结体薄膜晶体管载流子氧化物半导体薄膜方铁锰矿型结构蚀刻结晶质氧化物载流子迁移率半导体薄膜非晶质状态沟道层材料光刻法技术结晶质状态退火处理微细加工原子数比微细结晶相蚀刻性铁锰矿主结晶

[发明专利]结晶过渡氧化物颗粒及制备该结晶过渡氧化物颗粒的连续方法-CN201580059425.2在审
发明人：尤哈·兰塔拉;托马斯·耶达 -专利权人：英克罗恩有限公司
申请日： 2015-08-27 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01M4/50 文献下载
摘要：金属氧化物颗粒，优选结晶过渡金属氧化物颗粒，其通过包含对电解质溶液施加电压的连续方法制备。所述电解质溶液包括溶解于水中的过渡金属盐，优选还包括提高电解质的导电性的化合物。所述氧化物颗粒可具有多种用途，包括用于电荷储存装置。例如，结晶氧化锰纳米颗粒及其制备方法，被公开了包括锂离子电池的多种应用。
结晶过渡氧化物颗粒制备连续方法

[发明专利]非水电解质二次电池-CN201510542480.9有效
发明人：阿曾光 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：非水电解质二次电池，其特征在于包含：包含正极活性材料的正电极；负电极；和非水电解质，其中：所述正极活性材料包含具有含Ni和Mn的尖晶石结构的复合氧化物颗粒，所述复合氧化物颗粒包含LiNbO3结晶相和LiMg1‑xNbxO3结晶相中的至少一种，x高于0且低于1，且所述结晶相为偏析的且位于所述复合氧化物颗粒的表面层部分中。
水电二次电池

[发明专利]导电膜用原料、导电膜层积体、电子设备、以及导电膜用原料和导电膜层积体的制造方法-CN201380023517.6无效
发明人：富田伦央;小林健太 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供一种具有易于通过热处理来结晶化、结晶化后的薄膜电阻值低、且膜厚增加也得到了抑制的非晶质层的导电膜用原料。该导电膜用原料具有透明基材、和层积在上述透明基材上的由铟锡氧化物构成的非晶质层。上述非晶质层由含有以氧化物换算计5.5～9质量％的锡的铟锡氧化物构成，膜厚为15～25nm，且结晶化后的薄膜电阻值为50～150Ω/□。
导电原料层积电子设备以及制造方法

[发明专利]强电介质膜的形成方法、强电介质存储器、强电介质存储器的制造方法、半导体装置及半导体装置制造方法-CN03800862.9无效
发明人：泽崎立雄 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2003-03-28 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：一种强电介质膜的形成方法，对形成在基板(10)上的非晶质的氧化物膜(30)照射脉冲状的激光或灯光，形成氧化物的微结晶核(40)。然后，在含有微结晶核(40)的氧化物膜上形成光透过/吸收膜(22)。再从光透过/吸收膜(22)的上部照射脉冲状的激光或灯光，使氧化物结晶化，形成强电介质(50)。
电介质形成方法存储器制造半导体装置

[发明专利]强电介质膜的形成方法、强电介质存储器、强电介质存储器的制造方法、半导体装置及半导体装置制造方法-CN03800861.0无效
发明人：泽崎立雄 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2003-03-28 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：一种强电介质膜的形成方法，对形成在基板(10)上的非晶质的氧化物膜(30)照射脉冲状的激光或灯光，形成氧化物的微结晶核(40)。然后，对具有微结晶核(40)的膜照射脉冲状的激光或灯光，使氧化物结晶化能够而形成强电介质(50)。
电介质形成方法存储器制造半导体装置

[发明专利]氧化物半导体薄膜以及薄膜晶体管-CN201380049309.3在审
发明人：中山德行 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2013-10-10 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的课题在于，通过氧化物结晶质薄膜提供具有比较高的载流子迁移率并且适宜作为TFT的信道层材料的氧化物半导体薄膜。本发明的氧化物半导体薄膜，其中，所述氧化物半导体薄膜由含有铟和钨的氧化物构成，并且，钨含量以W/In原子数比计为0.005～0.12，并且，所述氧化物半导体薄膜是结晶质薄膜且仅由方铁锰矿型结构的In2O3此外，构成氧化物半导体薄膜的氧化物中，还可以含有锌以使其含量以Zn/In原子数比计处于0.05以下的范围。
氧化物半导体薄膜以及薄膜晶体管

[发明专利]氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管-CN201480040462.4有效
发明人：中山德行;西村英一郎;井藁正史 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种结晶质氧化物半导体薄膜，其中，在非晶质状态中蚀刻性优良，并且在结晶质状态中具有低载流子浓度和高载流子迁移率，适宜用作薄膜晶体管的沟道层材料，仅由方铁锰矿型结构的In₂通过将氧化物烧结体作为靶来形成非晶质氧化物薄膜，并且，对该非晶质氧化物薄膜通过利用光刻法技术进行蚀刻来进行微细加工，进行退火处理，并且，所述氧化物烧结体由铟、镓、氧和不可避免的杂质构成，所述镓含量以Ga/(In+Ga)原子数比计处于0.09～0.45的范围，并且以方铁锰矿型结构的In₂O₃相作为主结晶相，在该主结晶相中微细地分散有β‑Ga₂
氧化物半导体薄膜薄膜晶体管

[发明专利]磁记录介质和磁存储装置-CN201711430804.5有效
发明人：福岛隆之;大桥荣久;张磊;村上雄二;柴田寿人;山口健洋;神边哲也 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： G11B5/706 文献下载
摘要：一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L1₀型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以W为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以W为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。
氧化物磁记录介质结晶质基板磁存储装置结晶结构磁性层配向合金

[发明专利]磁记录介质和磁存储装置-CN201810039987.6有效
发明人：福岛隆之;大桥荣久;张磊;村上雄二;柴田寿人;山口健洋;神边哲也 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有进行了(001)配向的L1₀型结晶结构的合金的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以Mo为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以Mo为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。
氧化物磁记录介质结晶质基板磁存储装置结晶结构磁性层配向合金

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