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[实用新型]一种DLC膜层的制备设备-CN202021242147.9有效
发明人：张晓岚;谢丑相;王国昌;籍龙占 -专利权人：杭州朗旭新材料科技有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请公开了一种DLC膜层的制备设备，包括设备主体，抽气组件，磁控溅射阴极，基片旋转架，位于设备主体内的等离子体增强化学气相沉积部件，电源接入端头；等离子体增强化学气相沉积部件包括外表面覆盖有导电层且交叉区域为中空状的该设备包括磁控溅射阴极和等离子体增强化学气相沉积部件，结合磁控溅射和等离子体增强化学气相沉积两种工艺制备DLC膜层，实现高速高质量的膜层制备。
一种 dlc 制备设备

[发明专利]一种水蒸气等离子体制氢系统-CN202210417093.2在审
发明人：王永忠 -专利权人：常熟亨通新能源产业研究院有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C25B1/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种水蒸气等离子体制氢系统，包括：蒸汽发生器，所述蒸汽发生器用于制取水蒸气；等离子发生器，所述等离子发生器与蒸汽发生器接通，所述蒸汽发生器制取的水蒸气进入等离子发生器内，水蒸气被电离成含有H+的水蒸气等离子体；电解槽，所述电解槽与等离子发生器接通，所述等离子发生器内生成的水蒸气等离子体进入电解槽内，所述水蒸气等离子体中的H+等离子技术通过消耗极少的电能，将水分子离子化，增强其活性，再结合PEM水电解的质子交换膜系统，大大降低了直流电源的驱动能量、减轻了催化层的催化压力、提高了电流密度，间接提高了制氢效率、降低了制氢电耗
一种水蒸气等离子体制系统

[发明专利]等离子体处理装置及其清洗方法-CN201510982855.3有效
发明人：叶如彬 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体处理装置，包含：反应腔室；所述反应腔室内的顶部设有喷淋头，向反应腔室内引入清洁气体；所述喷淋头处设置有第一电极；所述的反应腔室内的底部设有基座；所述基座处设置有第二电极；移动环，其沿反应腔室的侧壁内侧设置；所述移动环内设置有第三电极，该第三电极上施加有高压电源，在该第三电极的附近区域形成局部DBD等离子体，以对位于第三电极附近的部件，包括移动环的表面进行局部增强的等离子体清洗。本发明还涉及等离子体处理装置的清洗方法。本发明针对移动环进行局部增强的DBD等离子体清洗，完全清除其上沉积的聚合物，有效提高反应腔室的稳定性。
等离子体处理装置及其清洗方法

[发明专利]软磁壳强电磁场增强电感耦合等离子体发生装置-CN201010132922.X无效
发明人：付志强;王成彪;岳文;张伟;彭志坚;于翔 -专利权人：中国地质大学(北京)
申请日： 2010-03-24 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：一种软磁壳强电磁场增强电感耦合等离子体发生装置，主要由射频感应线圈4、带有内环形间隙的软磁壳5、产生约束磁场的激磁铜线圈6、进气管道1、外壳2、工件台3、真空获得系统7、真空测量系统和控制系统等组成，带有内环形间隙的软磁壳5可使产生约束磁场的激磁铜线圈6激磁产生的磁力线集中在软磁壳5内环形间隙附近，等离子体发生器中心区域的磁感应强度显著增强，大大延长带电粒子的运动轨迹，明显增加带电粒子与气体分子的碰撞次数，从而可以在较低的气压下获得高密度的等离子体、提高等离子体密度和改善等离子体的分布。
软磁壳强电磁场增强电感耦合等离子体发生装置

[实用新型]一体化激光诱导增强等离子体光谱采集系统-CN201220456085.0有效
发明人：刘瑞斌 -专利权人：北京宝瑞光电科技有限公司
申请日： 2012-09-10 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种一体化激光诱导增强等离子体光谱采集系统，属于激光等离子体光谱检测领域。一体化激光诱导增强等离子体谱采集系统，包括脉冲激光器、光束提升器、光谱仪、限域环、高压放电电极、ICCD相机、聚焦透镜、样品室、反射镜、可调节的光纤光学接收系统、待测样品、三维电控平移台、成像CCD、气体流量表、气体压力表；本实用新型的一体化激光诱导增强等离子体谱采集系统，利用较小独立密封空间内环境的控制以及同步控制完成不同LIBS信号的收集，实现了一体化，集成了光谱采集，动态图像分析等功能的高压放电增强、环限域同步增强的
一体化激光诱导增强等离子体光谱采集系统

[发明专利]用于膜沉积和表面处理的连续等离子体-CN201980067220.7在审
发明人：阿鲁尔·N·达斯;洪图;郭长鹤;李明 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-10-01 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：公开了设备和方法，其用于：使反应物处理气体流入容纳衬底的处理室中；在所述反应物处理气体的流动期间在所述处理室中于第一功率电平下产生等离子体，从而通过等离子体增强化学气相沉积在所述衬底上沉积材料层；在停止使所述反应物处理气体流入所述处理室时维持所述等离子体，从而在不熄灭所述等离子体的情况下停止沉积；将所述等离子体调整至第二功率电平；使惰性处理气体流入所述处理室中，从而在所述等离子体处于所述第二功率电平时将所述材料层改性；以及在进行所述改性之后将所述等离子体熄灭
用于沉积表面处理连续等离子体

[发明专利]等离子体显微成像系统-CN202310118234.5在审
发明人：袁景和;寇晓龙;方晓红 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明提出了一种等离子体显微成像系统，包括照明装置、金属薄膜组件、样品扫描台、显微成像装置和探测装置。本发明通过涡旋圆偏振光激发金属薄膜上的等离子体，使表面等离子体中心汇聚，获得亚衍射极限的激发光斑，实现超分辨光学成像。本发明的等离子体显微成像系统采用单束光照明，光路简单；通过样品台放置样品，无需金属纳米结构，样品制备简单；并且，该等离子体显微成像系统具有表面等离子增强效应，灵敏度好于一般的光学系统，可达到单分子探测水平；该等离子体显微成像系统对荧光染料和样品没有任何限制，系统可用于荧光信号成像、拉曼信号成像以及其它光学散射信号成像等。
等离子体显微成像系统

[实用新型]一种表面处理机-CN202122068214.0有效
发明人：王磊 -专利权人：北京西门子西伯乐斯电子有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种表面处理机，该表面处理机包括：底座、上料机构、运动机构、等离子喷射装置以及控制器；运动机构和等离子喷射装置分别与控制器电连接；上料机构和等离子喷射装置均固定于底座上；运动机构设置于上料机构和等离子喷射装置之间，以在控制器的控制下将位于上料机构出口的待处理工件运送至等离子喷射装置的喷射区域；等离子喷射装置，在控制器的控制下对喷射区域中的待处理工件进行等离子表面处理。本实用新型实施例，能够增加待处理工件的表面张力，增强待处理工件与胶粘剂之间的粘合强度，且处理效率较高，成本较低。
一种表面处理机

[发明专利]气蚀等离子体水处理装置及方法-CN201510940723.4在审
发明人：李芳;赵赫 -专利权人：李芳;赵赫
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： C02F1/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种气蚀等离子体水处理装置及方法，所述装置包括文丘里管，所述文丘里管包括入口段（1）、收缩段（2）、喉舌段（3）和扩散段（4），所述扩散段（4）内设置有等离子体发生器（5），水体通过文丘里管的入口（6）进入入口段（1），再顺势进入收缩段（2），再进入喉舌段（3），流进扩散段（4），在扩散段（4）内有等离子体发生器（5）对水体及水体中的空泡发生作用，产生水处理效果。本发明一种气蚀等离子体水处理装置及方法，它在气蚀环境中应用等离子体进行水处理，技术构成简单，将气蚀的液体输送不利因素变成了等离子体工作条件，大大增强了等离子体的水处理效果，出现单纯等离子体水处理不可替代的优势
气蚀等离子体水处理装置方法

[发明专利]等离子体增强磁控溅射系统及方法-CN201610458183.0在审
发明人：石永敬;孙建春;原金海;周安若;吴英 -专利权人：重庆科技学院
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体增强磁控溅射系统及方法，该系统包括真空室、非平衡磁控溅射阴极、样品架和等离子体发生器，样品架和非平衡磁控溅射阴极都设置在真空室内，且非平衡磁控溅射阴极位于样品架的上方；等离子体发生器与真空室连通；等离子体发生器用于对注入其内的气体进行等离子体化，并将气体的等离子体输送至真空室内；非平衡磁控溅射阴极用于对气体的等离子体进一步电离，并溅射靶材，产生气源沉积到样品架上的衬底上。通过本发明，可以使单位时间内轰击到样品架上衬底表面的等离子密度增大，由此可以提高薄膜质量；另外可以提高薄膜的致密度并降低沉积薄膜的成本。
等离子体增强磁控溅射系统方法

[发明专利]一种等离子体晶格耦合的超快激光脉冲沉积方法与装置-CN202211505267.7在审
发明人：曾和平;胡梦云;乔蔚 -专利权人：重庆华谱信息技术有限公司;重庆华谱智能装备有限公司;重庆华谱量子科技有限公司;重庆华谱科学仪器有限公司;云南华谱量子材料有限公司;上海朗研光电科技有限公司;广东朗研科技有限公司;华东师范大学重庆研究院;华东师范大学
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明涉及脉冲激光沉积技术领域，公开了一种超快激光脉冲沉积方法与装置，先将一束发射的飞秒脉冲经过分束、时域同步，并耦合形成等离子体光栅或晶格，对靶材料进行一次激发；再令多束脉冲激光先后与等离子体光栅或晶格形成多次耦合本发明使用后脉冲对等离子体光栅或晶格进行耦合，不但提高了等离子体光栅或晶格内的等离子体密度和光功率密度，还通过多级级联再生有效地延长等离子体激发的时间，克服超快脉冲激光激发的等离子体持续时间短的缺陷，增强等离子体激发与消融的效果并显著改善成膜质量以及成膜效率
一种等离子体晶格耦合激光脉冲沉积方法装置

[发明专利]微油纯氧强化等离子点火方法及点火器-CN201210304328.3有效
发明人：郭永浩;黄锏 -专利权人：北京博希格动力技术有限公司
申请日： 2012-08-24 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： F23Q13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微油纯氧强化等离子点火方法，该方法在对锅炉燃煤进行点燃时，首先利用等离子火焰发生器发出等离子火焰，围绕等离子火焰喷射燃油，燃油被等离子火焰热解形成气相混合物，氢气含量高达约90%，该气相混合物被等离子火焰点燃，同时配合纯氧气流助燃，形成的火焰炬较大，增强等离子火焰能量的同时，又节省了燃油。同时也具备较强的低负荷稳燃能力，其低负荷稳燃时节油可达90%以上，甚至仅投运等离子和纯氧即可达到稳燃目的，完全不用投燃油。本发明同时还公开了应用于该方法中的点火器。
微油纯氧强化等离子点火方法点火器

[发明专利]燃烧器-CN201710597532.1有效
发明人：李钢;朱俊强;杜薇;徐纲;卢新根;张燕峰;尹娟;穆勇;刘存喜 -专利权人：中国科学院工程热物理研究所
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： F23R3/00 文献下载
摘要：一种燃烧器，包括：上端板、下端板、至少一个高压电源、n个悬浮板，及分别固定于n个悬浮板的n个等离子体激励器，其中：上端板的中心位置具有一凸出的出口，用于使在上端板和下端板之间流动的流体流出；n个悬浮板沿径向分布于上端板和下端板之间的空间；n个等离子体激励器连接至至少一个高压电源以产生等离子体；所述n为大于等于1的整数。本发明在等离子体激励器接通高压电产生等离子体时，等离子体诱导流动在悬浮板尾缘形成自由射流，这样就消除了壁面附面层对等离子体诱导流动动量的耗散，可以有效增强等离子体激励强度。
燃烧

[发明专利]一种等离子体和光子晶体复合隐身结构-CN202011127557.3有效
发明人：程立;李志刚;陈宗胜;陈蕾蕾;汪家春;吕相银;时家明;赵大鹏 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体和光子晶体复合隐身结构，包括等离子体隐身层及光子晶体隐身薄膜，所述光子晶体隐身薄膜贴敷于等离子体隐身层之上。本发明所述的等离子体和光子晶体复合隐身结构，利用等离子体实现对雷达频段的隐身，利用光子晶体实现对远红外等光波段的隐身，光子晶体薄膜与等离子体层相互兼容，光子晶体薄膜允许雷达波无损透射，同时抑制等离子体的可见光、红外等光波段辐射；相对于传统隐身材料，等离子体层可控可调，工作时可以实现宽频段隐身，非工作状态不影响雷达工作。通过合理设计，该方案可实现远红外、雷达等多波段的兼容隐身，从而增强武器装备的隐身性能，提高其战场生存能力。
一种等离子体光子晶体复合隐身结构

[实用新型]等离子体增强磁控溅射系统-CN201720388897.9有效
发明人：石永敬;孙建春;原金海;周安若;吴英 -专利权人：重庆科技学院
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提供一种等离子体增强磁控溅射系统，该系统包括真空室、非平衡磁控溅射阴极、样品架和等离子体发生器，样品架和非平衡磁控溅射阴极都设置在真空室内，且非平衡磁控溅射阴极位于样品架的上方；等离子体发生器与真空室连通；等离子体发生器用于对注入其内的气体进行等离子体化，并将气体的等离子体输送至真空室内；非平衡磁控溅射阴极用于对气体的等离子体进一步电离，并溅射靶材，产生气源沉积到样品架上的衬底上。通过本实用新型，可以使单位时间内轰击到样品架上衬底表面的等离子密度增大，由此可以提高薄膜质量；另外可以提高薄膜的致密度并降低沉积薄膜的成本。
等离子体增强磁控溅射系统