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[发明专利]电化学储氢电极和电池-CN201680025955.X有效
发明人： K·扬;T·孟;M·A·费岑科 -专利权人：巴斯夫公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：基于第IV族元素的储氢负极，例如基于硅和/或碳的储氢负极对氢化物电化学电池中的可逆充/放氢气非常有效。
电化学电极电池

[发明专利]量子点发光装置-CN201780064920.1有效
发明人： A·N·索科洛夫;B·古德费洛;R·D·格里格;L·P·斯潘塞;J·W·克雷默;D·D·德沃尔;S·穆霍帕德亚;P·特雷夫纳斯三世 -专利权人：陶氏环球技术有限责任公司;罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供一种量子点发光二极管，其包括：i)至少一个由选自由以下组成的群组的半导体材料制得的半导体纳米粒子的发射层：第II‑VI族化合物、第II‑V族化合物、第III‑VI族化合物、第III‑V族化合物、第IV‑VI族化合物、第I‑III‑VI族化合物、第II‑IV‑VI族化合物、第II‑IV‑V族化合物或其任何组合；和ii)用于空穴注入层或空穴传输层的聚合物，其包括一个或多个具有结构(S1)的三芳基铵自由基阳离子
量子发光装置

[发明专利]用于形成n-型氧化物半导体膜的涂布液、n-型氧化物半导体膜制造方法和场效应晶体管制造方法-CN201680053386.X有效
发明人：植田尚之;中村有希;安部由希子;松本真二;曾根雄司;早乙女辽一;新江定宪;草柳岭秀 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2016-09-09 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：用于形成n‑型氧化物半导体膜的涂布液，所述涂布液包括：A组元素，其为选自如下的至少一种：Sc、Y、Ln、B、Al、和Ga；B组元素，其为如下的至少一种：In和Tl；C组元素，其为选自如下的至少一种：第4族元素、第5族元素、第6族元素、第7族元素、第8族元素、第9族元素、第10族元素、第14族元素、第15族元素、和第16族元素；和溶剂。
用于形成氧化物半导体涂布液制造方法场效应晶体管

[发明专利]氧氮化物荧光体及其制造方法以及使用该氧氮化物荧光体的发光装置-CN200710101093.7有效
发明人：玉置宽人;高岛优;龟岛正敏;内藤隆宏 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2003-10-15 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： C09K11/67 文献下载
摘要：本发明提供一种荧光体，该荧光体通过氧氮化物荧光体，被紫外到可见光区域的激发光源所激发，在蓝绿色系至黄色系具有发光色，所述氧氮化物荧光体由含有从由Be、Mg、Ca、Sr、Ba及Zn组成的群组中选择的至少1种以上的第II族元素、和从由C、Si、Ge、Sn、Ti、Zr及Hf组成的群组中选择的至少1种以上的第IV族元素、和作为激活剂R的稀土元素的结晶构成。
氮化物荧光及其制造方法以及使用发光装置

[发明专利]氧氮化物荧光体及其制造方法以及使用该氧氮化物荧光体的发光装置-CN200710101094.1有效
发明人：玉置宽人;高岛优;龟岛正敏;内藤隆宏 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2003-10-15 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： C09K11/78 文献下载
摘要：本发明提供一种荧光体，该荧光体通过氧氮化物荧光体，被紫外到可见光区域的激发光源所激发，在蓝绿色系至黄色系具有发光色，所述氧氮化物荧光体由含有从由Be、Mg、Ca、Sr、Ba及Zn组成的群组中选择的至少1种以上的第II族元素、和从由C、Si、Ge、Sn、Ti、Zr及Hf组成的群组中选择的至少1种以上的第IV族元素、和作为激活剂R的稀土元素的结晶构成。
氮化物荧光及其制造方法以及使用发光装置

[发明专利]氧氮化物荧光体及其制造方法以及使用该氧氮化物荧光体的发光装置-CN200710101074.4有效
发明人：玉置宽人;高岛优;龟岛正敏;内藤隆宏 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2003-10-15 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： C09K11/78 文献下载
摘要：本发明提供一种荧光体，该荧光体通过氧氮化物荧光体，被紫外到可见光区域的激发光源所激发，在蓝绿色系至黄色系具有发光色，所述氧氮化物荧光体由含有从由Be、Mg、Ca、Sr、Ba及Zn组成的群组中选择的至少1种以上的第II族元素、和从由C、Si、Ge、Sn、Ti、Zr及Hf组成的群组中选择的至少1种以上的第IV族元素、和作为激活剂R的稀土元素的结晶构成。
氮化物荧光及其制造方法以及使用发光装置

[发明专利]氧氮化物荧光体及其制造方法以及使用该氧氮化物荧光体的发光装置-CN200380101648.8有效
发明人：玉置宽人;高岛优;龟岛正敏;内藤隆宏 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2003-10-15 - 公布日： 2005-12-07 - 主分类号： C09K11/59 文献下载
摘要：本发明提供一种荧光体，该荧光体通过氧氮化物荧光体，被紫外到可见光区域的激发光源所激发，在蓝绿色系至黄色系具有发光色，所述氧氮化物荧光体由含有从由Be、Mg、Ca、Sr、Ba及Zn组成的群组中选择的至少1种以上的第II族元素、和从由C、Si、Ge、Sn、Ti、Zr及Hf组成的群组中选择的至少1种以上的第IV族元素、和作为激活剂R的稀土元素的结晶构成。
氮化物荧光及其制造方法以及使用发光装置

[发明专利]第Ⅳ族衬底表面上的氮化物半导体元件层结构-CN200880022501.2无效
发明人：阿明·达德加;阿洛伊斯·克罗斯特 -专利权人：阿祖罗半导体股份公司
申请日： 2008-04-28 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及具有第III族氮化物层结构的氮化物半导体元件，该层结构外延沉积在具有第IV族衬底表面的衬底上，该第IV族衬底表面由具有立方晶体结构的第IV族衬底材料制成。当不考虑任何表面重构时，该第IV族衬底表面的单元晶格具有C2对称，但不具有比C2对称更高的旋转对称。该第III族氮化物层结构在直接邻接该第IV族衬底表面处具有由三元或四元的Al_1-x-yIn_xGa_yN构成的籽晶层，其中0≤x，y＜1并且
衬底表面上氮化物半导体元件结构

[发明专利]液体电解质组合物和含有该组合物的锂电池-CN02105776.1有效
发明人：卢权善;任铜俊;李存夏 -专利权人：株式会社SKC
申请日： 2002-04-17 - 公布日： 2002-12-18 - 主分类号： H01B1/10 文献下载
摘要：一种液体电解质组合物,其包含第IV族元素的硫化物、有机溶剂和锂盐,该组合物是适用于制备具有改进的平均电压、循环寿命和容量性能的锂电池。
液体电解质组合含有锂电池

[发明专利]通过改进电子态密度的热电优值提高-CN200980107912.6无效
发明人： J·哈里曼斯;V·杰弗维奇 -专利权人：俄亥俄州立大学研究基金会
申请日： 2009-01-13 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：热电材料包括至少一种IV族元素和至少一种VI族元素的掺杂化合物。化合物掺杂有选自下述的至少一种掺杂剂：至少一种IIa族元素、至少一种IIb族元素、至少一种IIIa族元素、至少一种IIIb族元素、至少一种镧系元素、和铬。至少一种IV族元素位于第一亚晶格位置上，而至少一种VI族元素位于第二亚晶格位置上，并且至少一种IV族元素占第一亚晶格位置的至少95％。化合物在高于500K的温度下具有大于0.7的峰值热电优值ZT值。
通过改进电子密度热电提高

[发明专利]非球形半导体纳米晶体及其制备方法-CN200680052984.1无效
发明人： K·－T·雍;Y·萨霍;M·斯维哈特;P·普拉萨德 -专利权人：纽约州州立大学研究基金会
申请日： 2006-12-21 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：此方法包括，提供包含第一前体化合物、溶剂和表面活性剂的反应混合物，其中所述第一前体化合物具有第II族或第IV族元素；并且使反应混合物与纯贵金属纳米颗粒晶种接触。将反应混合物加热。在有效产生非球形半导体纳米晶体的条件下，将具有第VI族元素的第二前体化合物加入到加热的反应混合物。本发明也公开非球形半导体纳米晶体及由以上方法制备的纳米晶体群。
球形半导体纳米晶体及其制备方法

[发明专利]芳族多胺混合物的制备方法-CN200410001451.3无效
发明人： R·贝克;K·艾勒;H－W·朗根希番;M·海希 -专利权人：巴斯福股份公司
申请日： 1998-02-20 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： C07C211/50 文献下载
摘要：一种制备芳族多胺混合物的方法，该混合物含有化学式(I)所示的化合物H₂N－A－CH₂－B－NH₂(I)，其中A与B为1，4－亚苯基，各自独立地带有1－4个选自C_1－20烷基和卤素的取代基，使化学式(IV)的化合物H－A－NH－CH₂－NH－B－H(IV)及/或化学式(V)的化合物反应H－A－NH－CH₂－B－NH₂(V)，其中A与B为如上所取代，反应在20℃至200℃、在一种催化剂存在下进行，该催化剂由元素周期表第3族至第10族元素的一种或多种氧化物制成，且它可被酸活化
芳族多胺混合物制备方法

[发明专利]芳族多胺混合物的制备方法-CN98803393.3无效
发明人： R·贝克;K·艾勒;H－W·朗根希番;M·海希 -专利权人：巴斯福股份公司
申请日： 1998-02-20 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： C07C209/68 文献下载
摘要：一种制备芳族多胺混合物的方法，该混合物含有化学式(I)所示的化合物H₂N-A-CH₂-B-NH₂ (I)其中A与B为1，4-亚苯基，各自独立地带有1-4个选自C_1-20烷基和卤素的取代基，使化学式(IV)的化合物H-A-NH-CH₂-NH-B-H (IV)及/或化学式(V)的化合物反应H-A-NH-CH₂-B-NH₂ (V)其中A与B为如上所取代，反应在20℃至200℃、在一种催化剂存在下进行，该催化剂由元素周期表第3族至第10族元素的一种或多种氧化物制成
芳族多胺混合物制备方法

[发明专利]低温钛硬化-CN202080059540.0在审
发明人：托马斯·伦丁·克里斯蒂安森;莫滕·斯滕达尔·耶勒森;马塞尔·A·J·萨默斯;安德烈亚斯·弗雷德里克·基尔斯霍尔姆·科克尔 -专利权人：丹麦技术大学
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C23C8/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种对第IV族金属进行氧硬化的方法，该方法包括以下步骤：提供呈其最终形状的第IV族金属的工件；使用具有高达800℃的温度上限的气态氧化物质在第一温度下在氧化气氛中在至少10分钟的氧化持续时间内将该第IV族金属氧化以在该工件的表面上提供非分层第IV族金属氧化物，其中该第一温度在500℃和该气态氧化物质的该温度上限的范围内；在惰性气氛中，在500℃至800℃范围内的第二温度下和在高达10‑4毫巴的该气态氧化物质的分压下，在至少0.1小时的扩散持续时间内，使该非分层第IV族金属氧化物中的氧扩散到该第IV族金属中，以提供包含固溶体中的氧的表层扩散区。在另一方面，本发明涉及一种第IV族金属部件，其包括材料芯，该材料芯具有芯硬度和至少为该芯硬度+200HV0.025的表面硬度。该部件在本发明的方法中可获得。
低温硬化

[发明专利]一种基于金属预合金化的高熵陶瓷材料及其制备方法-CN202210336920.5有效
发明人：祖宇飞;田洪亮;王梓;刘应军;李丹丹;代吉祥;沙建军;陈国清 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C04B35/56 文献下载
摘要：以第IV副族、第V副族或第VI副族的金属作为高熵陶瓷材料的金属元素，先通过球磨法将金属元素进行合金化形成单一BCC结构的多主元固溶体，再向多主元固溶体中添加非金属元素，利用热压烧结或放电等离子烧结使非金属元素与多主元固溶体发生反应生成高熵陶瓷材料
一种基于金属合金陶瓷材料及其制备方法