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- [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202211168507.9在审
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金奈映;金成浩;金熏敏
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三星电子株式会社
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2022-09-16
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2023-05-16
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H10B12/00
- 半导体装置包括衬底，衬底包括单元区和外围区。着陆焊盘和接触插塞分别在单元区和外围区上。第一填料图案填充所述着陆焊盘之间以及所述接触插塞之间的区域。外部空隙在所述第一填料图案中，并且包括分别在单元区和外围区上的第一外部空隙和第二外部空隙。第二填料图案覆盖所述第一填料图案和所述接触插塞，并且填充所述第二外部空隙的至少一部分。内部空隙位于所述第二外部空隙中，并且由所述第二填料图案包围。第一填料图案和第二填料图案包括相同的材料。在单元区上，第二填料图案的至少一部分的位置低于着陆焊盘的顶表面的位置，并且第二填料图案的底表面通过第一外部空隙部分暴露出来。
- 半导体装置及其制造方法
- [实用新型]分叉血管支架-CN201320471887.3有效
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陈绍良
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陈绍良
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2013-08-02
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2014-01-29
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A61F2/86
- 分叉血管支架，包括一近端和一远端，所述近端与远端之间是包围成管状的可膨胀花纹结构，所述花纹结构由一组支撑杆和连接杆组成，所述支架上设有面向分支血管开口的空隙区。本申请提供的分叉血管支架，通过在单个支架管体上设置空隙区，使得导丝通过该区域可以方便的进入到分支血管内，同时根据治疗血管分叉角度，对空隙区的形状进行调整：当分叉血管呈T型时，空隙区形状为圆形；当分叉血管呈Y型时，空隙区形状为椭圆形。
- 分叉血管支架
- [发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202010847669.X在审
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舒月姣
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长鑫存储技术有限公司
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2020-08-21
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2022-02-22
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H01L21/8242
- 其中方法包括：提供衬底，所述衬底具有存储单元阵列区和周边电路区；在存储单元阵列区和周边电路区形成第一绝缘介质层和第二绝缘介质层，第一绝缘介质层中形成有间隔排布的位线结构，第二绝缘介质层中形成有间隔排布的导电结构，其中，位线结构包括位线导电结构和覆盖位线导电结构顶部和侧壁的隔离结构；蚀刻隔离结构以及周边电路区的导电结构之间的第二绝缘介质层，以分别在存储单元阵列区和周边电路区形成第一空隙和第二空隙，第一空隙至少部分暴露出位线导电结构，第二空隙暴露出周边电路区的导电结构之间的衬底；在第一空隙的侧壁和第二空隙的侧壁形成第三绝缘介质层。
- 半导体结构及其制作方法
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