“粘附层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2577515个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]微电容MOS变容管和变容二极管的开路去嵌测试结构-CN201010102404.3有效
发明人：蒋立飞;吴颜明 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-01-27 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种微电容MOS变容管和变容二极管的开路去嵌测试结构，包括：多个金属层和有源区，多个金属层包括顶金属层，与有源区连接的第1金属层和顶金属层与第1金属层之间的至少一个中间金属层，第1金属层包括一个回路，顶金属层分为四个互不相连的端口顶金属层区域，各区域下的中间金属层区域的范围均在相应端口顶金属层区域的范围内，接地端口顶金属层区域与其下的中间金属层区域和第1金属层的回路逐层连接，至少去除一层位于信号端口顶金属层区域下的中间金属层区域，断开信号端口顶金属层区域与第1金属层的连接。
电容 mos 变容管变容二极管开路测试结构

[发明专利]一种蓝绿光二极管外延片及其制造方法-CN201210394267.4有效
发明人：吴克敏;魏世祯 -专利权人：华灿光电股份有限公司
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：所述外延片包括衬底层、以及依次覆盖在所述衬底层上的缓冲层、N型层、多量子阱层、P型电子阻挡层和P型层；所述多量子阱层包括由若干量子垒层和若干量子阱层交替形成的复合层、以及覆盖在所述复合层上的过渡层；所述复合层中与所述过渡层接触的一层为所述量子阱层本发明通过将过渡层替换现有外延片多量子阱层中与P型电子阻挡层接触的量子垒层，减少了被阻挡在该层的电子数，同时也减少了停留在该层的空穴数，从而减少了在该层复合的电子和空穴，减少了发出波长接近紫外波段的光，
一种蓝绿二极管外延及其制造方法

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法-CN201810254580.5有效
发明人：葛永晖;郭炳磊;舒辉;吕蒙普;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲层、N型半导体层、质量改善层、多量子阱层和P型半导体层，质量改善层包括依次层叠的应力释放层和缺陷阻挡层，应力释放层包括依次层叠的至少两个铟镓氮层，至少两个铟镓氮层中铟组分的含量沿应力释放层的层叠方向逐层减少；缺陷阻挡层包括依次层叠的至少两个铝铟镓氮层，至少两个铝铟镓氮层中铝组分的含量沿缺陷阻挡层的层叠方向逐层减少，至少两个铝铟镓氮层中铟组分的含量沿缺陷阻挡层的层叠方向逐层增加。
一种发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种高强度轻质混凝土预制板-CN201810946129.X有效
发明人：田建冬 -专利权人：贺州学院
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种轻质高强度预制板，包括保护层、防火层、保温层、隔音层和强化混凝土层，所述保护层设置在在预制板的上下两面，在上下两保护层之间由下而上依次设有防火层、保温层、隔音层、强化混凝土层、隔音层、保温层、防火层；所述防火层由石棉粉层包覆磷酸三丁酯层构成；所述保温层由珍珠岩粉层包覆聚氨酯泡沫层构成；所述隔音层由β型半水石膏粉层包覆聚酯纤维棉层构成；所述强化混凝土层由混凝土包覆芳纶纤维导杆制成的框架和金属格栅构成
一种强度混凝土预制板

[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法-CN201811130752.4有效
发明人：肖云飞;江斌;刘春杨;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：外延片包括：衬底、GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型掺杂GaN层、浅阱层、多量子阱层、低温P型GaN层、电子阻挡层、高温P型GaN层、以及P型接触层，所述浅阱层包括顺次层叠在N型掺杂GaN层上的第一段和第二段，第一段为高温GaN层和低温GaN层交叠生长的周期性结构，第二段为InGaN势阱层和GaN势垒层交叠生长的周期性结构，第一段中一高温GaN层与N型掺杂GaN层接触，第一段中一低温GaN层与第二段中一InGaN势阱层接触，第二段中一GaN势垒层与多量子阱层接触。
一种 gan 发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法-CN201810932053.5有效
发明人：葛永晖;郭炳磊;王群;吕蒙普;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：外延片包括衬底、电子提供层、有源层和空穴提供层，电子提供层、有源层和空穴提供层依次层叠在衬底上，电子提供层包括N型氮化镓层以及插入在N型氮化镓层中的至少一个P型氮化镓层，N型氮化镓层的厚度大于电子提供层的厚度的本发明通过在N型氮化镓层中插入至少一个P型氮化镓层形成电子提供层，P型氮化镓层和N型氮化镓层形成PN结，P型氮化镓层和N型氮化镓层变成空间电荷区，空间电荷区内存在可以横向移动的自由电荷，可以提升电子的横向扩展能力，增加电子提供层中电流的扩展与传输，降低电子提供层的体电阻，进而降低芯片的正向电压。
一种氮化发光二极管外延及其制作方法

[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法-CN201810831576.0有效
发明人：葛永晖;郭炳磊;王群;吕蒙普;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底上，缓冲层包括至少一个叠层结构，叠层结构包括氮化镓层和设置在氮化镓层上的氮化钪铝层。本发明通过采用氮化钪铝层和氮化镓层一起形成缓冲层，氮化钪铝层和氮化镓层配合，可以有效缓解蓝宝石和氮化镓之间晶格失配产生的应力和缺陷，大大优化外延片底层的晶体质量，进而提高有源层的晶体质量，有利于电子和空穴在有源层中进行复合发光
一种氮化发光二极管外延及其制作方法

[发明专利]固态锂离子电池-CN201710538443.X有效
发明人：杨亚;刘茜 -专利权人：北京纳米能源与系统研究所
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：固态锂离子电池包括相互平行设置的第一电极层和第二电极层，位于第一电极层朝向第二电极层一面上的电解质层，位于电解质层背离第一电极层一面上的摩擦层，摩擦层上设有导通孔，且导通孔内填充有电解质层，其中：第一电极层和第二电极层之间通过弹性元件连接，第一电极层的形成材料为锂掺杂金属的氧化物；其中：当弹性元件未被施加第一外力时，摩擦层和第二电极层不接触；当弹性元件被施加第一外力时，摩擦层和第二电极层振动并发生相互摩擦和分离，第一电极层和第二电极层将摩擦层和第二电极层摩擦产生的电流输出
固态锂离子电池

[发明专利]一种石墨烯探测器及其制备方法-CN201810204953.8有效
发明人：王鹏;王杰;孙丰沛;陈文礼;王宏臣 -专利权人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯探测器及其制备方法，该探测器由下至上包括基底、金属反射层、微桥结构和超材料结构；微桥结构由下至上包括第一支撑层、热敏薄膜层、电极层和钝化层，热敏薄膜层通过电极层与金属反射层电连接；超材料结构包括第二支撑层、金属层、种子层和石墨烯薄膜层，第二支撑层设置于钝化层表面，第二支撑层上形成有金属层，金属层上形成有种子层，种子层表面生长形成石墨烯薄膜层。本发明的石墨烯探测器，采用CVD直接生长石墨烯作为探测器的超材料层，显著提高了探测器的光学吸收率和响应率，优化了器件性能，且制备工艺简单，避免了转移过程中对石墨烯薄膜的损伤。
一种石墨探测器及其制备方法

[发明专利]电磁波屏蔽膜及其制备方法-CN201811320751.6有效
发明人：由龙;赵伟业;林翠盈;顾婧文 -专利权人：深圳科诺桥科技股份有限公司
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明属于电子技术领域，尤其涉及一种电磁波屏蔽膜的制备方法，包括：获取载体层，在所述载体层的一表面制备保护层；在所述载体层远离所述保护层的表面真空溅射形成金属叠层，其中，所述金属叠层包括依次层叠设置在所述载体层远离所述保护层的表面的第一金属保护层、金属功能层和第二金属保护层。本发明实施例提供的电磁波屏蔽膜的制备方法，采用涂覆方法在载体层一侧形成保护层，再采用真空溅射方法在载体层的另一侧形成金属叠层，真空溅射可以通过控制溅射时间、速度控制膜层厚度，实现形成金属叠层薄膜，减少生产原料的使用且真空溅射形成的金属叠层，成膜速度快，膜层均匀，稳定性好，膜层不易脱落，制备工艺简单。
电磁波屏蔽及其制备方法

[发明专利]TFT的制备方法、TFT、阵列基板及显示装置-CN201811534064.4有效
发明人：胡俊艳 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明实施例中方法包括：在基板上形成缓冲层、多晶硅层、栅极绝缘层、源极层、漏极层和栅极层；其中，多晶硅层形成于缓冲层之上，源极层和漏极层形成于多晶硅层两侧，栅极绝缘层形成于多晶硅层、源极层和漏极层之上，在基板上形成缓冲层和多晶硅层之后，形成栅极绝缘层之前，对多晶硅层进行一次离子植入，以调整TFT的亚阈值摆幅不低于预设阈值，并使得植入离子浓度的峰值落在多晶硅层下方的缓冲层中。
tft 制备方法阵列显示装置

[发明专利]一种防伪反射片及其制备方法-CN201680085458.9有效
发明人：蒋纪辉;韩剑钧;陈燕;邵卫东 -专利权人：恩希爱（杭州）薄膜有限公司
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G02B5/128 文献下载
摘要：本发明涉及一种反光材料，具体为一种防伪反射片及其制备方法，所述方位反射片包括由上至下设置的表面保护层、夹持层、防伪着色层、焦点形成层以及镜面反射层，所述的夹持层与焦点形成层之间设置有透射层和防伪着色层；在表面保护层的一个面上涂抹夹持层，并在夹持层上摆放玻璃微珠，玻璃微珠的一部分将通过表面张力进入到夹持层内，玻璃微珠进入夹持层的深度通过调节夹持层的硬化状态来调整；夹持层完全硬化并把玻璃微珠固定好后，再在安装有玻璃微珠的夹持层上设置防伪着色层；依次放上焦点形成层和镜面反射层，从而形成防伪反射片；通过设置防伪着色层从而使防伪反射片具有防伪、防篡改以及防再次使用防伪效果。
一种防伪反射及其制备方法

[发明专利]MIM电容及其形成方法-CN201210492190.4有效
发明人：洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种MIM电容及其形成方法，其中，所述MIM电容，包括基底，所述基底内具有导电层；位于基底上的刻蚀停止层；位于刻蚀停止层上的介质层；贯穿所述介质层和刻蚀停止层的凹槽；位于所述凹槽的底部和部分侧壁表面的第一金属层，第一金属层作为MIM电容的第一电极板，侧壁表面的第一金属层的顶端低于介质层的表面；位于第一金属层以及凹槽的部分侧壁表面的电介质材料层，电介质材料层作为MIM电容的电介质层；位于电介质材料层的表面的第二金属层，位于第二金属层上的第三金属层，第三金属层填充满凹槽，第二金属层和第三金属层作为MIM电容的第二电极板。
mim 电容及其形成方法

[发明专利]金属硅化物层和闪存的存储单元栅电极的形成方法-CN201210203742.5有效
发明人：禹国宾 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-06-19 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种金属硅化物层和闪存的存储单元栅电极的形成方法，其中，所述闪存的存储单元栅电极的形成方法包括：提供半导体衬底，以及位于半导体衬底上的若干闪存的存储单元，若干存储单元由隔离层相互隔离，存储单元包括：浮栅层、以及位于浮栅层上的控制栅层，控制栅层的顶部与隔离层的表面齐平；去除部分控制栅层，使控制栅层的顶部低于隔离层的表面；在去除部分控制栅层后，在控制栅层表面形成金属层；在金属层和隔离层表面形成多晶硅层；进行热退火，使金属层与控制栅层和多晶硅层反应，在控制栅层表面形成金属硅化物层，金属硅化物层的顶部与隔离层的表面齐平；去除金属硅化物层表面的多晶硅层。所述金属硅化物层的电阻较小，作为栅电极时性能优良。
金属硅化物层闪存存储单元电极形成方法

[发明专利]揭开式防转移纸质激光防伪标识及其制备方法-CN201310402459.X有效
发明人：王国平 -专利权人：无锡新光印防伪技术有限公司
申请日： 2013-09-07 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： G09F3/02 文献下载
摘要：包括表面印刷层、塑化层、数据打印层、胶水层和底纸层，其特点是数据打印层包括第一、第二数据打印层。表面印刷层上面有第一水性光油层，第一数据打印层位于第一水性光油层上，第一数据打印层上面依次有油性光油层、覆盖层和说明文字层。表面印刷层下面有彩虹激光纸层，彩虹激光纸层下面有所述塑化层，塑化层下面依次有隔离层、第二水性光油层，第二数据打印层处于第二水性光油层的下面。第二数据打印层的下面有白油油墨层，胶水层处于白油油墨层的下面，底纸层处于所述胶水层的下面，底纸层的外面有黑色油墨层。本发明不仅防伪功能多、防伪效果好、不易被造假者仿冒，而且美观。
揭开转移纸质激光防伪标识及其制备方法