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[发明专利]一种用于InP、GaN中痕量杂质浓度及分布的SIMS优化检测方法-CN201811565080.X有效
发明人：齐俊杰;胡超胜;李志超;卫喆;许磊 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于InP、GaN中痕量杂质元素浓度及分布的SIMS优化检测方法，属于材料检测技术领域。该方法包括以下步骤：在试样表面转移石墨烯；将试样放置于二次离子质谱仪的样品腔室内，并抽真空；从试样溅射出二次离子；调节提取电压的脉冲宽度以及每个循环周期的分析帧数；收集所述二次离子；对二次离子进行分析获得质谱图和二次离子深度分布图像；根据质谱图和二次离子深度分布图像获得所述试样中痕量杂质元素的检测结果。本发明的技术方案的可检测的痕量杂质元素种类多，体浓度检测极限可以达到ppb级，杂质元素测试精度可达10％以下，杂质元素分布的分辨率＜10nm。
一种用于 inp gan 痕量杂质浓度分布 sims 优化检测方法

[发明专利]用于标定区域等离子体分布的多通道朗缪尔探针诊断系统-CN202110441671.1有效
发明人：杜清府;王进;纪仕鑫;郭怀龙;张清和;邢赞扬;李延辉;李建泉;郭新 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种用于标定区域等离子体分布的多通道朗缪尔探针诊断系统，包括：多个朗缪尔探针、多通道电流采集电路和处理器，各个朗缪尔探针的探测端设置在待测区域的不同位置，朗缪尔探针与电流采集电路连接，处理器与电流采集电路连接；处理器根据接收到的各个朗缪尔探针的电流信号得到等离子体参数，根据得到的等离子体参数以及各个朗缪尔探针的位置信息得到区域等离子体分布；多个并行通道的设计可以获得真正的等离子体实时分布，弥补了现有技术通过通道切换来实现多路采集的缺点，同时通过对多路数据的并行处理，得到了更准确的等离子体分布结果。
用于标定区域等离子体分布通道朗缪尔探针诊断系统

[发明专利]金属离子分离装置-CN201410019713.2有效
发明人：李刚;薛巍;王勇;宋光武;郭序利 -专利权人：新疆独山子天利高新技术股份有限公司
申请日： 2014-01-16 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： C02F1/42 文献下载
摘要：本发明涉及分离装置技术领域，是一种金属离子分离装置，其包括吸附塔和脱附塔；吸附塔的上部内腔和下部内腔中分别固定安装有吸附塔上液体分布器和吸附塔下液体分布器，脱附塔的上部内腔和下部内腔中分别固定安装有脱附塔上液体分布器和脱附塔下液体分布器，在吸附塔上液体分布器和吸附塔下液体分布器之间的吸附塔内腔中固定安装有强酸性阳离子树脂，在脱附塔上液体分布器和脱附塔下液体分布器之间的脱附塔内腔中固定安装有强酸性阳离子树脂。本发明结构合理而紧凑，使用方便，具有选择性强、浓缩倍数大、富集效率高、富集速度快、投资低、运行成本低、程序操作控制简单等特点，特别适用于低浓度溶液中金属离子的分离富集。
金属离子分离装置

[实用新型]金属离子分离装置-CN201420026974.2有效
发明人：李刚;薛巍;王勇;宋光武;郭序利 -专利权人：新疆独山子天利高新技术股份有限公司
申请日： 2014-01-16 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C02F1/42 文献下载
摘要：本实用新型涉及分离装置技术领域，是一种金属离子分离装置，其包括吸附塔和脱附塔；吸附塔的上部内腔和下部内腔中分别固定安装有吸附塔上液体分布器和吸附塔下液体分布器，脱附塔的上部内腔和下部内腔中分别固定安装有脱附塔上液体分布器和脱附塔下液体分布器，在吸附塔上液体分布器和吸附塔下液体分布器之间的吸附塔内腔中固定安装有强酸性阳离子树脂，在脱附塔上液体分布器和脱附塔下液体分布器之间的脱附塔内腔中固定安装有强酸性阳离子树脂。本实用新型结构合理而紧凑，使用方便，具有选择性强、浓缩倍数大、富集效率高、富集速度快、投资低、运行成本低、程序操作控制简单等特点，特别适用于低浓度溶液中金属离子的分离富集。
金属离子分离装置

[发明专利]检测离子浓度的方法-CN201610377362.1有效
发明人：李震远;史江北;安云玲;刘传军 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供的检测离子浓度的方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底的表面形成阵列分布的测试垫，测试垫中具有掺杂离子，且相邻测试垫之间的间隔均相等；采用二次离子质谱分析半导体衬底，在阵列分布的测试垫中扫描呈方形的第一区域，第一区域的边长大于测试垫的边长，且小于阵列分布的测试垫的总长度；收集第二区域中的掺杂离子以及半导体衬底的二次离子信号，第二区域为位于第一区域中呈方形的区域，第二区域的边长大于测试垫的边长，且第二区域至少完全覆盖一个测试垫；对二次离子信号中的半导体衬底的信号进行修正，得到掺杂离子的含量。本发明中，采用阵列分布的测试垫，离子束扫描的范围可扩大，降低检测的难度，提高检测的精度。
检测离子浓度方法

[发明专利]改善自聚焦透镜折射率分布的新方法-CN200410081522.5无效
发明人：刘德森;郎贤礼;周自刚;蒋小平;刘晓东 -专利权人：西南师范大学
申请日： 2004-12-14 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及改善自聚焦透镜折射率分布的新方法，包括以下步骤：将一次离子交换后的玻璃丝横向切割成薄片样品，在沙敏干涉仪上采用薄片干涉法对样品进行测量，得到折射率数值和折射率分布曲线；当高于理想折射率分布曲线、出现负球差和桶形畸变时，二次离子交换采用的熔盐为3％－ 6％NaNO₃和97％－94％KNO₃的混合盐；当底于理想折射率分布曲线、出现正球差和枕形畸变时，二次离子交换采用的熔盐为3％－6％Tl₂SO₄和97％－94％KNO₃的混合盐，离子交换温度控制在530℃±0.5℃，离子交换的时间控制在20－30分钟以内。还包括二次离子交换后进行热处理。本发明可以很好的改善自聚焦透镜边部的折射率分布，使之更接近理想折射率分布，明显地改善像差，提高自聚焦透镜的质量。
改善自聚焦透镜折射率分布新方法

[发明专利]质谱仪-CN201280049341.7无效
发明人：岩崎光太 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2012-10-10 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01J49/06 文献下载
摘要：为了在质谱分析中解决由于落在一次射束的阴影下的凸凹表面的阴影部分导致的发射离子的分布与测量对象表面上的物质分布相互不同的问题，本装置的一次离子光学系统（12）包括被配置为以一次离子在飞行的过程中与二次离子的飞行空间相交的方式偏转一次离子的偏转单元
质谱仪

[发明专利]高质量粒子的表征-CN202180071172.6在审
发明人：雅库布·乌伊玛;大卫·兰格里奇;詹森·维尔德古斯;基思·理查森;凯文·贾尔斯 -专利权人：英国质谱公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01N27/623 文献下载
摘要：一种分析高质量(1MDa)粒子的方法，包括：电离粒子以产生离子；通过使该离子穿过离子分离装置来根据质荷比分离该离子，在该离子分离装置中使用一个或多个时变电场来推动离子通过气体，使得离子根据质荷比分离；测量该离子通过该离子分离装置的渡越时间；以及由此确定该离子的漂移时间或质荷比分布。该方法还包括在该漂移时间或质荷比分布中识别一个或多个电荷包络，并且使用该一个或多个电荷包络来表征该粒子。
质量粒子表征

[发明专利]一种等离子体质谱离子聚焦偏转进样接口及工作模式-CN202110495527.6有效
发明人：雷永乾;郭鹏然;陈江韩;梁维新 -专利权人：广东省科学院测试分析研究所（中国广州分析测试中心）
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01J49/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体质谱离子聚焦偏转进样接口及工作模式，涉及离子光学装置，其包括：等离子体源，所述等离子体源通过气体电离方式来形成等离子体；若干聚焦偏转板，每个所述聚焦偏转板均具有圆形中心通道，所述圆形中心通道的边缘分布有偏转电极对，若干所述聚焦偏转板相对等离子运动轨迹呈一定角度分布在等离子体源与质谱进样接口之间。本发明在离子传输过程中同时实现光子、中性粒子的有效分离和离子聚焦。
一种等离子体质离子聚焦偏转接口工作模式

[发明专利]使用注入和退火方法的太阳能电池-选择性发射极的形成-CN200980128202.1无效
发明人： B·阿迪比;E·S·默尔 -专利权人：因特瓦克公司
申请日： 2009-06-11 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L31/0368 文献下载
摘要：一种形成太阳能电池的方法，该方法包括：提供具有预先掺杂区域的半导体晶片；执行掺杂物至该半导体晶片中的第一离子注入，以在预先掺杂区域之上形成第一掺杂区域，其中第一离子注入具有浓度比对深度分布；以及执行掺杂物至该半导体晶片中的第二离子注入，以在预先掺杂区域之上形成第二掺杂区域，其中所述第二离子注入具有与第一离子注入的浓度比对深度分布不同的浓度比对深度分布，其中第一掺杂区域和第二掺杂区域中的至少一个区域被配置成在接收到光时生成电子-空穴对，并且其中第一离子注入和第二离子注入彼此独立地执行。
使用注入退火方法太阳能电池选择性发射极形成

[发明专利]锂离子电池剩余使用寿命的实时预测方法-CN201611078237.7有效
发明人：李雪飞;郑方丹;姜久春;王成涛;张婧妍;王占国;张言茹;龚敏明 -专利权人：北京交通大学;中车长春轨道客车股份有限公司
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： G01R31/367 文献下载
摘要：本发明涉及一种锂离子电池剩余使用寿命的实时预测方法。该方法包括如下步骤：建立锂离子电池容量衰退模型；选取合适的锂离子电池容量衰退模型参数的先验分布；选取合适的锂离子电池衰退模型参数的似然函数；基于贝叶斯理论计算锂离子电池容量衰退模型参数的后验分布；推算锂离子电池容量的预测分布；最后计算得到待预测锂离子电池的剩余使用寿命及其置信度。该方法优点在于对锂离子电池的剩余使用寿命预测不存在路径依赖，可以用于估计任意衰退路径下锂离子电池的剩余使用寿命以及预测置信度。该方法预测精度高，运算速度快，可以实现对锂离子电池剩余使用寿命的快速估计，保障车辆的安全可靠运行。
锂离子电池剩余使用寿命衰退模型参数预测实时预测置信度运算速度快保障车辆后验分布快速估计理论计算路径依赖似然函数先验分布贝叶斯推算

[发明专利]在玻璃中获得应力分布的方法-CN202010483996.1有效
发明人： D·C·埃兰;郭晓菊;胡广立;彭高柱 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2014-11-17 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C03C21/00 文献下载
摘要：本申请涉及在玻璃中获得应力分布的方法以及用于为化学强化玻璃产生各种应力分布的方法。使碱金属铝硅酸盐玻璃接触离子交换介质，例如包含比玻璃中碱金属阳离子更大的碱金属阳离子的熔盐浴。在大于约420℃且在玻璃退火点以下至少约30℃的温度下实施离子交换。
玻璃获得应力分布方法

[发明专利]极紫外光源-CN201811052605.X在审
发明人：陶业争;J·T·斯特瓦特;D·J·W·布朗 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H05G2/00 文献下载
摘要：形成与靶区域(230)至少部分一致的第一剩余等离子体(227a)；将包括处于第一空间分布的靶材料(220b)的靶提供至靶区域，靶材料包括当被转换成等离子体时发射EUV光的材料；第一剩余等离子体与初始靶(220a)相互作用，相互作用使靶材料从第一空间分布重新布置成成形靶分布以在靶区域中形成成形靶(221b)，成形靶包括以成形空间分布布置的靶材料；将放大光束朝向靶区域导向以使成形靶中的靶材料中的至少一些转换成发射EUV光的等离子体；和在靶区域中形成第二剩余等离子体。
等离子体靶材料靶区域成形极紫外光源第一空间成形空间重新布置发射靶分布转换放大

[发明专利]一种等离子发生器、装置、实现方法-CN201910616129.8在审
发明人：祝彬;黄石湾 -专利权人：深圳市普瑞艾尔科技有限公司
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子发生器、装置、实现方法，涉及空气环保的技术领域，解决了大电阻的损耗功率大，降低了等离子产生的效率的问题，其包括用于产生等离子的放电板，所述放电板包括若干层基板，将若干层基板依次定义为第一层基板、第二层基板、…、第N‑1层基板、第N层基板，相邻奇数层之间两两相互并联以形成奇数分布电容，相邻偶数层之间两两相互并联以形成偶数分布电容，奇数分布电容以及偶数分布电容均串联至离子发生器供电回路中。本发明具有减少损耗功率，提高了等离子的产生效率的效果。
基板分布电容等离子发生器损耗功率等离子放电板并联等离子产生离子发生器供电回路空气环保相邻偶数相邻奇数大电阻第一层串联

[实用新型]一种等离子发生器、装置-CN201921070038.0有效
发明人：祝彬;黄石湾 -专利权人：深圳市普瑞艾尔科技有限公司
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种等离子发生器、装置，涉及空气环保的技术领域，解决了大电阻的损耗功率大，降低了等离子产生的效率的问题，其包括用于产生等离子的放电板，所述放电板包括若干层基板，将若干层基板依次定义为第一层基板、第二层基板、…、第N‑1层基板、第N层基板，相邻奇数层之间两两相互并联以形成奇数分布电容，相邻偶数层之间两两相互并联以形成偶数分布电容，奇数分布电容以及偶数分布电容均串联至离子发生器供电回路中。本实用新型具有减少损耗功率，提高了等离子的产生效率的效果。
一种等离子发生器装置