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[发明专利]一种基于水玻璃的光学透光元件键合方法-CN202210618128.9在审
发明人：刘倍宏;王乙瑾;张勤东;马怀超;常乐;侯兵;施英琪;陈卫军;杜木林;杨振 -专利权人：北方夜视技术股份有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C03C27/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于水玻璃的光学透光元件键合方法，属于光学零件键合领域。其具体步骤是将高透明度玻璃片清洗后，对高透明度玻璃片表面进行亲水性调控，然后在高透明度玻璃片键合界面加硅水酸钠，然后将两片高透明度玻璃片直接键合起来后置于真空烘箱，加热。所采用的基于水玻璃的光学透光元件键合方法经过试验，其透明度较高。所采用的基于水玻璃的光学透光元件键合方法是一种高效，简单的透明玻璃片键合方法。本发明方法提出的基于水玻璃的高透明度键合键合后具有较好的光学性能，能够满足键合组件在光学领域的应用。
一种基于水玻璃光学透光元件方法

[发明专利]用于微电子系统级封装的堆叠芯片悬臂柔性层键合的方法-CN201010005521.8无效
发明人：李军辉;王瑞山;王福亮;隆志力;韩雷 -专利权人：中南大学
申请日： 2010-01-16 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于微电子系统级封装的堆叠芯片悬臂柔性层键合的方法，底层芯片(2)粘接在基板(1)上，上层芯片(3)通过银胶或合金工艺粘接在底层芯片(2)，叠加的上层芯片(3)形成悬臂，上层芯片(3)的I/O焊盘(4)通过微小引线(8)与基板的引脚连接，实现IC封装互连，在键合过程中通过施加高频超声能(5)和键合压力(6)将互连焊球焊接到芯片焊盘(4)上，超声能和键合压力是通过微小焊接劈刀(9)传递能量本发明减小键合过程冲击，使得多形态能量在键合界面平稳响应、界面结合充分，从而有效地提高悬臂键合的键合强度和SiP封装可靠性。
用于微电子系统封装堆叠芯片悬臂柔性层键合方法

[发明专利]一种晶圆片减薄方法、装置和卸片夹具-CN202011003935.7在审
发明人：王广阳;熊帅 -专利权人：武汉电信器件有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种晶圆片减薄方法、装置和卸片夹具，将多个待减薄晶圆片与基板进行键合处理，得到多个键合后晶圆片；对所述多个键合后晶圆片进行一次减薄处理，得到多个一次减薄后晶圆片；对所述多个一次减薄后晶圆片进行二次减薄处理，得到多个待解键合晶圆片；对所述多个待解键合晶圆片进行解键合处理，得到多个减薄后的晶圆片；对所述多个待解键合晶圆片进行解键合处理，得到多个减薄后的晶圆片。这样，在第一设备对晶圆片进行减薄后，再利用第二设备对晶圆片进行减薄，能够去除一次减薄过程中所造成的放射纹和损伤层，有效避免了后续进行更加复杂的加工处理，从而降低了晶圆片减薄的加工成本，同时提高了晶圆片减薄的加工效率
一种晶圆片减薄方法装置夹具

[发明专利]临时键合结构、临时载片及临时键合方法-CN202211045916.X在审
发明人：范增焰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本公开涉及一种临时键合结构、临时载片及临时键合方法。所述临时键合结构，包括：临时载片、器件晶圆以及设置于所述临时载片和所述器件晶圆之间的键合胶；所述器件晶圆靠近所述临时载片的一侧设有边缘修剪区；所述临时载片靠近所述器件晶圆的一侧设有蓄胶槽；其中，所述蓄胶槽在所述器件晶圆上的正投影至少部分位于所述边缘修剪区内，所述蓄胶槽用于蓄存所述器件晶圆与所述临时载片键合时所述键合胶的冗余量。本公开可以提高临时键合质量，并确保临时键合后晶圆减薄工艺及其他背面工艺的实施可靠性。
临时结构方法

[发明专利]一种TSV多层芯片键合方法-CN201510114945.0在审
发明人：吴道伟;李克中;张波 -专利权人：中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
申请日： 2015-03-16 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明一种TSV多层芯片键合方法包括，一，将具备TSV及正面图形的第一晶圆的正面与支撑片进行临时键合，形成第一晶圆键合体；二，然后对其进行背面减薄，露出硅通孔，形成背面键合凸点；三，再对该键合体划片，正面保留支撑片，形成第一芯片；四，对具备正面键合凸点的第二晶圆进行划片形成第二芯片；五，将第一芯片与第二芯片进行凸点键合，去除支撑片形成二层键合体；六，将重复1-3形成的芯片依次按步骤5进行凸点键合，实现多层芯片的依次键合叠加或将重复1-3形成的多个芯片，两两分别进行凸点键合后形成两侧均有支撑片的双层键合体；将芯片和/或去除了一侧支撑片的双层键合体，键合后得到TSV多层芯片。
一种 tsv 多层芯片方法

[实用新型]一种键合片分离设备-CN201921815962.7有效
发明人：安凯 -专利权人：沈阳硅基科技有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种键合片分离设备，包括机台，所述机台内前部处安装有若干结构相同的可升降暗盒载台，所述上真空机械手与机台相连接，所述下真空机械手的左右两侧处安装有一对结构相同的红外扫描刀具，一对所述红外扫描刀具与机台相连接，一对所述红外扫描刀具与键合片键合位置相对应，本实用新型涉及键合片分离技术领域,该键合片分离设备，本实用新型提供的是一种键合片分离装置，它包括：用于放置暗盒的升降载台，可实现带动暗盒上下移动方便真空机械手臂吸取键合片，采用上述结构，通过取键合片的真空机械手并充当键合片分离载台，带有红外线感应的双卡刀具并且可以通过调节装置来控制靠近或远离的运动。
一种键合片分离设备

[发明专利]一种用于半导体集成工艺中超薄半导体晶圆的拿持方法-CN201811413696.5有效
发明人：戴家赟;吴立枢;王飞;郭怀新;陈堂胜 -专利权人：南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体集成工艺中超薄半导体晶圆的拿持方法，主要步骤有：1)在第一临时载片正面旋涂第一临时键合粘附剂；2)将超薄半导体晶圆与第一临时载片正面相对键合；3)在第二临时载片正面旋涂第二临时键合粘附剂；4)将超薄半导体晶圆背面与第二临时载片正面相对键合；5)将超薄半导体晶圆与第一临时载片分离；6)制备集成互连结构；7)进行键合集成工艺；8)将集成后的晶圆与第二载片分离。本发明通过两种不同软化温度的临时键合粘附剂以及两片临时载片的搭配使用，利用临时键合和解键合工艺，保证超薄半导体晶圆在传输、夹取、互连结构制作以及键合等三维集成工艺过程中均有临时载片支撑，有效降低集成工艺中裂片的风险
一种用于半导体集成工艺超薄方法

[发明专利]低温晶片键合的方法-CN200810222336.7有效
发明人：彭红玲;陈良惠;郑婉华;石岩;渠红伟;杨国华;何国荣 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-09-17 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种低温晶片键合的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将单面抛光的Si外延片和InGaAs外延片用有机溶剂清洗，去除表面的有机物，该InGaAs外延片的底层为InP衬底；步骤2：再分别对Si外延片和InGaAs外延片进行表面处理，以去除表面的杂质离子、除碳和亲水性处理；步骤3：将Si外延片和InGaAs外延片进行贴合，贴合后的晶片对置于真空键合机内键合，进行第一次热处理，以驱除键合界面的水气；步骤4：对键合后的晶片进行减薄；步骤5：再对减薄后的晶片进行第二次热处理；步骤6：最后腐蚀掉键合晶片的InP衬底，完成低温晶片键合的制作。
低温晶片方法

[实用新型]一种微流控芯片-CN201521002786.7有效
发明人：周武平;黎海文;蒋克明;张涛;刘聪 -专利权人：中国科学院苏州生物医学工程技术研究所
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种微流控芯片，包括：键合元件、用于此键合元件键合的键合溶液，以及用于辅助键合的键合溶液注入孔、排气孔、辅助键合流道、辅助键合毛细结构。本实用新型采用在微流控芯片两键合表面制作出一种特殊的辅助键合微结构，该微结构形成一系列闭合的回路；在键合时，只有在这种特殊的辅助键合微结构内充满键合溶液；这样，在所有辅助键合微结构处，相邻两块微流控芯片基板都被牢固的键合在一起；而其他位置则不会与键合溶液接触，进而保持原始形貌；由于此键合方法可以采用粘接胶水和键合溶剂等作为键合溶液，因此可以实现高键合强度。
一种微流控芯片

[发明专利]一种Micro-LED的转移基板及其制备方法-CN202010462205.7有效
发明人：翟峰;唐彪 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：通过在键合胶层表面上形成多个键合胶凸起，所述键合胶凸起可形变并用于与Micro‑LED键合连接，分散了由于所述键合胶与翘曲的外延生长基板上的Micro‑LED进行压制键合而产生的内应力，降低了键合胶层受到的应力，使得Micro‑LED与转移基板进行临时键合时，键合胶能够更完整的粘着Micro‑LED，减小由于外延生长基板翘曲导致的临时基板中心与外围的键合胶的粘力差异，使得外延生长基板上的Micro‑LED都能与转移基板上的键合胶键合，消除了键合环现象。
一种 micro led 转移及其制备方法

[发明专利]一种硅片的临时键合方法-CN201210258126.X无效
发明人：郭晓波 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-07-24 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片的临时键合方法，包括步骤如下：1）将需要键合的硅片切割去除一外环，使其直径变小，2）在所述硅片的键合面或/和载片的键合面涂布粘合剂，并对其烘烤，3）将所述硅片和载片进行临时键合，4）将所述硅片背面研磨减薄，5）进行硅片背面工艺，6）将减薄后的硅片从载片上解离。本发明因使用了和硅片直径一样的载片进行键合，使键合后的硅片在其背面进行传统的半导体工艺时，所使用的设备能和键合前的设备兼容，解决了传统键合/解离工艺中因必须使用较硅片直径更大的载片而引起的设备兼容性问题
一种硅片临时方法

[发明专利]一种垂直结构LED芯片的凸点键合结构及工艺-CN201310665416.0有效
发明人：云峰;郭茂峰 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2013-12-10 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直结构LED芯片的凸点键合结构及工艺，凸点键合结构包括外延片、衬底和凸点阵列结构；凸点阵列结构设置于外延片和衬底之间；所述外延片上设有一层金属镀层，所述凸点阵列结构一端与所述金属镀层键合，另一端连接所述衬底；或者，所述衬底上设有一层金属镀层，所述凸点阵列结构一端与所述金属镀层键合，另一端连接所述外延片；凸点阵列结构中填充有丙烯酸类或环氧类树脂。本发明中衬底与外延片键合后形成“占空比结构”键合层，填充键合层后形成稳定键合结构，从而降低外延层与衬底之间的应力。
一种垂直结构 led 芯片凸点键合工艺

[发明专利]晶圆键合滑片的检测方法、装置和电子设备-CN202211089497.X在审
发明人：孙宝;马双义;赵捷 -专利权人：拓荆键科（海宁）半导体设备有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆键合滑片的检测方法、装置和电子设备。其中，该方法包括：获取两片晶圆键合后的图像；基于键合后的图像判断键合设备的卡盘轮廓是否近似于圆形；如果近似于圆形，确定键合后的图像对应的目标椭圆；基于目标椭圆的宽和高的差值判断键合后的晶圆是否出现滑片。该方式中，在获取两片晶圆键合后的图像之后，可以通过圆形拟合和椭圆形拟合的方式，检测键合结果是否出现滑片，实现了自动化晶圆键合检测，可以节约时间和人力成本，提高效率、准确度和安全性，从而有效的避免滑片对设备产生的安全性影响
晶圆键合滑片检测方法装置电子设备

[发明专利]一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法-CN201010595700.1无效
发明人：彭红玲;郑婉华;石岩;马绍栋 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-12-20 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法，包括：清洗单面抛光的GaAs外延片，去除表面的有机物；对该GaAs外延片进行光刻腐蚀，得到带窄条的GaAs外延片；在该GaAs外延片上蒸镀金属层；采用剥离方法去胶，得到一定厚度的金属条；清洗Si外延片，去除表面的有机物；采用H2SO4溶液及RCA1溶液对Si外延片表面进行处理，将清洗干净的Si外延片与GaAs外延片进行贴合，得到贴合后的晶片；将该贴合后的晶片对置于真空键合机内进行键合，并进行热处理，以驱除键合界面的水汽；对键合后的晶片进行减薄，并腐蚀掉键合晶片的GaAs衬底。利用本发明，实现了GaAs与Si的低温金属键合，并可以推广到III-V族与III-V族(或IV族的Si、Ge等材料)的键合。
一种 gaas si 进行低温金属键方法

[发明专利]一种低温圆片键合方法-CN200810047370.5无效
发明人：陈明祥;刘文明;刘胜 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2008-04-18 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种低温圆片键合方法，分别在两圆片的键合区制作焊料层，在其中一圆片的焊料层表面制作活性反应层，将两圆片的键合区对准，向键合区施加挤压力，同时向活性反应层提供一个能量激励，使其发生固相反应产生大量热量，从而熔化焊料层实现两圆片的键合。本发明满足热膨胀系数差较大的同质或异质材料间的键合要求，提高了电子器件的封装效率，同时降低键合过程中产生的热变形、残余热应力对器件性能的影响。
一种低温圆片键合方法

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