“等离子体气体”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5749123个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]等离子体发生装置和等离子体头冷却方法-CN201880096922.3有效
发明人：泷川慎二;丹羽伦子;神藤高广 -专利权人：株式会社富士
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H05H1/28 文献下载
摘要：等离子体发生装置具备：等离子体头，放出被等离子体化的等离子体气体；气体供给装置，将成为等离子体气体的气体供给至等离子体头；一对电极，设置于等离子体头，对从气体供给装置供给的气体的一部分进行放电而成为等离子体气体；温度传感器，设置于等离子体头，对等离子体头的温度进行计测；及控制装置，控制装置执行如下冷却处理：在使一对电极的放电停止之后，使气体供给装置持续供给气体来进行等离子体头的冷却，直至温度传感器计测到预定值以下的温度为止
等离子体发生装置冷却方法

[发明专利]基板处理装置的运行方法-CN201080039989.7有效
发明人：小风丰;植田昌久;吉田善明 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-09-03 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供通过稳定生成等离子体、可抑制颗粒发生的基板处理装置的运行方法。在进行了真空排气的真空槽内配置基板后，首先向真空槽内供给稀有气体，对等离子体发生装置施加电压以生成稀有气体的等离子体。接着，向真空槽内供给反应气体、使反应气体与稀有气体的等离子体接触以生成反应气体的等离子体。使该反应气体的等离子体与基板接触而对基板进行处理。利用等离子体生成装置，通过不对反应气体进行等离子体化、而是首先对稀有气体进行等离子体化，从而稳定地生成等离子体、抑制颗粒的发生。
处理装置运行方法

[发明专利]抑制等离子体不稳定的方法-CN200610025490.6有效
发明人：吴汉明;高大为 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-04-06 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：一种抑制等离子体不稳定的方法，包括以下步骤：通过在供应至等离子体发生装置的包含负电性等离子体气体的原料气体中加入正电性等离子体气体，使得所述等离子体发生装置中产生的等离子体的电子密度增加，其中正电性等离子体气体的加入量使得所述产生的等离子体稳定
抑制等离子体不稳定方法

[发明专利]等离子体温度控制装置和等离子体温度控制方法-CN200980138949.5有效
发明人：冲野晃俊;宫原秀一 -专利权人：冲野晃俊;宫原秀一
申请日： 2009-09-03 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供等离子体温度控制装置和等离子体温度控制方法，其中，可形成室温以下，特别是零度以下的等离子体，并且在低温至高温的较宽的温度范围内，能够更正确地控制等离子体温度。该装置包括使等离子体用气体变为等离子体的等离子体产生部(40)；等离子体用气体温度控制部(30)，其控制供给等离子体产生部(40)的等离子体用气体的温度，控制等离子体用气体的温度，控制在等离子体产生部(40)中产生的等离子体的温度。
等离子体温度控制装置方法

[发明专利]原子态等离子体形成装置及其应用-CN201910189788.8在审
发明人：刘新宇;尤楠楠;王盛凯;白云 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种原子态等离子体形成装置及其应用。该装置包括：微波等离子体反应单元，用于通过微波能量耦合待激发气体以激发产生等离子体火球；气压控制单元，与微波等离子体反应单元连通，用于向微波等离子体反应单元中输送待激发气体；原子态控制单元，分别与微波等离子体反应单元以及气压控制单元连通，用于对等离子体火球产生气体扰动以调控原子态等离子体与分子态等离子体的激发比例。该装置借助气体扰动，使等离子体维持在初期的原子态，实现了对原子态等离子体与分子态等离子体激发比例的调控；并且，该装置若不启动气体扰动，在等离子体起辉后，反应腔内将维持分子态等离子的激发，从而实现分子态等离子和原子态等离子的调控激发
原子态等离子体微波等离子体反应单元分子态气体扰动等离子等离子体形成装置等离子体火球气压控制单元激发激发气体连通调控等离子体激发等离子体起辉微波能量耦合反应腔应用

[发明专利]一种等离子体理疗仪及其理疗方法-CN202110923014.0在审
发明人：杨武保 -专利权人：安世亚太科技股份有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： A61N1/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体理疗仪，所述等离子体理疗仪包括等离子体发生装置、工作气体输入装置、液态活性物质雾化装置、理疗喷头；所述工作气体输入装置包括气源、气体流量控制器；所述等离子体发生装置包括放电电源、放电电极、所述放电电极之间形成的等离子体区，所述等离子体区分别与所述气源和等离子体气体管路连接；所述液态活性物质雾化装置与所述等离子体气体管路连接；所述理疗喷头与所述等离子体气体管路相连。本发明还公开了一种等离子体理疗仪的方法，通过等离子体的轰击、刻蚀、注入、活化等作用，等离子体理疗仪有望获得较传统理疗仪更佳的理疗效果。
一种等离子体理疗仪及其理疗方法

[发明专利]在蚀刻期间利用光谱使RF切换与气体切换同步-CN201280027855.2有效
发明人：许青;卡梅利娅·鲁苏;布赖恩·K·麦克米林;亚历山大·M·帕特森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2012-05-30 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了用于在等离子体处理腔室中将特征蚀刻到蚀刻层中的方法。提供了光定时沉积阶段，其包括：提供沉积阶段气体流；检测所述等离子体处理腔室内沉积气体的存在；提供由所述等离子体处理腔室中的沉积阶段气体形成等离子体的RF能；以及停止所述沉积气体流入等离子体处理腔室。提供了光定时蚀刻阶段，包括：提供蚀刻气体流；检测等离子体处理腔室内蚀刻气体的存在；提供用于由等离子体处理腔室中的蚀刻气体形成等离子体的RF能；以及停止蚀刻气体流入等离子体处理腔室。
蚀刻期间利用光谱 rf 切换气体同步

[发明专利]尘埃等离子体生成系统-CN201910348396.1有效
发明人：李海龙;龙俊凯;王茂琰;王彬;殷勇;蒙林;袁学松 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H05H1/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种尘埃等离子体生成系统，属于尘埃等离子体领域。该尘埃等离子体生成系统包括尘埃等离子体射流装置；尘埃等离子体射流装置分别与用于将其内部气体喷射至尘埃等离子体射流装置的气体装置、用于电离进入尘埃等离子体射流装置内的气体的电离装置、用于将其内部尘埃喷出与流经尘埃等离子体射流装置的电离后的气体混合而形成尘埃等离子体的尘埃装置及用于对尘埃等离子体进行电子密度检测的密度检测装置连接；气体装置、电离装置、尘埃装置和密度检测装置分别与控制装置连接。
尘埃等离子体生成系统

[发明专利]等离子体产生系统-CN201780089052.2有效
发明人：神藤高广;池户俊之 -专利权人：株式会社富士
申请日： 2017-04-04 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：本发明提供能够更准确地计测出向被处理体照射的等离子体气体的实际温度的等离子体产生系统。等离子体产生系统具备：照射头，向设于反应室的电极供给电力而产生使处理气体等离子体化的等离子体气体，并将产生的等离子体气体向被处理体照射；及温度传感器，检测等离子体气体的温度，并输出与检测出的温度对应的检测信号温度传感器配置在从照射头的照射等离子体气体的照射口离开的位置，并由照射头照射等离子体气体。照射头构成为能够在被处理体与温度传感器之间移动。
等离子体产生系统

[发明专利]一种针对氟基等离子体刻蚀后的氮化钛薄膜的处理方法-CN201110138127.6有效
发明人：李程;杨渝书;陈玉文;邱慈云 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-05-26 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明一种针对氟基等离子体刻蚀后的氮化钛薄膜的处理方法，其中，包括如下步骤：用第一等离子体对覆盖在半导体器件上的氮化钛薄膜进行处理，将扩散于所述氮化钛薄膜内部的氟离子脱离；用第二等离子体对所述氮化钛薄膜进行处理所述第一等离子体为H2气体的等离子体；所述第二等离子体为CH4气体的等离子体。所述H2气体的等离子体可用H2+N2气体的等离子体代替，所述CH4气体的等离子体可用CH4+N2气体的等离子体代替。本发明通过使用特定气体或气体组合的等离子体，对氮化钛薄膜进行脱氟和钝化，使得氮化钛薄膜表面颗粒增加的现象得到明显控制。
一种针对等离子体刻蚀氮化薄膜处理方法

[发明专利]一种变温大气压等离子体产生装置-CN202210834196.9在审
发明人：石富坤;庄杰;朱凯 -专利权人：中国科学院苏州生物医学工程技术研究所
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种变温大气压等离子体产生装置，属于等离子体领域，包括等离子体用气源、等离子体产生部以及气体温度调节部，气体温度调节部包括涡流管，涡流管与等离子体用气源以及等离子体产生部连接，等离子体用气源向涡流管供气，涡流管调节气体温度使等离子体产生部产生确定温度的等离子体，本申请的变温大气压等离子体产生装置通过气流的气压使涡流管调节气体温度，使等离子体产生部产生确定温度的等离子体，无需外部能量源进行加热或制冷，使变温大气压等离子体产生装置整体结构简单，并且能耗小，使变温大气压等离子体产生装置能够产生不同温度的等离子体，适用不同场合，增强变温大气压等离子体产生装置的适用性。
一种大气压等离子体产生装置

[发明专利]一种多功能原位微波等离子体发生装置及其应用-CN202211088849.X在审
发明人：肖舒宁;赵秀文;孙友坤;霍梦佳;何承鹏 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种多功能原位微波等离子体发生装置及其应用，包括微波等离子体发生单元、微波等离子体参数监控单元以及气体单元，其中微波等离子体发生单元包括磁控管、炉腔、气体腔内通道、反应腔、陶瓷基座和等离子体发生器，用于产生原位微波等离子体并提供反应场所；微波等离子体参数监控单元包括红外测温仪、单片机和光敏电阻，用于监控反应腔内温度和等离子体放电强度；气体单元包括气体导入口和气体导出口，用于气体的输入与排放。与现有技术相比，本发明通过对等离子体强度实时监测，并且等离子体发生器的数量、位置可调节，实现原位微波等离子体可调控目的。该装置用于固相污染物、气相污染物处理等领域，扩大微波等离子体应用范围。
一种多功能原位微波等离子体发生装置及其应用

[发明专利]等离子体接力装置-CN200810236906.8有效
发明人：熊青;卢新培;熊紫兰;邹菲 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H05H1/30 文献下载
摘要：等离子体接力装置，属于等离子体发生装置，解决现有等离子体发生装置强度、温度调节范围过窄，工作气体单一的问题；本发明等离子体射流源的等离子体喷出口处安装有1个或多个管状介质容器，各介质容器的气体输入口与等离子体射流源的工作气体源或者多个单独工作气体源相连通；等离子体射流源喷出的等离子体射流与第一个介质容器表面接触；各介质容器等离子体喷出口喷出的等离子体射流与下一个介质容器表面接触，最后一个介质容器等离子体喷出口输出工作等离子体射流。本发明产生强度、温度均可变化的富含活性成份的等离子体射流，特别是常压下产生接近室温的等离子体射流，同时人体可以与之安全的相接触，并适用于多种气体放电。
等离子体接力装置

[发明专利]具有辅助反应室的等离子体室-CN202280019113.9在审
发明人： G·S·莱纳德三世;S·A·麦克勒兰德;J·J·雷哈根;具宰模 -专利权人：雷卡邦股份有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B01J19/12 文献下载
摘要：一种等离子体反应系统，包括等离子体室和辅助反应室。等离子体室包括用于将反应气体引入等离子体室的等离子体室入口、形成内部空间的等离子体室壁、在等离子体室内产生的等离子体、用于将能量导向在等离子体室内产生的等离子体的波导件、以及用于从等离子体室运送第一出口气体的等离子体室出口，其中反应气体之间的化学反应可以在该内部空间中发生。辅助反应室包括配置成从等离子体室获得第一出口气体的辅助反应室入口、形成辅助反应室的内部空间的辅助反应室壁、以及用于从辅助反应室运送第二出口气体的辅助反应室出口，其中出口气体之间的第二化学反应可以在该内部空间中发生
具有辅助反应等离子体

[发明专利]等离子体处理方法-CN201380039947.7有效
发明人：原田彰俊 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-08-07 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本实施方式的等离子体处理方法，首先实施对等离子体处理空间供给第一含氟气体，使用第一含氟气体的等离子体对被处理基板进行蚀刻的蚀刻工序(S101)。接着，等离子体处理方法实施对等离子体处理空间供给O2气体，使用O2气体的等离子体除去蚀刻工序之后附着在表面与等离子体处理空间相对地配置的部件上的含碳物的含碳物除去工序(S102)。接着，等离子体处理方法实施对等离子体处理空间供给含氮气体和第二含氟气体，使用含氮气体和第二含氟气体的等离子体除去蚀刻工序之后附着在部件上的含钛物的含钛物除去工序(S103)。
等离子体处理方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条