“等离子刻蚀工艺”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1957819个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种等离子刻蚀工艺的预测与监控方法-CN200710062847.2有效
发明人：张善贵 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2007-01-18 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： G05B19/048 文献下载
摘要：本发明所述的一种等离子刻蚀工艺的预测与监控方法，将待检测的数据样本代入设定的主元回归方程得出等离子刻蚀工艺过程的当前的工艺性能指标；再根据当前的等离子刻蚀工艺过程的工艺性能指标确定是否结束种等离子刻蚀工艺过程能实现工艺进行中Wafer的刻蚀速率以及均匀性的在线监控。
一种等离子刻蚀工艺预测监控方法

[发明专利]减少等离子刻蚀工艺的残留电荷方法-CN200810207334.0无效
发明人：张冬平;左亚军;段晓斌 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种减少等离子刻蚀工艺的残留电荷的方法，属于刻蚀技术领域。在等离子刻过程结束以后，以平均速率不大于500W/S的下降速率关断等离子刻蚀。该方法具有等离子刻蚀关断速度慢的特点，因此晶圆能随着慢慢关断的等离子体而转移残留电荷，达到减少等离子刻蚀工艺的残留电荷的目的，进一步避免离子损伤导致的可靠性问题。
减少等离子刻蚀工艺残留电荷方法

[发明专利]超深孔等离子刻蚀工艺后关键尺寸一致性的控制方法-CN201310522892.7有效
发明人：刘国勇;李斌生;张英男;丁超;钟鑫生 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-10-29 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种超深孔等离子刻蚀工艺后关键尺寸一致性的控制方法，所述超深孔等离子刻蚀工艺后关键尺寸一致性的控制方法包括：在超深孔等离子刻蚀工艺之后的反应腔室中通入混合气体，所述混合气体包括：氮气、氢气及含氟气体；对通入混合气体的反应腔室执行等离子体工艺。通过在超深孔等离子刻蚀工艺之后的反应腔室中通入混合气体，所述混合气体包括：氮气、氢气及含氟气体；对通入混合气体的反应腔室执行等离子体工艺，使得积聚在反应腔室壁上的金属铜层被清除。从而避免/减轻了在超深孔等离子刻蚀工艺之后的氧化层刻蚀速率漂移的问题，提高了超深孔等离子刻蚀量产工艺关键尺寸一致性，以及所形成的集成电路器件的一致性。
超深孔等离子刻蚀工艺关键尺寸一致性控制方法

[发明专利]一种减小等离子损伤的刻蚀工艺-CN200510126287.3有效
发明人：孙静 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2005-12-02 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种减小等离子损伤的刻蚀工艺，它在主刻蚀1和主刻蚀2步骤之间增加非反应气体的等离子过程。本发明所述的刻蚀工艺能释放积累的电荷，有效减少等离子损伤。
一种减小等离子损伤刻蚀工艺

[发明专利]一种改善刻蚀关键尺寸稳定性的方法-CN201710471711.0在审
发明人：聂钰节;昂开渠;江旻;唐在峰;任昱 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善刻蚀关键尺寸稳定性的方法，包括如下步骤提供晶圆，并进行等离子体刻蚀；采集刻蚀工艺过程中的实际等离子体发射光谱曲线；将采集到的实际等离子体发射光谱曲线与一标准曲线进行比对，判断分析等离子体刻蚀腔体的漂移情况；参考实际等离子体发射光谱曲线相对于所述标准曲线的漂移情况，分析并调整刻蚀程式的工艺参数；按照调整过的工艺参数对后续批次的晶圆进行刻蚀。本发明通过对比分析实际采集到的等离子体发射光谱曲线与标准曲线以判断刻蚀环境的漂移情况，并据此调节补偿刻蚀程式的工艺参数，再进行后续晶圆的刻蚀作业，避免了因刻蚀环境漂移带来的刻蚀关键尺寸的偏移，提高了刻蚀工艺关键尺寸的稳定性
一种改善刻蚀关键尺寸稳定性方法

[发明专利]等离子体硅刻蚀方法以及半导体器件-CN201810505007.7有效
发明人：陈国动;姚立明 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本公开提供一种等离子体硅刻蚀方法以及半导体器件。其中等离子体刻蚀方法包括以电感耦合的方式激励工艺气体产生等离子体，在脉冲波射频电源的作用下所述等离子体对所述硅基体进行刻蚀，其中，所述工艺气体包括CHF3。本公开的刻蚀方法通过使用含CHF3的工艺气体结合脉冲等离子体进行硅刻蚀，不仅可以有效的降低硅刻蚀工艺中的深度微负载效应，还能够实现深度微负载效应的消除甚至反转。
等离子体刻蚀方法以及半导体器件

[发明专利]等离子体刻蚀的终点监测方法-CN200710094531.1有效
发明人：刘乒;张世谋;杜珊珊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种等离子体刻蚀的终点监测方法，在进行等离子体刻蚀的反应室内壁形成刻蚀交换层；在反应室内通入刻蚀剂对被刻蚀膜层进行等离子刻蚀，刻蚀交换层中包含所述刻蚀剂中包含的元素；监测反应室内被刻蚀膜层的OES曲线，当所述被刻蚀膜层的OES曲线的斜率为0时，即为刻蚀终点。这种终点判断方法可以准确的控制等离子体刻蚀的刻蚀终点，适合65nm及其以下半导体制作工艺中对于等离子体刻蚀工艺刻蚀终点的精确控制。
等离子体刻蚀终点监测方法

[发明专利]间接式等离子体大腔体刻蚀的结构及其制备工艺-CN202111444829.7在审
发明人：刘胜;孙亚萌;王诗兆;东芳;薛良豪;李瑞 -专利权人：武汉大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种间接式等离子体大腔体刻蚀的结构及其制备工艺，其结构包括腔体晶圆、键合晶圆和芯片；该间接式等离子体大腔体刻蚀的结构制备工艺包括前处理工艺、等离子体深硅刻蚀工艺以及键合工艺。本发明完美解决了深硅刻蚀过程中单腔体刻蚀时间长，刻蚀形成的腔体底面粗糙度大的技术问题；提出的间接式等离子体大腔体刻蚀的结构及其制备工艺易于实现自动化操作，工艺稳定，适合具有高深宽比的多腔体刻蚀，并且适于大规模批量生产的应用场景
间接等离子体大腔体刻蚀结构及其制备工艺

[发明专利]一种等离子体刻蚀工艺的终点检测方法-CN200510002965.5有效
发明人：许仕龙 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2005-01-27 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明所述的一种等离子体刻蚀工艺的终点检测方法，首先、基于等离子体刻蚀工艺过程中状态变迁情况建立马尔可夫模型；其次、在进行等离子体刻蚀过程中，获得相应的状态变迁图谱；最后、将状态变迁图谱与马尔可夫模型比较，确定刻蚀工艺的终点。可以准确可靠的找到刻蚀终点，控制刻蚀过程，提高刻蚀质量。
一种等离子体刻蚀工艺终点检测方法

[发明专利]一种干法去除硅化物形成过程中多余金属的方法-CN02112151.6无效
发明人：胡恒升 -专利权人：上海华虹（集团）有限公司
申请日： 2002-06-20 - 公布日： 2003-02-12 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在先进的集成电路制造工艺中，通常使用硅化物工艺降低晶体管的源漏区域和多晶硅电极的电阻。硅化物形成过程中会产生多余金属。本发明采用等离子体干法刻蚀的方法去除残留金属，包括采用各向同性等离子体刻蚀，和采用各向异性等离子体刻蚀，使用等离子体干法刻蚀工艺大大缩短了硅片处理时间，提高了产能。
一种去除硅化物形成过程多余金属方法

[发明专利]用于测量等离子体刻蚀工艺的工艺参数的方法和装置-CN200880007160.1无效
发明人： S·丹尼尔斯;S·格林;F·索伯罗恩;M·迪帕卡 -专利权人：雷克萨斯研究有限公司
申请日： 2008-01-31 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了用于测量等离子体刻蚀工艺的工艺参数的方法和装置。一种用于检测在半导体晶片上进行的等离子体刻蚀工艺的至少一个工艺参数的方法。该方法包括以下步骤：检测在刻蚀工艺期间由等离子体产生的光；过滤所检测的光以提取调制光；以及处理所检测的调制光以确定刻蚀工艺的至少一个工艺参数。
用于测量等离子体刻蚀工艺参数方法装置

[发明专利]原子层刻蚀设备及刻蚀方法-CN201910982819.5有效
发明人：赵晓丽 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种原子层刻蚀设备及刻蚀方法。该原子层刻蚀设备包括：工艺腔室、上射频组件及辅助等离子体产生装置；上射频组件用于向工艺腔室内施加射频功率，以将进入所述工艺腔室内的工艺气体激发为等离子体；辅助等离子体产生装置用于向工艺腔室内输送电子，以使等离子体稳定在感性耦合放电模式本申请实施例实现了工艺腔室可以快速进入感性耦合放电模式，缩减了等离子体进入感性耦合放电模式时间，缩减原子层每个操作周期时间，从而提高原子层刻蚀效率以及工艺良率。
原子刻蚀设备方法

[发明专利]一种无定形碳硬掩模的等离子体刻蚀方法-CN201110133617.7无效
发明人：李全波 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-05-23 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明公开了一种无定形碳硬掩模的等离子体刻蚀方法，其中，将NH3、H2混合气体作为等离子体源，对不定型硬掩模进行等离子体刻蚀。本发明无定形碳硬掩模的等离子体刻蚀方法解决了现有技术中等立体刻蚀无定形硬掩模的过程中所使用的等离子体选择比损失大，形貌较差，且刻蚀工艺窗口较小的问题，通过使用无定形碳选择比很高的NH3和H2进行等离子体刻蚀，从而能够在足够高选择比的情况下刻蚀出良好形貌，同时能够扩大工艺窗口。
一种无定形碳硬掩模等离子体刻蚀方法

[发明专利]使用沉积工艺和刻蚀工艺的工件处理-CN202080004346.2在审
发明人：王善禹;C·闫;仲華;杨晓晅;宋采文;张祺 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：提供了一种用于对工件进行刻蚀去除工艺的装置，系统和方法。该方法可包括使用等离子体源在等离子体腔室中由沉积工艺气体产生等离子体，以在高纵横比结构的某些层上沉积钝化层。该方法可包括使用等离子体源在等离子体腔室中由刻蚀工艺气体产生等离子体，以从高纵横比结构中去除某些层。该方法可包括以比高纵横比结构上的二氧化硅层更快的刻蚀速率去除氮化硅层。
使用沉积工艺刻蚀工件处理

[发明专利]使用沉积工艺和刻蚀工艺的工件处理-CN202310102290.X在审
发明人：王善禹;C·闫;仲華;杨晓晅;宋采文;张祺 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：提供了一种用于对工件进行刻蚀去除工艺的装置，系统和方法。该方法可包括使用等离子体源在等离子体腔室中由沉积工艺气体产生等离子体，以在高纵横比结构的某些层上沉积钝化层。该方法可包括使用等离子体源在等离子体腔室中由刻蚀工艺气体产生等离子体，以从高纵横比结构中去除某些层。该方法可包括以比高纵横比结构上的二氧化硅层更快的刻蚀速率去除氮化硅层。
使用沉积工艺刻蚀工件处理

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条