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[发明专利]一种宽度可调的宽带束离子注入机-CN202210341801.9在审
发明人：欧欣;刘仁杰;彭强祥;林家杰 -专利权人：浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提出一种宽度可调的宽带束离子注入机，包括离子束发生组件、离子束分析组件、离子束汇聚组件、离子束发散组件及离子束调节组件，离子束发生组件产生带状离子束，离子束分析组件与离子束发生组件配合，由离子束分析组件对离子束发生组件产生的离子束进行分析，离子束汇聚组件与离子束分析组件配合，由离子束汇聚组件对分析后的离子束进行分区汇聚，形成若干相互分离的离子束，离子束发散组件与离子束汇聚组件配合，由离子束发散组件对分区汇聚后的离子束进行发散，使相邻离子束相互交叠，离子束调节组件与离子束发散组件配合，由离子束调节组件将离子束发散组件发散后的离子束调节形成平行离子束，并对其宽度进行调节，以提升离子注入效率。
一种宽度可调宽带离子注入

[实用新型]离子束传输控制系统-CN200620008186.6无效
发明人：王迪平;罗宏洋;郭健辉;田小海;文超 -专利权人：北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2006-03-17 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种离子束传输控制系统，由离子束产生装置、离子束分析装置、测束杯离子束检测装置、离子束调整装置、靶室离子束检测装置、计算机控制系统组成，离子束产生装置产生的离子束流I₀传输给离子束分析装置，分析后再进入测束杯离子束检测装置，检测分析离子束流的大小；然后进入离子束调整装置对离子束流I₁进行品质优化，最后进入靶室离子束检测装置，检测最终获得的束流I₂的大小，计算机控制系统与离子束产生装置、离子束分析装置、测束杯离子束检测装置、离子束调整装置、靶室离子束检测装置同时分别连接，对离子束流进行控制和参数调整。
离子束传输控制系统

[发明专利]一种可自定义选区的离子注入机及方法-CN202310817055.0在审
发明人：林家杰;刘仁杰 -专利权人：浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开了一种可自定义选区的离子注入机及方法，包括离子束发生组件、离子束引导组件、离子束汇聚组件、离子束发散组件和离子束选区组件；离子束发生组件用于产生带状离子束；离子束引导组件用于改变离子束的方向；离子束汇聚组件用于将离子束分成多个单独的小区域；汇聚后的离子束在经过离子束发散组件后，形成平行带状离子束；离子束选区组件的输入端朝向离子束发散组件设置，离子束选区组件的输出端朝向基板设置，平行带状离子束经过离子束选区组件形成图案化离子束本发明设有离子束选区组件，其包括掩膜板，掩膜板包括板体以及设置在板体上的凸块，带状离子束在经过掩膜板后形成图案化离子束，实现对晶圆的图案化选取注入。
一种自定义选区离子注入方法

[发明专利]一种带状离子束注入系统-CN202210650058.5在审
发明人：彭强祥;林家杰;刘仁杰;欧欣 -专利权人：浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提出一种带状离子束注入系统，包括离子束发生组件、离子束分离组件、离子束汇聚组件、离子束扩散组件及离子束调节组件，该带状离子束注入系统采用分离狭缝将带状离子束分离形成相互独立的离子束，并采用螺旋线圈对分离后的离子束进行分别汇聚，采用扩散透镜对汇聚后的离子束分别进行扩散，还采用法拉第杯对离子束的电流密度分布进行检测，采用控制器根据离子束的电流密度分布情况对离子束汇聚组件及离子束调节组件的运行状态进行调节，可以将宽带束的离子束分离成多个接近点状分布的区域，再在每个小区域内对离子束进行调制，最后将调制后的各部分离子束聚合形成高均匀性电流分布的宽带束离子束，有利于降低宽带束离子束的调制难度。
一种带状离子束注入系统

[发明专利]一种离子注入装置及调节方法-CN202210380033.8在审
发明人：刘仁杰;林家杰;欧欣;彭强祥 -专利权人：浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提出一种离子注入装置及调节方法，该装置包括离子束发生组件、离子束分离组件、离子束汇聚组件、离子束扩散组件、汇聚调节组件、扩散调节组件及调节控制组件，离子束过滤组件与离子束发生组件配合，对离子束发生组件产生的离子束进行分离，离子束汇聚组件与离子束分离组件配合，对分离后的离子束进行分别汇聚，离子束扩散组件与离子束汇聚组件配合，对汇聚后的离子束进行扩散，汇聚调节组件与离子束汇聚组件配合，对离子束汇聚组件的运行状态进行调节，扩散调节组件与离子束扩散组件配合，对离子束扩散组件的运行状态进行调节，调节控制组件与汇聚调节组件及扩散调节组件配合，对汇聚调节组件及扩散调节组件的调节过程进行控制。
一种离子注入装置调节方法

[发明专利]一种离子束刻蚀腔颗粒的去除方法-CN202111669411.6在审
发明人：郑枝源;蒋中原;李佳鹤;杨宇新;彭泰彦;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子束刻蚀腔颗粒的去除方法。一种离子束刻蚀腔颗粒的去除方法包括以下步骤：离子束刻蚀晶圆工艺结束后，采用反应离子束在预定的离子能量、离子束流和气体存在下刻蚀离子束刻蚀腔后抽真空。本发明采用反应离子束刻蚀离子束刻蚀腔，可以减少离子束刻蚀腔室内的颗粒数量，改善离子束刻蚀腔室内环境，提高离子束刻蚀稳定性和产品良率。
一种离子束刻蚀颗粒去除方法

[发明专利]独立控制离子束的偏转、减速与聚焦的方法-CN201811309627.X在审
发明人：董静娟 -专利权人：北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于控制离子束的偏转、减速及聚焦的方法。所述方法通过改变位于离子束两侧的电极电位来独立的控制离子束的偏转、减速和聚焦。所述方法包括：对离子束偏转的控制；对离子束减速的控制；对离子束聚焦的控制；对离子束出口处形状的控制；对离子束残余能量污染的控制；对离子束中电子的控制；以及对离子束的最终偏转角度的微调，同时使得离子束的轨迹通过透镜的出口
独立控制离子束偏转减速聚焦方法

[发明专利]离子植入系统中用于经改良的均匀度调整的技术-CN200980115538.4有效
发明人：摩根·D·艾文斯 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2009-03-26 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供在离子植入系统中调整均匀度的方法。前述方法可通过一调整离子束均匀度的方法来实现。前述方法包括：于一离子植入系统中产生一离子束；沿着一离子束路径量测一第一离子束电流密度分布；沿着离子束路径量测一第二离子束电流密度分布；以及沿着离子束路径至少部分地依据第一离子束电流密度分布以及第二离子束电流密度分布来决定一第三离子束电流密度分布
离子植入系统用于改良均匀调整技术

[发明专利]离子注入系统、确定离子束的轮廓的方法和执行剂量控制的方法-CN201480062577.3有效
发明人：佐藤秀 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2014-11-20 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： G01T1/34 文献下载
摘要：提供了一种离子注入系统和方法，其中，离子源产生离子，质量分析器对离子束进行质量分析。束轮廓确定装置在预定时间内沿轮廓确定平面平移通过离子束，其中，束轮廓确定装置与所述平移并发地横跨离子束的宽度来测量束电流，其中限定离子束的与时间和位置相关的束电流轮廓。束监测装置被配置为测量所述预定时间内在离子束的边缘处的离子束电流，其中限定与时间相关的离子束电流，以及控制器通过将离子束的与时间和位置相关的束电流轮廓除以与时间相关的离子束电流来确定与时间无关的离子束轮廓，其中抵消离子束电流在所述预定时间内的波动。
用于测量横向强度分布方法

[发明专利]在离子注入器中调节离子束平行的方法和设备-CN02106603.5无效
发明人：约瑟夫·C·奥利桑;安东尼·丽奥 -专利权人：瓦里安半导体设备联合公司
申请日： 2002-02-28 - 公布日： 2003-09-10 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：在工件(如半导体晶片)中注入离子的方法和设备，包括产生离子束，测定离子束的平行，根据测定的平行调节离子束到所需的平行程度，测定所调节的离子束的离子束方向，参照所测定的离子束方向以注入角度定向工件，以及使用参照所测定的离子束方向以注入角度定向的工件来实施注入注入可以高度平行离子束来实施。
离子注入调节离子束平行方法设备

[发明专利]聚焦离子束杂质鉴定-CN202010100620.8有效
发明人： J.格雷厄姆;L.克拉尔 -专利权人： FEI 公司
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G01R29/24 文献下载
摘要：聚焦离子束杂质鉴定。具有带电粒子束(CPB)透镜和离子束柱的双束系统可以在分析模式下运行。在所述分析模式下，来自所述离子束柱的离子束可以由CPB偏转为包含主离子束和一个或多个非主离子束的一个或多个分量束。所述双束系统可以鉴定所述非主离子束的离子种类。
聚焦离子束杂质鉴定

[发明专利]离子注入装置以及得到不均匀的离子注入能量的方法-CN200610128503.2有效
发明人：卢俓奉;秦丞佑;李民镛;郑镛洙 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-06-09 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种离子注入装置，包括产生离子束的离子束源；布置在离子束路径上的注入能量控制器用于控制离子束的离子注入能量，从而为第一时间周期产生具有第一注入能量的离子束，为第二时间周期产生具有第二注入能量的离子束；加速离子束的束道；以及安装有衬底的终端站，由束道加速的离子束注入到衬底上。
离子注入装置以及得到不均匀能量方法

[发明专利]一种离子注入机及离子束监测调制方法-CN202310643226.2在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：浙江露语尔半导体设备有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入机及离子束监测调制方法。为了克服现有技术中离子注入机难以在离子束注入硅片过程中实现实时监测和调制的问题，本发明装置包括分析器磁体，其内部设置磁场空间，离子束经过磁场空间抵达离子束出口后射出，离子束出口处设置若干导电结构，导电结构与测量设备耦合；方法包括离子束由离子源经离子束入口注入分析器磁体内部的磁场空间，经离子束出口射出；离子束出口处的离子束经导电结构实时测量并调制后，沿期望轨迹投射至接收晶片。能够通过实时监测离子束偏转来校正从分析器磁体输出的离子束偏离期望轨迹的偏转，从而使其按照期望轨迹注入硅片。
一种离子注入离子束监测调制方法

[发明专利]离子注入装置-CN200880004331.5有效
发明人：辻康之 -专利权人：三井造船株式会社
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明的离子注入装置(10)包括：离子源(22)，产生离子束；离子束整形部(20)，将产生的离子束整形为带状离子束；射束输送部(30)，在使带状离子束的厚度方向上的厚度变薄并使其收敛后，使带状离子束照射到处理基板(62)上；处理部(60)，将带状离子束照射到处理基板(62)上；透镜单元(40)，对带状离子束的电流密度分布进行调整，在该电流密度分布中带状离子束的射束厚度方向的电流密度的和值是以射束宽度方向的分布来表示的，其中，所述透镜单元(40)按照在离子束的收敛位置(52)附近区域调整对离子束的电流密度分布进行调整的方式设置。根据该构成，将带状离子束的一部分在带状离子束的内面稍微弯曲，从而能够精度良好地调整电流密度分布。
离子注入装置

[发明专利]核聚变装置及方法-CN202180030630.1在审
发明人：叶夫根尼·齐佩 -专利权人：叶夫根尼·齐佩
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： G21B1/00 文献下载
摘要：第一离子束及第二离子束在活性空间内依次沿着第一路径及第二路径定向。在每一个别离子束的每一路径内的点，每一离子束具有每一离子束内的离子的基本均匀能量及具有每一离子束内的离子的基本均匀速度矢量。所述第一离子束及所述第二离子束在所述活性空间中的反应区内实质相互正面碰撞，而所述第一离子束的离子的能量与所述第二离子束的离子的能量的比等于各自的离子质量的反比。所述第一离子束及所述第二离子束的散射离子的能量被回收，而且冷离子从所述活性空间排空。
聚变装置方法

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