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[发明专利]可再充电锂电池用的负极及其制造方法和可再充电锂电池-CN201010539003.4有效
发明人：成旻锡;郑求轸;李相旻;沈揆允;姜龙默;金性洙 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2010-11-03 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：在所述合金中，X选自由碱金属、碱土金属、第13族元素、第14族元素、第15族元素、第16族元素、除Cu以外的过渡元素、稀土元素和它们的组合组成的组中，且X不为Ti。
充电锂电池负极及其制造方法

[发明专利]涂布液、太阳能电池用光吸收层及太阳能电池、及它们的制造方法-CN201510511537.9有效
发明人：饭田启之 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2015-08-19 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明的涂布液是太阳能电池的光吸收层的形成中所用的涂布液，将选自第11族金属、第12族金属、第13族金属、第14族金属、第15族元素、第11族金属化合物、第12族金属化合物、第13族金属化合物、第14族金属化合物及含有第15族元素的化合物中的至少1种的单体或化合物在水的存在下溶解于溶媒中而得到反应液，向所述反应液中添加3质量％以上的选自烷撑二醇烷基醚、烷撑二醇烷基醚乙酸酯及烷撑二醇二乙酸酯中的至少1种的添加剂而成。
涂布液太阳能电池用光吸收它们制造方法

[发明专利]烧结体、粉末以及粉末制造方法-CN201980046646.4在审
发明人：石井显人;冈村克己 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：该烧结体包含源自粉末的材料，该源自粉末的材料包含选自由元素周期表中的第4族元素、第5族元素和第6族元素组成的组中的至少一种第一金属元素的氮化物和/或氧氮化物，其中在源自粉末的材料中，金属元素的原子比率x1和非金属元素的原子比率y1之间的比值y1/x1大于1，并且源自粉末的材料具有立方晶体结构。
烧结粉末以及制造方法

[发明专利]蒸镀材料、带基底层的基材的制造方法、带拒水拒油层的基材的制造方法-CN201980086535.6在审
发明人：岩桥万江美;德永能仁;小平广和;石关健二;小林大介 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：一种蒸镀材料，其由包含氧化物的颗粒构成，所述氧化物包含硅、以及选自由元素周期表第1族元素、第2族元素、第13族元素、第15族元素和过渡金属元素组成的组中的至少1种元素I，粒径为0.5～22.4mm的颗粒的质量比例相对于全部颗粒总质量为
材料基底基材制造方法带拒水拒油层

[发明专利]等离子体处理装置用部件、具备该部件的等离子体处理装置及烧结体的使用方法-CN202010217975.5在审
发明人：池田隆志;石井肇;藤本贤二;佐藤直行;长山将之;村上幸一;村上贵宏 -专利权人：日本钨合金株式会社;东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：等离子体处理装置用部件具有碳化钨相及副相，该副相包含选自由相I、相II、相III、相IV及相V构成的组中的至少一种，相I为将除W以外的元素周期表的第四族、第五族及第六族元素中的至少一种作为构成元素的碳化物相，相II为将除W以外的元素周期表的第四族、第五族及第六族元素中的至少一种作为构成元素的氮化物相，相III为将除W以外的元素周期表的第四族、第五族及第六族元素中的至少一种作为构成元素的碳氮化物相，相IV为碳相
等离子体处理装置部件具备烧结使用方法

[发明专利]纳米管尤其是碳纳米管在改善聚合物基质的高温力学性能中的用途-CN200880104885.2无效
发明人：托马斯·麦克安德鲁;吉勒斯·霍克斯泰特;迈克尔·沃思;阿兰·布伊劳克斯;贝努瓦·布鲁尔;帕特里克·皮乔恩;诺尔·E·埃尔布尼亚;克里斯托弗·罗杰;埃米莉·布雷森德 -专利权人：阿克马法国公司
申请日： 2008-06-25 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： B29C70/10 文献下载
摘要：本发明涉及选自周期表的第IIIa族、第IVa族和第Va族元素中的至少一种化学元素的纳米管在改善包括至少一种半结晶的热塑性聚合物的聚合物基质的高温力学性能中的用途。
纳米尤其是改善聚合物基质高温力学性能中的用途

[发明专利]III-V族半导体器件的电导率改善-CN201080056376.4有效
发明人： J·T·卡瓦列罗斯;W·拉赫马迪;N·慕克吉;M·拉多萨夫列维奇;N·魁;Y·J·李;P·马吉;W·蔡;G·杜威 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2010-12-02 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：描述了III-V族半导体器件中的电导率改善。第一改善包括不与沟道层共平面延伸的阻挡层。第二改善包括对金属/Si、Ge或硅锗/III-V族叠置体的退火，以在Si和/或锗掺杂的III-V族层上形成金属-硅、金属-锗或金属-硅锗层。第三改善包括在III-V族沟道层上形成IV族元素和/或VI族元素，并且进行退火，以便用IV族和/或VI族物种掺杂III-V族沟道层。第四改善包括在III-V族器件的存取区域上形成钝化层和/或偶极子层。
iii 半导体器件电导率改善

[发明专利]糖果组合物-CN02813540.7无效
发明人： T·M·劳洛 -专利权人：宝洁公司
申请日： 2002-05-14 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： A23G3/00 文献下载
摘要：糖果组合物，所述糖果组合物包括：(i)大于约10ppm的第一金属阳离子，该离子选自元素周期表第5、6、7、8、9、10、11、12、14、16族的金属；(ii)大于约10ppm的与第一金属阳离子不同的第二金属阳离子，并且所述第二金属阳离子选自元素周期表的第5、6、7、8、9、10、11、12、14、16族的金属；和(iii)少于约10％的水；和(iv)糖果载体；其中所述第一金属阳离子与第二金属阳离子的比率为约50
糖果组合

[发明专利]半导体材料及使用了它的光氢生成设备以及氢的制造方法-CN201280043179.8有效
发明人：羽藤一仁;德弘宪一;铃木孝浩;野村幸生;太田健一郎;石原显光 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-08-31 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体材料，其是如下的半导体材料，即，在含有选自第4族元素及第5族元素中的至少任意一种元素的氮氧化物中，将选自氧及氮中的至少任意一种的一部分用碳置换。作为第5族元素，优选为Nb。
半导体材料使用生成设备以及制造方法

[发明专利]一种Ⅳ-Ⅵ族红外半导体薄膜及其制备方法-CN202110441818.7在审
发明人：王启胜;王立;吴识腾;王震东 -专利权人：南昌大学
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种IV‑VI族红外半导体薄膜的制备方法，采用气相外延法进行制备，该方法以含IV‑VI族元素的化合物为反应源，反应源还可包含VI族单质材料，以与IV‑VI族红外半导体晶体晶格对称性匹配的晶体基片作为基底，以氩气为载气，VI族单质反应源温度为100‑500℃，IV‑VI族化合物反应源的温度范围为600‑1000℃，基底温度范围为300‑600℃，生长时间不少于6分钟。本发明还公开了上述方法制备的IV‑VI族红外半导体薄膜，包括PbS、PbSe、PbTe、Pb1‑xSn族红外半导体薄膜的基底为与该种IV‑VI族红外半导体晶体晶格对称性匹配的晶体基片。本发明制备方法成本低、简便易行且效率高，制备得到的IV‑VI族红外半导体薄膜结晶质量高，缺陷密度低，表面均匀。
一种红外半导体薄膜及其制备方法

[发明专利]电解液、电解槽用电解液和电解槽系统-CN201780044128.X有效
发明人：森内清晃;中幡英章;长谷川胜哉 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C25B1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种电解液，其中周期表第五周期中第1至8族元素的离子及第13至16族元素的离子和周期表第六周期中第1、2和4至8族元素的离子及第13至15族元素的离子的总浓度大于610mg/L，这些离子是与气体的产生相关的添加元素离子
电解液电解槽用电系统

[发明专利]直接液体型燃料电池用催化剂的制造方法、以及通过该方法制造的催化剂和其用途-CN201280037435.2无效
发明人：李建灿;俞春福;门田隆二;堀北雅挥;佐藤孝志 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2012-04-05 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01M4/90 文献下载
摘要：至少将过渡金属化合物和含氮有机化合物混合在一起，而得到催化剂前体组合物，工序C：在500～1100℃的温度对所述催化剂前体组合物进行热处理而得到电极催化剂，所述过渡金属化合物的一部分或全部，是作为过渡金属元素含有选自元素周期表第IV B族和第V B族元素中的至少1种过渡金属元素M1的化合物。
直接液体燃料电池催化剂制造方法以及通过用途

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN03120402.3有效
发明人：野竹秀典;大西照人;浅井明;青木成刚 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-03-13 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：目的在于：在包含Si和Si以外的IV族元素的半导体器件的制造方法下，抑制为污染物质的Si以外的IV族元素给半导体器件造成的污染、二次污染。借助此法，既可抑制通过夹持晶圆的台子、机器人臂或者真空钳等而发生二次污染，也可抑制不包含Si以外的IV族元素的半导体器件的制造步骤所共用的容器被污染。
半导体器件制造方法

[发明专利]催化剂结构体及其制造方法、以及使用了该催化剂结构体的烃的制造方法-CN201980078000.4在审
发明人：关根可织;马场祐一郎;中井祐贺子;西井麻衣;福嶋将行;加藤祯宏;增田隆夫;中坂佑太;吉川琢也 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： B01J29/46 文献下载
摘要：催化剂结构体(1)具备由沸石型化合物构成的多孔质结构的载体(10)和功能性物质，前述功能性物质含有：第一元素，所述第一元素为选自由钴(Co)、镍(Ni)、铁(Fe)及钌(Ru)组成的组中的1种以上金属元素；和第二元素，所述第二元素为选自由元素周期表的第1族、第2族、第4族、第7族、第12族的金属元素组成的组中的1种以上，前述载体(10)具有相互连通的通道(11)，前述功能性物质(20)存在于前述载体(10
催化剂结构及其制造方法以及使用

[发明专利]核壳粒子、核壳粒子的制造方法及薄膜-CN201680028000.X有效
发明人：小野雅司 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2016-05-09 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C01B25/08 文献下载
摘要：本发明的核壳粒子具有：含有III族元素及V族元素的核；包覆上述核表面的至少一部分的第1壳；及包覆上述第1壳的至少一部分的含有II族元素的第2壳，其中，根据X射线光电子能谱求出的相对于上述核中所含的上述III族元素的上述整个核壳粒子中所含的II族元素的摩尔比为2.7以上。
粒子制造方法薄膜

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