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[发明专利]可同时具有部分空乏晶体管与完全空乏晶体管的芯片及其制作方法-CN03156532.8有效
发明人：杨育佳;陈豪育;黄健朝;李文钦;杨富量;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2003-09-03 - 公布日： 2004-11-03 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明主要提出两种不同型态的完全空乏晶体管，并且将完全空乏晶体管与部分空乏晶体管整合于单一芯片上。可透过调整闸极层的长度，以决定平面晶体管是完全空乏或是部分空乏。完全空乏晶体管的闸极层长度较部分空乏晶体管的闸极层长度为长。或是透过调整晶体管主动区的宽度，以决定晶体管是完全空乏或是部分空乏。完全空乏晶体管的主动区宽度较部分空乏晶体管的主动区宽度为窄。不断地减少主动区的宽度，可以形成一多重闸极晶体管，当该多重闸极晶体管的主动区宽度减少至小于空乏区宽度的两倍时，该多重闸极晶体管便是完全空乏。如此一来，在单一芯片上就可同时制备完全空乏晶体管与部分空乏晶体管。
同时具有部分空乏晶体管完全芯片及其制作方法

[实用新型]可同时具有部分空乏晶体管与完全空乏晶体管的芯片-CN200420048375.7无效
发明人：杨育佳;陈豪育;黄健朝;李文钦;杨富量;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-04-23 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型主要提出两种不同型态的完全空乏晶体管，并且将完全空乏晶体管与部分空乏晶体管整合于单一芯片上。可透过调整栅极层的长度，以决定平面晶体管是完全空乏或是部分空乏。完全空乏晶体管的栅极层长度较部分空乏晶体管的栅极层长度为长。或是透过调整晶体管主动区的宽度，以决定晶体管是完全空乏或是部分空乏。完全空乏晶体管的主动区宽度较部分空乏晶体管的主动区宽度为窄。不断地减少主动区的宽度，可以形成一多重栅极晶体管，当该多重栅极晶体管的主动区宽度减少至小于空乏区宽度的两倍时，该多重栅极晶体管便是完全空乏。如此一来，在单一芯片上就可同时制备完全空乏晶体管与部分空乏晶体管。
同时具有部分空乏晶体管完全芯片

[发明专利]整合型晶体管及其制造方法-CN200310113625.0有效
发明人：陈豪育;杨育佳;杨富量;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2003-11-13 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明是一种整合型晶体管及其制造方法，主要提出制作一完全空乏晶体管的方法，并且将完全空乏晶体管、部分空乏晶体管与多重栅极晶体管整合于单一芯片上。可透过调整栅极层的长度，以决定平面晶体管是完全空乏或是部分空乏。完全空乏晶体管的栅极层长度较部分空乏晶体管的栅极层长度为长。或是透过调整晶体管主动区的宽度，以决定晶体管是完全空乏或是部分空乏。完全空乏晶体管的主动区宽度较部分空乏晶体管的主动区宽度为窄。不断地减少主动区的宽度，可以形成一多重栅极晶体管，当上述多重栅极晶体管的主动区宽度减少至小于空乏区宽度的两倍时，上述多重栅极晶体管便是完全空乏。
整合晶体管及其制造方法

[发明专利]以部分空乏与完全空乏晶体管建构的静态存储元件-CN200410070331.9有效
发明人：杨育佳;杨富量;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-07-29 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明是一种以部分空乏与完全空乏晶体管建构的静态存储元件，所述静态存储元件包括一第一反相器、一第二反相器、一第一完全空乏绝缘层上半导体晶体管以及一第二完全空乏绝缘层上半导体晶体管；第一反相器有一耦接至一左位元节点的输入与一耦接至右位元节点的输出，第二反相器有一耦接至一右位元节点的输入与一耦接至左位元节点的输出，第一完全空乏绝缘层上半导体晶体管有一耦接至左位元节点的漏极，而第二完全空乏绝缘层上半导体晶体管有一耦接至右位元节点的漏极。
部分空乏完全晶体管建构静态存储元件

[实用新型]以部分空乏与完全空乏晶体管建构的静态存储元件-CN200420084997.5无效
发明人：杨育佳;杨富量;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-07-29 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本实用新型是一种以部分空乏与完全空乏晶体管建构的静态存储元件，所述静态存储元件包括一第一反相器、一第二反相器、一第一完全空乏绝缘层上半导体晶体管以及一第二完全空乏绝缘层上半导体晶体管；第一反相器有一耦接至一左位元节点的输入与一耦接至右位元节点的输出，第二反相器有一耦接至一右位元节点的输入与一耦接至左位元节点的输出，第一完全空乏绝缘层上半导体晶体管有一耦接至左位元节点的漏极，而第二完全空乏绝缘层上半导体晶体管有一耦接至右位元节点的漏极。
部分空乏完全晶体管建构静态存储元件

[发明专利]背面照明影像传感器及其制造方法-CN200810127697.3有效
发明人：许慈轩;刘汉琦;王俊智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-07-09 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：上述传感器包含至少一光二极管、及一空乏区，其中上述空乏区的位于基板的背面内，空乏区的深度小于基板厚度的20％。
背面照明影像传感器及其制造方法

[发明专利]液晶显示面板制造方法-CN201610057556.3在审
发明人：陈维燕;蔡玉纯;许芫榤;刘德亮;王闵正 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种液晶显示面板制造方法，其包含在第一基板上形成至少一个可固化胶体结构，进而将第一基板分隔形成至少一个空乏区以及多个面板群组区，其中空乏区位于多个面板群组区中的至少两个相邻者之间；在面板群组区以及空乏区内注入液晶；在第一基板设有胶体结构的一侧接合第二基板，以密封空乏区与面板群组区位于第一基板与第二基板之间的空间，其中液晶填满至少部分的空乏区与面板群组区，从而密封第一基板与第二基板之间的空间；以及，固化可固化胶体结构
液晶显示面板制造方法

[发明专利]增加太阳能电池pn接面空乏区大小的方法及结构-CN201110231923.4有效
发明人：简荣吾 -专利权人：英稳达科技股份有限公司
申请日： 2011-08-15 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：一种增加太阳能电池pn接面空乏区大小的方法，至少包括以下步骤:提供表面已粗糙化且为p型轻掺杂的硅基板；施以第一次毯覆式且较低能量n型离子布植，以形成n型杂质第一掺杂区，因此，第一掺杂区与p型硅基板接面形成第一道pn接面空乏区；以及施以第二次较高能量n型离子布植，以具有多个开口图案的遮罩为离子布值遮罩，以形成多个n型杂质第二掺杂区，第二掺杂区连接自第一掺杂区且如弹头形向下延伸，第二掺杂区与p型硅基板接面形成弹头形的第二道pn接面空乏区，第一道pn接面空乏区与第二道pn接面空乏区相连接，電流增加池的製程扩大pn接面面积。采用本发明的增加太阳能电池pn接面空乏区大小的方法，可以增加光电流，使太阳能电池的光电转换效率大幅提升。
增加太阳能电池 pn 空乏大小方法结构

[发明专利]控制电路及其包含的半导体结构-CN201910467133.2有效
发明人：温文莹 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H03K17/689 文献下载
摘要：本发明提供一种控制电路及其包含的半导体结构，该控制电路用以提供一输出电压予一负载，并包括一空乏型MOSFET、一增强型MOSFET以及一电流电压转换器。空乏型MOSFET的漏极接收一输入电压，其栅极接收一第一控制电压。增强型MOSFET的漏极接收输入电压，其源极耦接负载。电流电压转换器根据流经空乏型MOSFET的电流，产生一第二控制电压予增强型MOSFET的栅极。增强型MOSFET根据第二控制电压产生输出电压予负载，且增强型MOSFET与空乏型MOSFET整合在同一基底上。
控制电路及其包含半导体结构

[发明专利]等离子体处理装置-CN201811085673.6有效
发明人：翁志强;蔡陈德;丁嘉仁;徐瑞美;李祐升;刘志宏 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：上电极包含凸伸设置于上电极的一面且连接等离子体源的多个柱状电极，于上电极的中心区域具有一个等离子体空乏区，于等离子体空乏区内无柱状电极，由等离子体空乏区最外围至上电极周缘的范围内设有多个柱状电极，由多个柱状电极产生一环形等离子体分布区，等离子体空乏区最外围至上电极周缘的范围内形成一等离子体处理区；下电极具有包覆有介电材质的内藏式电极，下电极接地且被驱动旋转。
等离子体处理装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201610672231.6有效
发明人：吴仲强;李家庆;曹学文;周群渊;蔡承晏;李达元;蔡明兴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-16 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种形成半导体结构的方法，其方法包含：形成凹部特征于底材层中、形成金属层于底材层上、暴露金属层于卤化钨气体中以形成氧空乏金属层、以及形成本体钨层于氧空乏金属层上。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]静电放电保护电路-CN202011201359.7在审
发明人：蔡尚华;孙德林;沈义德 -专利权人：汉威光电股份有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种静电放电保护电路包括：输入节点、接地节点、空乏型晶体管及增强型晶体管。增强型晶体管包括栅极接点、漏极接点及源极接点。源极接点通过空乏型晶体管连接至栅极接点。由于空乏型晶体管的体积较小，因此，当此静电放电保护电路设置于晶片内，其可节省晶片空间及减少制造成本。
静电放电保护电路

[发明专利]绝缘硅芯片的鳍状元件及其形成方法-CN03149259.2有效
发明人：杨国男;詹宜陵;陈豪育;邓凌思;杨富量 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2003-06-17 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：一种绝缘硅芯片的鳍状元件及其形成方法，该包鳍状元件包含：硅基材，覆盖于硅基材的上绝缘层，具有鳍状结构的晶闸管，且晶闸管的宽度能使其结构中形成一非空乏区域，与栅极层。本发明的另一实施例包含硅基材，覆盖于硅基材的上绝缘层，具有鳍状结构的晶闸管，及部分覆盖于晶闸管宽度之上的栅极层，使晶闸管结构中间形成非空乏区域。借此，本发明的鳍状元件具有降低半导体组件的短信道效应尺寸，及改善SOI制造工艺鳍状元件完全空乏的情况，使得晶闸管的操作速度更为加快，还能满足系统芯片的制造需求。
绝缘芯片状元及其形成方法

[发明专利]真空乏汽回收利用系统-CN200810117630.1无效
发明人：李树生 -专利权人：李树生
申请日： 2008-08-01 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： F28C3/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种真空乏汽回收利用系统，其包括乏汽回收罐和高效射流泵，所述乏汽回收罐设有射流凝水泵和排水凝水泵，所述高效射流泵的射流出口连接所述乏汽回收罐的进口，射流入口连接所述射流凝水泵的出水管，抽吸入口用于连接真空乏汽管道本发明可以在不影响真空设备的工作情况下将真空乏汽回收利用，主要用于电力、石化、冶金、化工和轻工等各种真空设备的乏汽回收利用。
空乏回收利用系统

[实用新型]真空乏汽回收利用系统-CN200820109623.2无效
发明人：李树生 -专利权人：李树生
申请日： 2008-08-01 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： F28C3/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种真空乏汽回收利用系统，其包括乏汽回收罐和高效射流泵，所述乏汽回收罐设有射流凝水泵和排水凝水泵，所述高效射流泵的射流出口连接所述乏汽回收罐的进口，射流入口连接所述射流凝水泵的出水管，抽吸入口用于连接真空乏汽管道本实用新型可以在不影响真空设备的工作情况下将真空乏汽回收利用，主要用于电力、石化、冶金、化工和轻工等各种真空设备的乏汽回收利用。
空乏回收利用系统

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